采用FTIR和电子能谱EDS指纹图谱直观比对鉴定右归丸济生肾气丸

结合FTIR和电子能谱EDS指纹图谱,鉴别了两种组成相近的中药复方右归丸和济生肾气丸.测定右归丸和济生肾气丸样品氯仿提取物的红外指纹图谱,依据W检验理论判别方法精细建立两种中药复方红外指纹图谱的特征吸收峰组,确定了各个特征吸收峰相对应的特征分子基团和药物成分组成.同时测量两种中药复方原药粉末样品的EDS指纹图谱.根据两...     

High slope efficiency and low threshold in a laser-diode-pumped passively Q-switched ion-implanted Nd:YVO<Subscript>4</Subscript> planar waveguide laser with GaAs saturable absorber

A passively Q-switched waveguide laser, to our knowledge, has been firstly demonstrated in Nd: YVO₄ crystal formed by 3 MeV Si⁺ ion implantation at a dose of 1 × 10¹⁵ ions/cm² at room temperature, in which GaAs was used as saturable absorber. The dependences of the average output power, pulse width, pulse repetition rate on absorbed pump power have been measured at different output plane mirror transmissions. At an absorbed pump power of 78.8 mW and output transmission of 20%, the shortest pulse width of 3.88 ns was obtained, corresponding to the peak power and single pulse energy of 212 W and 0.82 μJ, respectively. The threshold pump power was as low as 40 mW, and the slope efficiency was about 64.5% when the absorbed pump power was lower than 70 mW.     

NaLa(MoO4)2∶Eu3+的水热调控合成与发光特性研究

采用水热法合成了不同粒径的NaLa(MoO₄)₂∶Eu³⁺微晶.通过调节乙二醇浓度和反应时间,研究了NaLa(MoO₄)₂∶Eu³⁺微晶的形貌演变过程,在水热条件下180 ℃反应16 h获得了均一梭子形NaLa(MoO₄)₂∶Eu³⁺微晶,其晶粒长度约为2.0 μm.荧光光谱分析表明,Eu³⁺取代了NaLa(MoO₄)₂中La³⁺的格位, Eu³⁺在613 nm处红光发射(⁵D₀–⁷F₂跃迁)的浓度猝灭机理是电偶极-电四极相互作用,并发生了Eu³⁺( ⁵D₁ ) + Eu³⁺(⁷F₀ )→ Eu³⁺( ⁵D₀ ) + Eu³⁺(⁷F₃) 交叉弛豫,由此导致浓度猝灭. 关键词： 钼酸盐 水热法 稀土离子 发光     

建筑物对微波脉冲响应仿真与实验

建立了微波脉冲在建筑物内传播、反射及透射过程的3维仿真模型,提取了空间电场时域最大值进行统计分析。分析表明：不同入射角窄带调制方波脉冲激励下,场增强区域大小与微波通过窗户和门能直接照射到的区域大小呈正比,窗户的大小对建筑物内空间场强增强区域的大小有显著影响;同时在微波脉冲的传播方向上,窗沿后的区域场强幅值明显减小;脉冲宽度对建筑物内空间场强增强区域的大小及空间场强最大值影响很小;无上升下降沿的窄带调制方波脉冲激励下,空间电场叠加增强效应更强。测量了微波脉冲辐照下,建筑物内空间功率密度分布,验证了仿真结果。     

基于密度泛函理论的C_(24)H_(38)O_4分子外场效应研究

各种环境毒物危害着人类的健康,塑化剂更是破坏了食品安全.为研究外电场对塑化剂主要成分之一C_(24)H_(38)O_4(邻苯二甲酸二辛酯,dioctyl phthalate,DOP)的影响,采用密度泛函理论B3LYP方法在6-311G(d,p)基组水平上优化了不同静电场0—0.0125 a.u.(0—6.4278×10~9 V/m)作用下DOP分子的基态几何结构,在此基础上利用同样的方法计算了DOP分子的电偶极矩和分子总能量,最后利用含时密度泛函理论在同一基组下研究了不同外电场对DOP分子紫外-可见(UV-vis)吸收光谱产生的影响,并与实验测得的光谱图进行了比较.结果表明:分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系,分子偶极矩随着外电场的增强先减小后增加,而分子总能量随着外电场的增强先增加而后急剧减小;DOP分子激发态的振子强度随着外电场的增强而减小,UV-vis吸收峰显著红移.     

