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11.
本文通过对大量的黄酮类化合物13C NMR图谱的分析和研究,总结了不同类型的黄酮类化合物的13C NMR图谱特征及化学位移规律.对影响黄酮类化合物结构骨架上不同位置碳原子化学位移的因素进行了分析,建立了用于黄酮类天然产物13C NMR图谱智能解析的知识库.  相似文献   
12.
本文证明了:若X是K-半分层空间,f是闭映射,则f(X)是K-半分层空间,这一结果推广改进了Lutzer与高国士的有关结果。  相似文献   
13.
在氨性溶液中,光照射对ZnTPPS的形成影响很大。光-极谱试验表明:光电流(i_p)与浓度(c)间有以下的关系:对Zn(NH_3)_4~(2+),i_p∝C_((Zn)(NH_3)_4)~(2+)_~(1/2),对H_2TPPS,i_p∝C_(H_2TPPS),ZnTPPS络合物还原波的i_p不明显。本文对其差异性和光电流产生的原因做了初步探讨。  相似文献   
14.
Reactions of the hydrated electron, H atoms, 2-propanol, and methanol radicals with the TiO2 nano-particles have been studied either directly or by competition kinetics. The radicals were produced by radiolysis of 2-propanol, t-butanol, or methanol aqueous solutions in acid pH's. The reactions involve electron injection to the conduction band. As expected, the t-butanol radical is inert towards TiO2 under our conditions, while the other reducing radicals react with TiO2. The reactivity decreases in the order: eaq>H>CH3COHCH3>CH2OH. Two TiO2 nanocrystallite sizes, with average diameters of 1.0 and 4.7 nm were compared. For equal concentrations (in terms of TiO2 molecules), the rate of electron injection shows relatively little dependency on particle size. The rates of interfacial electron transfer and transfer coefficient are also reported.  相似文献   
15.
Thin films of polystyrene (PS), poly(methyl methacrylate) (PMMA) and polystyrene-polyacrylonitrile copolymer (PS-AN), containing various embedded transition-metal complexes, have been studied by FTIR microscopy. The spatial distributions of the transition-metal carbonyl complexes throughout the thin organic polymer films have been determined by a two-dimensional IR mapping procedure. The spectral variations observed in the distribution of the metal carbonyls throughout the different polymer films are discussed. The IR data show that the technique used to prepare the organometallic-embedded thin films (viz. freeze-drying of solutions followed by hot mechanical pressing of the residues) does in general lead to homogeneous films which may eventually find industrial application, e.g. as membrane sensors for small molecules.  相似文献   
16.
本文研究了一类二维非线性Schrodinger方程解的有限维行为,我们得到了此方程存在吸引子,并得到了此吸引子维数的上界估计  相似文献   
17.
平衡规划问题的熵函数方法及其在混合交通流中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
将参变极值问题的极大熵函数方法应用到求解平衡规划问题中,通过先验分布信息和Kullback熵概念,给出了平衡规划问题基于Kullback熵表示的熵函数求解方法,并将平衡规划的极大熵函数方法应用于求解混合交通平衡分配问题.  相似文献   
18.
We establish upper and lower bounds for the metric entropy and bracketing entropy of the class of d-dimensional bounded monotonic functions under Lp norms. It is interesting to see that both the metric entropy and bracketing entropy have different behaviors for p<d/(d-1) and p>d/(d-1). We apply the new bounds for bracketing entropy to establish a global rate of convergence of the MLE of a d-dimensional monotone density.  相似文献   
19.
Thin films of oxide materials are playing a growing role as critical elements in optoelectronic devices and nanoscale devices. In this work, thin films of some typical oxides such as WO3, Ga2O3 and SrTiO3 were investigated. We present measurements of those films, using various optical techniques like photoconductivity transients over a wide time range and photo-Hall measurements. Analysis of the photo-Hall and photoconductivity data permits the determination of the contribution to the photoconductivity made by the carrier mobility and concentration. A model for dispersive carrier transport was proposed to explain the relaxation of the photoconductivity in oxide thin films. In addition, photoluminescence characterization was used to study microstructures and energy band in oxide thin films. The broad emission from oxide host, consisting of several band peaks, was likely due to a recombination process with several possible paths. The dependence of the luminescent intensity on the annealing atmosphere was associated with the presence of oxygen vacancies. It is suggested that our optical analysis efforts have improved the understanding of oxide thin films, and this should lead to the necessary advancements in a variety of devices.  相似文献   
20.
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词: C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度  相似文献   
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