首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   41016篇
  免费   5962篇
  国内免费   4389篇
化学   28811篇
晶体学   442篇
力学   2634篇
综合类   393篇
数学   4833篇
物理学   14254篇
  2024年   100篇
  2023年   730篇
  2022年   1049篇
  2021年   1239篇
  2020年   1486篇
  2019年   1450篇
  2018年   1240篇
  2017年   1140篇
  2016年   1734篇
  2015年   1706篇
  2014年   2137篇
  2013年   2824篇
  2012年   3551篇
  2011年   3790篇
  2010年   2456篇
  2009年   2480篇
  2008年   2694篇
  2007年   2475篇
  2006年   2227篇
  2005年   1812篇
  2004年   1369篇
  2003年   1135篇
  2002年   1134篇
  2001年   896篇
  2000年   857篇
  1999年   903篇
  1998年   767篇
  1997年   740篇
  1996年   850篇
  1995年   673篇
  1994年   568篇
  1993年   488篇
  1992年   454篇
  1991年   405篇
  1990年   319篇
  1989年   266篇
  1988年   195篇
  1987年   168篇
  1986年   162篇
  1985年   142篇
  1984年   106篇
  1983年   83篇
  1982年   55篇
  1981年   46篇
  1980年   22篇
  1978年   21篇
  1977年   24篇
  1976年   21篇
  1975年   29篇
  1974年   31篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
51.
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon.  相似文献   
52.
黄先开 《应用数学》1991,4(3):30-35
本文在跨共振点条件下证明n维Lienard型方程存在2π周期解.  相似文献   
53.
This paper reports that the growth of RuOx(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuOx(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuOx(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuOx(110) due to the large mismatch between RuOx(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuOx(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuOx(110).  相似文献   
54.
关于四元数矩阵乘积迹的不等式   总被引:1,自引:0,他引:1  
设 H~(m×n)为 m×n 四元数矩阵的集合,σ_1(A)≥…≥σ_n(A)为 A∈H~(mxn)的奇异值。本文证明了:1)设 A∈H~(mxm),B∈H~(mxm),r=min(m,m),则|tr(4B)|≤c r σ_i(A)σ_i(B).2)设 A_i∈H~(mxm),i=1,2,…,n,(A_1A_2…A_n)k为 A_1A_2…A_n 的任一个 k 阶主子阵,则|tr(A_1.A_2…A_n)_k|≤sun form i=1 to k σ_i(A_1)…σ_i(A_n).我们还得到四元数矩阵迹的其它一些不等式。这些结果推广和改进了文[1],[2]中的结果,进一步解决了 Bellman 猜想。  相似文献   
55.
大学物理实验中分类教学的探索和研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文对大学物理实验课程的教学现状进行了分析,提出了对大学物理实验课程进行分类教学改革的指导思想和遵循的原则及采取的措施。  相似文献   
56.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关.  相似文献   
57.
The present paper devotes to the long-time behavior of a class of reaction diffusion equations with delays under Dirichlet boundary conditions. The stability and global attractability for the zero solution are provided, and the existence, stability and attractability for the positive stationary solution are also obtained.  相似文献   
58.
59.
苗明川  唐芳  张淼  胡涛 《大学物理》2006,25(2):53-57
大学物理实验中混沌实验大多采用观察现象的方法进行,本实验采用蔡氏电路(Chua s circuit)产生混沌行为.在观察不同初始值条件下出现的倍周期分岔、阵发混沌、奇异吸引子等相图及现象的基础上,通过对采集数据进行处理,对负电阻伏安特性进行分段线性拟合,用功率频谱法、计算机仿真方法(龙格-库塔数值积分法)对混沌现象进行描绘,将实验数据与非线性方程组的数值解相结合,呈现出混沌现象的本质.  相似文献   
60.
Three new polyoxygenated steroids, muricesteroid ( 1 ), and menellsteroids A ( 2 ) and B ( 3 ), were isolated from two species of the South China Sea gorgonian Muricella flexuosa and Menella verrucosa Brundin , respectively. The structures of these new compounds were elucidated on the basis of extensive spectroscopic analysis, chemical methods and comparison with known related compounds.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号