外场作用下C12H4Cl4O2的分子结构和电子光谱研究

各种环境毒物危害着人类的生产生活,二噁英更是严重危害人类的健康.C₁₂H₄Cl₄O₂（2,3,7,8-tetrachlorodibenzo-p-dioxin,TCDD）是二噁英中毒性最强的化合物,也是目前已知毒性最强的污染物.为研究TCDD外场效应,采用密度泛函理论方法优化了不同静电场0–0.025 a.u.（0–1.2856×10¹⁰ V/m）作用下TCDD分子的基态几何结构,得到了分子总能量;在此基础上,采用含时密度泛函理论方法对TCDD分子的紫外-可见（UV-Vis）吸收光谱在不同外电场下的变化进行了研究.结果表明：分子几何构型与电场大小呈现强烈的依赖关系,分子总能量随着外电场的增强而减小;伴随着外电场的增强,分子激发态的摩尔吸收系数逐渐减小,UV-Vis吸收峰显著红移.     

Collective Diffusion and Strange-Metal Transport

We study a particular combination of charge and heat currents, which is decoupled with the heat current. The "heat-decoupled" (HD) current can be transported by diffusion at long distances, when the thermoelectric effect is small, large, or balanced. Using holographic models with momentum relaxation, we illustrate that the different thermoelectric effects correspond to the high temperatures and strong disorder, low temperatures, or special critical index. Meanwhile, the Einstein-like relation and the diffusion/chaos relation may be emergent. Assuming that the existence and features of HD modes appear in strange metals, we can predict that when the thermoelectric effect is not very large, the scaling of resistivity is predominantly controlled by the HD susceptibility and chaos; otherwise more physics is required.     

MgB2超导圆线基底交流损耗的计算分析

二硼化镁(MgB2)超导体在非铜氧化物陶瓷超导体中具有最高临界转变温度,给超导应用带来了新的契机.铁与镁不反应,且价格低廉,在需要热处理的超导成材工艺中,常常采用铁作MgB2的基底;然而,这种高磁导率的材料有可能增大基底的损耗.本文采用有限元分析软件ANSYS计算了工频下不同材料基底超导圆线传输交流的基底损耗,分析了基底损耗与电流大小、基底厚度之间的关系,对双层基底的损耗也进行了研究.本文的结果对于适当选取截面尺寸、基底材料和工作电流以期减小交流损耗,具有一定参考意义.     

基于法布里-珀罗标准具的532 nm多普勒测风激光雷达系统设计和分析

 设计了采用532 nm 种子注入稳频钇铝石榴石（YAG）激光器作为辐射源的基于四通道法布里-珀罗标准具的瑞利和米散射测风激光雷达系统。介绍了激光雷达的多普勒测量基本原理;给出了雷达系统的主要参数,重点对基于分子后向散射信号的外侧双通道标准具的带宽、自由谱间距、峰值间距等指标进行了详细设计与分析,确定了内侧双通道标准具参数;对全系统速度灵敏度、信噪比与探测距离的关系进行了理论模拟。结果表明,可以实现从边界层至对流层高低空一体化探测。     

纳米尺度MOSFET过剩噪声的定性分析

最近实验表明纳米尺度MOSFET中的过剩噪声主要为散粒噪声,而此前研究认为MOSFET中不存在散粒噪声,短沟道MOSFET中的过剩噪声为热噪声. 本文基于器件电流模型分析散粒噪声取代热噪声成为过剩噪声主要成分的转变条件,根据该条件对纳米尺度MOSFET噪声特性的预测与文献报道的实验现象、模拟结果以及介观散粒噪声相关结论相符合. 关键词： 散粒噪声 过剩噪声 纳米尺度MOSFET