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61.
ZHAO Hong-Xia MA Shan-Jun SHI Yong 《理论物理通讯》2008,49(2):479-481
In this paper, if the condition of variation δt=0 is satisfied, the higher-order Lagrangian equations and higher-order Hamilton's
equations, which show the consistency with the results of traditional analytical mechanics, are obtained from the higher-order Lagrangian equations and higher-order Hamilton's equations.
The results can enrich the theory of analytical mechanics. 相似文献
62.
63.
研究了8个含羟基取代基的Schiff碱捕获自由基——ABTS .和DPPH——的性能。结果发现,Schiff碱捕获自由基的性能首先与分子中所含有的羟基的个数有关,随着羟基数目的增多,Schiff碱捕获自由基的能力增强。大的共轭体系以及羟基处于N原子邻位可增强该Schiff碱捕获ABTS .的性能;但对于捕获DPPH来说,只有同时将大的共轭体系与处于N原子邻位的羟基结合在同一分子中,才能表现出较强的捕获DPPH的性能。由此可见,DPPH对于检测Schiff碱中羟基捕获自由基的性能是一种更为专一的试剂。 相似文献
64.
65.
用溶胶-凝胶法制备1.0%mol Mn,Cr,Co掺杂BaTiO3(BTO)粉体,在1350℃下烧结成多晶陶瓷样品.X射线衍射和差示扫描量热分析表明,室温下掺杂BaTiO3具有四方钙钛矿结构;居里点和相变潜热随Cr,Mn,Co掺杂逐渐降低.将掺杂BaTiO3与Tb1-xDyxFe2-y(TDF)胶合制成双层磁电复合材料,并研究了Cr:BTO-TDF,Mn:BTO-TDF,Co:BTO-TDF层状复合材料中的磁电效应.实验表明,在340×80 A·m-1偏置磁场下,Cr:BTO-TDF的横向磁电电压系数达到最大值586 mV·cm-1·(80 A·m-1-1.在400×80 A·m-1偏置磁场下,Mn:BTO-TDF和Co:BTO-TDF的横向磁电电压系数的最大值分别为480 mV·cm-1·(80 A·m-1-1和445 mV·cm-1·(80 A·m-1-1.研究表明掺杂BaTiO3-TDF层状复合材料中具有较强的磁电耦合.作为无铅压电材料,掺杂BaTiO3制备的磁电效应器件颇具应用前景. 相似文献
66.
Liao GH Luo L Xu HX Wu XL Lei L Tung CH Wu LZ 《The Journal of organic chemistry》2008,73(18):7345-7348
Irradiation of 2-naphthalenecarbonitrile (2-NpCN) in solution with a light lambda > 280 nm results in the formation of three rigid cubane-like photodimers, anti-head-to-head 1, anti-head-to-tail 2, and syn-head-to-tail 3, which are not in line with the previously recognized regioselectivity. These cubane-like photodimers have been well characterized by spectroscopic investigation and/or X-ray crystal structural analysis in this work. Moreover, the separation of the optically pure enantiomers of 1, 2, and 3 has been achieved by HPLC resolution. 相似文献
67.
利用中国原子能科学研究院的中高能质子实验平台,针对两款商用铁电存储器开展了中高能质子单粒子效应实验研究,发现其中一款器件在质子辐照下发生了单粒子翻转和单粒子功能中断.本文主要针对单粒子功能中断效应展开了后续实验研究.首先通过改变质子能量对器件进行辐照,发现单粒子功能中断截面随质子能量的提高而增加.为进一步研究器件发生单粒子功能中断的机理,利用激光微束平台开展了辅助实验,对铁电存储器的单粒子功能中断效应的敏感区域进行了定位,最后发现铁电存储器单粒子功能中断是由器件外围电路发生的微锁定导致的. 相似文献
68.
为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考.
关键词:
非对称Halo
异质栅
应变Si
短沟道效应 相似文献
69.
在Nagel-Schreckenberg(NS)模型的基础上,提出一种可应用智能交通系统(ITS)信息的新的交通流元胞自动机模型. 其中考虑了有效间距及刹车灯的作用,并引入了可变安全间距的新概念. 数值模拟表明:对于这种改进的ITS元胞自动机模型,道路交通量有了显著提高,体现了智能交通的优越性——有效地扩大交通流量,减少阻塞生成. 当考虑快车和慢车的混合交通流时,发现即使少量的慢车也会导致交通流量大幅度下降,说明了严格实施快慢道行驶的必要性.
关键词:
交通流
智能交通系统(ITS)
元胞自动机模型
刹车灯
可变安全间距 相似文献
70.