Microstructure array on Si and SiOx generated by micro-contact printing, wet chemical etching and reactive ion etching

A method, combining micro-contact printing (μCP), wet chemical etching and reactive ion etching (RIE), is reported to fabricate microstructures on Si and SiOx. Positive and negative structures were generated based on different stamps used for μCP. The reproducibility of the obtained microstructures shows the methodology reported herein could be useful in Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS), optical and biological sensing applications.     

Eu3+离子在微晶玻璃研究中的探针作用

制备出单掺Eu3+离子的氟氧化物玻璃陶瓷系列样品,利用Eu3+离子作为荧光探针,通过热处理前后Eu3+离子发射光谱中电偶极子跃迁与磁偶极子跃迁强度比值的变化表征在玻璃材料中微晶是否形成,分析了Eu3+离子荧光发射谱中电偶极子跃迁与晶体场对称性的关系,进一步表征了稀土离子所处微晶晶格场的变化.     

Viscometric properties of dilute polystyrene/dioctyl phthalate solutions

We report viscometric data collected in a Couette rheometry on dilute, single‐solvent polystyrene (PS)/dioctyl phthalate (DOP) solutions over a variety of polymer molecular weights (5.5 × 10⁵ ≤ M_w ≤ 3.0 × 10⁶ Da) and system temperatures (288 K ≤ T ≤ 318 K). In view of the essential viscometric features, the current data may be classified into three categories: The first concerns all the investigated solutions at low shear rates, where the solution properties are found to agree excellently with the Zimm model predictions. The second includes all sample solutions, except for high‐molecular‐weight PS samples (M_w ≥ 2.0 × 10⁶ Da), where excellent time–temperature superposition is observed for the steady‐state polymer viscosity at constant polymer molecular weights. No similar superposition applies at a constant temperature but varied polymer molecular weights, however. The third appears to be characteristic of dilute high‐molecular‐weight polymer solutions, for which the effects of temperature on the viscosity curve are further complicated at high shear rates. The implications concerning the relative importance of hydrodynamic interactions, segmental interactions, and chain extensibility with increasing polymer molecular weight, system temperature, and shear rate are discussed. © 2006 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part B: Polym Phys 44: 787–794, 2006     

考虑材料熔化潜热的高温高压本构

本文在修正的SCG模型基础上，提出了一种考虑了熔化潜热的高温高压本构.该本构所给出的铝的剪切模量的变化分为三个阶段：加工硬化，温度软化和熔化，并在完全熔化点处变为零.并且在前两个阶段，计算的结果与修正的SCG模型所给出的剪切模量的差别不超过4%，这一差别是在动高压实验误差范围之内的，在熔化区所给出的剪切模量与现有的实验数据相符合. 关键词： 剪切模量 熔化潜热 修正的SCG模型 动高压实验     

C波段平面异向介质设计及其后向波特性验证

提出了一种工作在C波段的新型平面结构异向介质，它除了带宽宽和损耗小外，还具有体积小、结构简单的优点，而且能够实现工作频段的平移，频率平移范围为4—20 GHz.基于电磁波由自由空间入射半无限大异向介质平板的传输和反射数据，计算出了电波在其中传播时的相速随频率的变化曲线，结果表明所讨论的异向介质确实在预想的频段上表现出后向波特性；同时利用相位观察法进一步验证了上述的后向波特性，从而肯定了异向介质的存在. 关键词： 异向介质 宽频带 小单元 后向波特性     

Absorption Complex between Porphyrin and Phenothiazine in Reverse Micelles

Porphyrin derivatives attract much more interest in photodynamic therapy (PDT). Their importance as therapeutic drugs and targeting agents has been widely recognized1, and many of the efforts have been put towards crafting new porphyrin-based molecular entities to achieve enhanced tumor localization, better tissue penetration and increased singlet oxygen quantum yield2. The states of porphyrins in tissue models such as micelles, lipid bilayers are extensively investigated focusing more or l…     

接枝羧基的有限长碳纳米管电子结构的第一性原理研究

基于局域密度泛函理论，采用第一性原理方法，建立了对(5,5)型和(9,0)型有限长碳纳米管接枝羧基官能团的原子模型，通过计算其电子分布和态密度的变化，讨论羧基官能团对碳纳米管电子结构和电子输运特性的影响. 计算表明，接枝羧基的碳纳米管,其电子结构明显改变，其费米能级上的电子态密度下降；最高占据轨道上的非定域程度减弱,致使电子输运性能呈下降趋势. 关键词： 碳纳米管 密度泛函理论 电子结构     

对称正交反对称矩阵反问题解存在的条件

矩阵反问题和矩阵特征值反问题在科学和工程技术中具有广泛的应用,有关它们的研究已取得了许多进展[1,2].[3]和[4]分别研究了反对称矩阵反问题和双反对称矩阵特征值反问题等.本文研究一类更广泛的对称正交反对称矩阵反问题.用Rn×m（Cn×m）表示n×m实（复）矩阵的全体,ASRn×n表示n阶反对称矩阵的全体,ABSRn×n表示n阶双反对称矩阵的全体,ORn×n表示n阶正交矩阵的全体.A+表示矩阵A的Moore-Penrose广义逆.In表示n阶单位矩阵.ei表示n阶单位矩阵的第i列,Sn=[en,en-1,     

两种以Znq2为基体的新型电致发光材料的合成与性能

以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq₃)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq₂)研究还有待发展。介绍了两种以Znq₂为基体的新型有机电致发光材料Znq₂(H₂O)₂和(Znq₂)₄的合成方法。用IR、XRD、TG、DTA和荧光测试方法进行表征与分析表明:Znq₂(H₂O)₂和(Znq₂)₄的玻璃化温度(T_g)分别为104.2℃和204.9℃;在161℃下Znq₂(H₂O)₂脱去水分子成为Znq₂,在361℃高温下四聚体(Znq₂)₄裂解为单体Znq₂;Znq₂(H₂O)₂和(Znq₂)₄具有很好的发光性能,在光致发光谱中λ_max分别是505,550nm。     

基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术研究

介绍了一种基于半像素错位的多幅图像重建高分辨率图像技术。分析了半像素错位的多幅图像与高分辨率图像各像素灰度值的对应关系 ,并从CCD数字化采样的角度进行了论证。同时 ,结合实际摄像机CCD结构 ,求出了高分辨率图像重建的计算公式 ,并通过实验进行了验证和完善。重建的本质是以原高分辨率图像的 4邻域平均图像为基础 ,增加一定比例的边缘细节信息 ,去接近原高分辨率图像。CCD的动态范围越大 ,图像的灰度级越多 ,那么计算误差就越小 ,图像的边缘细节信息就可以利用更多 ,重建的图像就越接近原高分辨率图像。通过实验和分析表明 ,利用半像素错位的多幅低分辨率图像重建高分辨率图像的原理是正确的 ,方案是可行的