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991.
In high temperature superconductors (HTSC), when magnetic relaxation approaches the equilibrium state and the superconductor
is applied with current, theE × j relation is calculated by considering both forward and backward hopping of thermally activated flux (where backward hopping
means hopping from the barriers with low energy to the ones with high energy). It is pointed out that the InE× Inj curve shows positive curvature. And the results are compared with other models. The discussion on the topic that whether
p approaches zero asj → 0 is carried out. 相似文献
992.
Analysis of the geometric properties of a mean-field HP model on a square lattice for protein structure shows that structures with a large number of switchbacks between surface and core sites are chosen favorably by peptides as unique ground states. Global comparison of model (binary) peptide sequences with concatenated (binary) protein sequences listed in the Protein Data Bank and the Dali Domain Dictionary indicates that the highest correlation occurs between model peptides choosing the favored structures and those portions of protein sequences containing alpha helices. 相似文献
993.
提出了两种视场偏移哈特曼波前传感器,用于探测白天条件下强背景中目标信号的波前信息.给出了哈特曼波前传感器子孔径中焦面上天光背景非均匀性分布特征的实验结果,详细分析了基于分光棱镜的双焦面视场偏移哈特曼波前传感器的探测误差,并通过基于倾斜镜的单焦面视场偏移哈特曼波前传感器实验给出了波前测量的结果,证明视场偏移哈特曼波前传感器能够精确、稳定的测量白天条件下目标信号的畸变波前信息,同时给出了其在白天条件下探测能力的估算结果及其受限因素,估算结果表明云南天文台的自适应光学系统在10 W/m2·sr天光背景条件下应用视场偏移哈特曼波前传感器能对5等星(可视星等值)目标进行准确的波前探测.
关键词:
自适应光学
波前传感器
白天工作
误差分析 相似文献
994.
在Ag38.5Cu33.4Ge28.1三元共晶合金的深过冷实验中,获得的最大过冷度为175 K(0.22TE). XRD分析表明,不同过冷条件下其共晶组织均由(Ag),(Ge)和η(Cu3Ge)三相组成. 在小过冷条件下,三个共晶相协同生长,凝固组织粗大.随着过冷度的增大,共晶组织明显细化,(Ge)相与其他两相分离,以初生相方式生长,而(Ag)相与η相始终呈二相层片共晶方式共生生长. 当过冷度超过80 K时,初生相(Ge)由小过冷时的块状转变为具有小面相特征的枝晶方式生长. 部分小面相(Ge)枝晶出现规则的花状,花瓣数介于5—8之间,并且过冷度越大(Ge)相越容易分瓣. 花状(Ge)枝晶的晶体表面为{111}晶面簇,择优生长方向为〈100〉晶向族.
关键词:
三元共晶
晶体形核
深过冷
快速凝固 相似文献
995.
996.
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的AlGaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148V,表明了场板对提高击穿电压有显著作用(3倍以上).接着,比较了FP-HEMT器件与常规HEMT器件,钝化后HEMT器件在应力前后的电流崩塌程度,得出了采用场板结构比之钝化对器件抑制电流崩塌有更明显作用的结论.从理论上和实验上都表明,采用场板结构能够很好解决提高击穿电压与抑制电流崩塌之间的矛盾.
关键词:
GaN
场板
击穿电压
电流崩塌 相似文献
997.
用时域有限差分法,给出光纤头近场区电场强度模的空间分布.讨论了当光纤纤芯分别取不同尺寸时,对此空间光场强度的影响.要想得到较大范围的暗中空光束,必须增加光纤纤芯尺寸.并且,对光纤纤芯尺寸取一较大值和光纤中空区域尺寸取一较小值时的情况进行讨论,可得在光纤头附近可以出现与光纤中空区域尺寸大小相当的暗斑(101 nm量级).但是,暗中空光束中背景光较强.为此,将光纤的空心设计为金属. 发现此时中心暗斑的背景光明显减弱,在近场区域可获得较为理想的暗中空光束.如进一步缩小光纤中空区域尺寸,可以在光纤头附近获得暗斑更小甚至纳米量级的暗中空光束.为获得一种纳米量级的暗中空光束提供一种方法. 相似文献
998.
999.
The rapid solidification of Sb60Ag20Cu20 ternary alloy was realized by high undercooling method, and the maximum undercooling is up to 142 K (0.18TL). Within the wide undercooling range of 40-142 K, the solidified microstructures are composed of (Sb), θand ε phases. High undercooling enlarges the solute solubility of (Sb) phase, which causes its crystal lattice to expand and its crystal lattice constants to increase. Primary (Sb) phase grows in two modes at small undercoolings non-faceted dendrite growth is the main growth form; whereas at large undercoolings faceted dendrite growth takes the dominant place. The remarkable difference of crystal structures between (Sb) and θphases leads to (θ Sb) pseudobinary eutectic hard to form, whereas strips of θform when the alloy melt reaches the (θ Sb) pseudobinary eutectic line. The cooperative growth of θand ε phases contributes to the formation of (ε θ) pseudobinary eutectic easily. In addition, the crystallization route has been determined via microstructural characteristic analysis and DSC experiment. 相似文献
1000.