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101.
ShiHongCHENG 《数学学报(英文版)》2003,19(1):177-186
We give an Edgeworth expansion for densities of order statistics with fixed rank k.The Edgeworth expansion for densities of extreme values is then obtained as a special case k=1. 相似文献
102.
103.
多小波子空间上的单小波表示 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在较弱的条件下,建立了2重多小波子空间与单小波子空间的关系.即由2重多小波构造出单小波.一方面,这种单小波的平移伸缩与2重多小波的平移伸缩生成的子空间是完全相同的;另一方面,它具有插值性.因此通过构造出的单小波建立了多小波子空间上的Shannon型采样定理. 相似文献
104.
105.
一类积分不等式的推广 总被引:1,自引:0,他引:1
对一些基本的积分不等式进行了推广,给出了含有n个无关变元的更广泛的非线性积分不等式.利用所得的不等式讨论了某些非线性积分方程解的有界性. 相似文献
106.
溃坝问题的间断有限元方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究90年代初提出的Runge-Kutta间断Galerkin有限元方法,给出该方法的精度分析,通过经典算例验证该方法处理间断问题、捕捉锐利波形的能力,并将其推广到求解浅水问题.针对坝底无摩擦,无坡度的理想情形进行讨论,给出方溃坝和圆溃坝问题的数值模拟结果. 相似文献
107.
108.
This paper presents improved bounds for the norms of exceptional finite places of the group , where is an imaginary quadratic field of class number 2 or 3. As an application we show that .
109.
This paper has demonstrated that the Schwartz alternating process must converge if D-N alternating process has converged. Its technique is that the overlapping regions in Schwartz alternating process are considered as independent domains, then Schwartz alternating process could be transformed into D-N alter-nating process. Finally the convergence estimation of Schwartz alternating process could be obtained. The results show that its convergence rate is same as that of D-N alternating process. 相似文献
110.
S.J. Chung B. Karunagaran S. Velumani C.-H. Hong H.J. Lee E.-K. Suh 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2007,86(4):521-524
We have investigated the optical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures (x=0.08, 0.15, 0.33) grown by metal organic chemical vapor deposition on sapphire using photoluminescence
(PL) and persistent photoconductivity (PPC) measurements. For the AlxGa1-xN/GaN heterostructures (HS) containing high Al composition, we observed an anomalous temperature-dependent photoluminescence
and persistent photoconductivity effects. These results show a strong dependence of the physical properties of AlxGa1-xN/GaN HS on the Al content and layer thickness. The anomalous temperature-dependent PL is usually attributed to the presence
of carrier localization states. These phenomena are explained based on the alloy compositional fluctuations in the AlxGa1-xN/GaN HS. From the PPC measurements, the photocurrent (PC) quenching was observed for AlxGa1-xN/GaN HS and it is explained by the metastable states formed in the underlying GaN layer. Also, the mechanisms behind the
PC quenching and PPC phenomena are explained in detail.
PACS 72.20.Jv; 72.40.+w; 78.55.Cr 相似文献