新型SOANN埋层SOI器件的自加热效应研究

本文提出了一个新型的SOI埋层结构SOANN (silicon on aluminum nitride with nothing),用AlN代替传统的SiO₂材料,并在SOI埋氧化层中引入空洞散热通道. 分析了新结构SOI器件的自加热效应.研究结果表明:用AlN做为SOI埋氧化层的材料, 降低了晶格温度,有效抑制了自加热效应.埋氧化层中的空洞,可以进一步提供散热通道, 使埋氧化层的介电常数下降,减小了电力线从漏端通过埋氧到源端的耦合, 有效抑制了漏致势垒降低DIBL(drain Induced barrier lowering)效应.因此,本文提出的新型SOANN结构可以提高SOI器件的整体性能,具有优良的可靠性.     

NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析

通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化.研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.     

成熟棉花纤维中单宁的提取及含量测定

首次对成熟棉花纤维中单宁的提取条件进行了优化,选择液料比、提取时间、提取温度、3个因素分别进行了单因素试验.结果表明,选用液料比30∶1mL/g,提取温度85℃,提取时间60min.在最佳条件下测定了不同产地、不同品级的棉花中单宁的含量,结果表明,不同产地、不同品级的棉花纤维中单宁的含量有明显差别.     

湍动发生器内流场数值模拟及结构优化分析

对流浆箱内整流元件─湍动发生器进行了基于二相流动的数值模拟.主要是针对阶扩型和渐扩型两种湍动发生器结构形式,通过改变入口流速和湍动发生器结构参数进行了多种情况下的数值模拟计算.探讨了这些因素对湍动发生器的湍动发生性能影响,其结果对湍动发生器的结构优化具有较好的指导意义.     

Statics,Dynamics and Linear Viscoelasticity from Dissipative Particle Dynamics Simulation of Entangled Linear Polymer Melts

Chinese Journal of Polymer Science - Dissipative particle dynamics (DPD) with bond uncrossability shows a great potential in studying entangled polymers, however relatively little is known of...