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Hyperbranched aromatic and aliphatic poly(urea‐urethane)s were prepared by the one‐pot method using 2,4‐toluylene diisocyanate (TDI), isophorone diisocyanate, and 2(3‐isocyanatopropyl)cyclohexyl isocyanate as AA* monomers and diethanol amine and diisopropanol amine as B2B* monomers. The characteristics of the resulting polymers were very sensitive to slight changes in the reaction conditions, such as temperature, concentration, and type of catalyst used, as can be seen from the results of gel permeation chromatography and differential scanning calorimetry. The structures were analyzed in detail using 1H and 13C NMR spectroscopy. By using model compounds, the different isomeric structures of the TDI polymers were deduced, their percentages of their linear, terminal, and dendritic subunits were calculated, and their degree of branching (DB) was determined. DB values up to 70% were reached depending on the reaction conditions and stoichiometry of the monomers. The number of terminal groups decreased significantly when dibutylamine was used to stop the reaction instead of B2B*, indicating the presence of a significant number of unreacted isocyanate groups in the hyperbranched product when the polyaddition reaction was stopped. © 2004 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem 42: 3062–3081, 2004  相似文献   
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Starting from hexafluoroacetone-protected (S)-glutamic acid, trans-5-fluoropipecolic and 5,5-difluoropipecolic acid have been synthesized. The piperidine ring was constructed by an intramolecular metal carbenoid NH insertion.  相似文献   
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The use of enriched stable isotopes combined with modern epitaxial deposition and depth profiling techniques enables the preparation of material heterostructures, highly appropriate for self- and foreign-atom diffusion experiments. Over the past decade we have performed diffusion studies with isotopically enriched elemental and compound semiconductors. In the present paper, we highlight our recent results and demonstrate that the use of isotopically enriched materials ushered in a new era in the study of diffusion in solids, which yields greater insight into the properties of native defects and their roles in diffusion. Our approach of studying atomic diffusion is not limited to semiconductors and can be applied also to other material systems. Current areas of our research concern the diffusion in the silicon-germanium alloys and glassy materials such as silicon dioxide and ion conducting silicate glasses.  相似文献   
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