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101.
字节全加器及其在无线电测控系统中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对全加器概念进行了推广,并在此基础上给出了使用字节全加器网络的无线电抗干扰算法。通过在实际的无线电测控系统中的应用,结果表明该算法具有良好的无线电抗干扰效果。 相似文献
102.
103.
We report measurements on the phase dynamics of a detuned single mode laser which has in the past shown correspondence to the complex Lorenz equation. The corresponding ranges of periodic pulsing, of detuned chaos and of windows within the chaotic domain are investigated.Invited paper 相似文献
104.
采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
105.
106.
工件带到达时间的两阶段柔性流水作业的近似算法 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了工件带到时间的两阶段柔性流水作业的排序问题,基于求解流水作业和平行机问题的算法思想,提出两个相应的近似算法H(R)和H(MR(?)),证明了这两个算法的最坏情况性能比分别为3-1/m和2/5-1/m,讨论了界的紧性,并利用数值模拟以分析算法与最优值的近似性能比. 相似文献
107.
Tai-Man Tang 《Journal of Mathematical Sciences》2007,144(5):4504-4510
Wildly embedded tiles in ℝ3 with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed.
We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on
the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are
recorded for further investigations.
__________
Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005. 相似文献
108.
复制缺陷型人泡沫病毒载体辅助质粒pΔGP的构建及转染小肠癌细胞的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
在人泡沫病毒原病毒全长克隆pHRSV13的基础上,缺失突变gag和pol基因,并且用SV40polyA加尾信号替代人泡沫病毒的3′LTR,构建辅助质粒pΔGP.将复制缺陷型人泡沫病毒载体质粒pGPSNI EGFP和辅助质粒pΔGP分别转染和共转染小肠癌HIC细胞系,荧光显微镜检测发现共转染pGPSNI EGFP和pΔGP的HIC细胞能够强烈表达绿色荧光蛋白,转染有复制缺陷型人泡沫病毒载体质粒pGPSNI EGFP的HIC细胞能够表达少量的绿色荧光蛋白,而转染有辅助载体pΔGP的HIC细胞不表达绿色荧光.结果证明复制缺陷型人泡沫病毒载体的构建成功,表明人泡沫病毒env基因3′端的内部启动子IP具有弱启动子的活性,并且bel基因产生的调控蛋白能够反式激活人泡沫病毒内部启动子IP和5′LTR的启动子. 相似文献
109.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
110.