首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   398篇
  免费   26篇
  国内免费   2篇
化学   280篇
晶体学   13篇
力学   4篇
数学   81篇
物理学   48篇
  2023年   8篇
  2022年   17篇
  2021年   13篇
  2020年   18篇
  2019年   9篇
  2018年   11篇
  2017年   8篇
  2016年   29篇
  2015年   5篇
  2014年   15篇
  2013年   26篇
  2012年   28篇
  2011年   24篇
  2010年   9篇
  2009年   7篇
  2008年   17篇
  2007年   26篇
  2006年   16篇
  2005年   14篇
  2004年   8篇
  2003年   12篇
  2002年   20篇
  2001年   16篇
  2000年   6篇
  1999年   5篇
  1997年   2篇
  1996年   8篇
  1995年   1篇
  1992年   1篇
  1991年   5篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   4篇
  1987年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   3篇
  1984年   5篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
  1980年   3篇
  1979年   6篇
  1978年   4篇
  1976年   3篇
  1975年   2篇
  1973年   1篇
  1969年   1篇
  1967年   2篇
排序方式: 共有426条查询结果,搜索用时 0 毫秒
421.
422.
The intensity dependence of optically‐induced injection currents in unbiased GaAs semiconductor quantum wells grown in [110] direction is investigated theoretically for a number of well widths. Our microscopic analysis is based on a 14 × 14 band k · p method in combination with the multisubband semiconductor Bloch equations. An oscillatory dependence of the injection current transients as function of intensity and time is predicted and explained. It is demonstrated that optical excitations involving different subbands and Rabi flopping are responsible for this complex dynamics. (© 2011 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)  相似文献   
423.
The radiative lifetime and the internal quantum efficiency for the degenerate p-type photoluminescence and the electroluminescence in GaAs crystals have been investigated with a simplified model of degenerate semiconductors in which the recombination constant B is approximately proportional to the ?58power of the hole concentration. It is suggested that the radiative lifetime reaches a minimum at some hole concentration, in good agreement with the prediction of Dumke. At 77 K, the internal quantum efficiency exhibits a maximum, found to be 100% at 5 × 1018 cm?3 for p-type GaAs crystals, in perfect agreement with experiments of Cusano, and for p-n GaAs junction crystals ηint, max = 60% at 3 × 1018cm?3. Finally, it is noted that in degenerate p-type GaAs crystals, the internal quantum efficiency increases linearly with increasing temperatures.  相似文献   
424.
3-(2-Propenyl)benzothiazolium bromide () provides a direct and simple entry to Pd(ii) complexes with N,S-heterocyclic carbene (NSHC) ligands functionalized with an allyl pendant with hemilabile potential. Addition of salt to Pd(OAc)(2) eliminates HOAc and affords the bis(carbene) complexes cis-[PdBr(2)(NHSC)(2)] (cis-, NSHC = 3-(2-propenyl)benzothiazolin-2-ylidene) and trans-[PdBr(2)(NHSC)(2)] (trans-) along with the monocarbene complexes [PdBr(2)(NSHC)] () and trans-[PdBr(2)(benzothiazole-kappaN)(NSHC)] () as minor side products. Salt-metathesis of cis- with AgO(2)CCF(3) yields the mixed dicarboxylato-bis(carbene) complex cis-[Pd(O(2)CCF(3))(2)(NSHC)(2)] (). Complexes cis-, trans- and were characterized by multinuclear NMR spectroscopies, ESI mass spectrometry and elemental analysis. The molecular structures of complexes cis-, and have been determined by X-ray single crystal diffraction. Complexes cis- and as well as an in situ mixture of Pd(OAc)(2) and salt are active toward Suzuki-Miyaura coupling of aryl bromides and activated aryl chlorides giving good conversions.  相似文献   
425.
1-Azulenylcarbene was synthesized by photolysis of 1-azulenyldiazomethane in argon or neon matrices at 3-10 K. The highly polar singlet carbene is only metastable and undergoes a tunneling rearrangement to 8-methylene-bicyclo[5.3.0]deca-1,3,5,6,9-pentaene. After substitution of the 4 and 8 positions with deuterium, the rearrangement is completely inhibited. This indicates a very large kinetic isotope effect, as expected for a tunneling reaction.  相似文献   
426.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号