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131.
采用PM 3半经验方法对肾上腺素和二甲亚砜与肾上腺素形成的 1∶1复合物的结构进行了几何优化 .在此基础上用密度泛函理论 (DFT)的B3LYP方法 ,分别在 6 31G、6 31G 、6 31+G 基组水平上进行了精确计算 ,并通过单点能计算考察了它们之间在形成各种复合物前后的能量和分子结构参数变化特点 .在各基组水平上所有物种的能量均进行零点振动能 (ZPVE)校正 .计算结果表明 ,二甲亚砜与肾上腺素能形成 6种稳定的复合物 ,在这些复合物中都具有较强的氢键作用 .计算结果能够解释有关实验现象 相似文献
132.
Y. Gu Igor L. Kuskovsky R.D. Robinson G.F. Neumark S.P. Guo M.C. Tamargo 《Solid State Communications》2005,134(10):677-681
The composition and size of optically active CdxZn1−xSe/ZnSe quantum dots are estimated with a previously developed method. The results are then compared with those obtained for CdxZn1−xSe/Zn0.97Be0.03Se QDs. We show that introducing Be into the barrier material enhances both Cd composition and quantum size effect of optically active quantum dots. 相似文献
133.
在变缓冲层高迁移率晶体管(MM_HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
关键词:
变缓冲层高迁移率晶体管
Shubnikov_de Hass 振荡 相似文献
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137.
利用熔融KOH和Co3O4在较低温度(480℃)下反应制备出K0.36CoO2,然后用高锰酸钾溶液和饱和的过硫酸钾溶液进行氧化处理.氧化的同时伴随有水分子嵌入.K0.36CoO2用高锰酸钾和过硫酸钾溶液处理后分别得到K0.12CoO2·0.8H2O和K0.16CO2·0.6H2O.这两种化合物都属于六角晶系,表现出金属行为,脱水后主相变为正交结构并且呈现出半导体特性.K0.16CoO2·0.6H2O在56K附近可能存在自旋玻璃转变行为或其他涨落.随着钾含量的减少和水含量的增多,样品的自旋玻璃行为受到抑制或发生磁性相分离.样品K0.12CoO2·0.8H2O在零场冷却和有场冷却曲线上的分叉现象基本上消失.还讨论了产生KxCoO2与NaxCoO2体系结构和物性差别的原因. 相似文献
138.
139.
GFFs with less than 0.4 dB peak-to-peak error functions are routinely fabricated using commercially available coating machines by utilizing the natural error compensation mechanism of wavelength variable turning point optical monitoring method. 相似文献
140.
Zuyong Feng Haosu LuoYiping Guo Tianhuo HeHaiqing Xu 《Solid State Communications》2003,126(6):347-351
Electric-field-induced strain behavior of (1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT) crystals with different orientations and compositions was investigated for use as electromechanical actuators. Crystallographically, high strains with low hysteresis were achieved for 〈001〉 oriented rhombohedral crystals (29%≤x≤31%) near a morphotropic phase boundary, rather than 〈110〉 and 〈111〉. Domain instability could explain inferior strain levels and large hysteresis for 〈110〉 and 〈111〉 oriented crystals. Ultrahigh strain levels up to 1.8% could be achieved for 〈001〉 oriented PMNT crystals, being related to an E-field induced phase transition. −2 kV/cm negative E-field can be applied to PMNT ferroelectric material with low hysteresis. High strain with low hysteresis makes PMNT crystals promising candidates for high performance solid-state actuators. 相似文献