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131.
Eu3+离子在微晶玻璃研究中的探针作用   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
制备出单掺Eu3+离子的氟氧化物玻璃陶瓷系列样品,利用Eu3+离子作为荧光探针,通过热处理前后Eu3+离子发射光谱中电偶极子跃迁与磁偶极子跃迁强度比值的变化表征在玻璃材料中微晶是否形成,分析了Eu3+离子荧光发射谱中电偶极子跃迁与晶体场对称性的关系,进一步表征了稀土离子所处微晶晶格场的变化.  相似文献   
132.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制  相似文献   
133.
由大学多媒体教学实践所引发的深入思考   总被引:5,自引:0,他引:5  
多媒体技术是物理教学良好的辅助工具,多媒体技术的应用为大学物理教学开辟了一片广阔天地。它能大大增加物理教学的信息量,图形形象直观、生动活泼,有着传统教学无法比拟的优势,但是,多媒体技术使用不当也会给物理教学带来一些负面影响。  相似文献   
134.
High longitudinal selectivity of the shifting multiplexing with spherical reference wave is proposed and demonstrated. A simplified method based on wave optics is used for calculating the selectivity, and the result fits well the experimental measurement. Under the paraxial condition, a simple formula for the longitudinal selectivity is introduced. With use of an object lens with effective NA=0.817, we obtain that an FWHM of selectivity is as small as 1 μm.  相似文献   
135.
采用Monte Carlo模拟方法研究了多嵌段聚合物在A/B/嵌段聚合物三组份体系作为相容剂使用的有效性.占总体积19%的A组份在体系中为分散相.模拟结果显示了两嵌段和多嵌段聚合物在界面上的聚集行为,以及如何影响这个不相容体系的相形为.两嵌段聚合物趋于直立在相界面上,而多嵌段聚合物更容易横跨在相界面上并占据较大的界面积.从而导致多嵌段聚合物更有效的阻止体系相分离的发生.  相似文献   
136.
Let A and B be two finite subsets of a field . In this paper, we provide a non-trivial lower bound for {a+b:aA, bB, and P(a,b)≠0} where P(x,y) [x,y].  相似文献   
137.
采用水雾化方法制备Fe7Al4Sn2P10C2B4Si4合金粉末,研究发现该合金具有强的非晶形成能力和高热稳定性,在粉末粒度小于400目时可以形成非晶态合金.采用该非晶粉末制备的磁粉芯在高频下品质因数显著高于MPP粉芯,说明该磁粉芯高频损耗较低.分析表明,非晶合金磁粉芯高频下损耗低的主要原因是电阻率较高.  相似文献   
138.
139.
为了让临床医生更方便地使用M eta分析方法,我们根据四格表数据特点,提出了一种基于固定效应模型的简明方法。该方法简单而容易操作,且统计结果与原方法完全等价,在循证医学领域很有推广价值。  相似文献   
140.
采用反应射频磁控溅射方法,在Si (100) 基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用 原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度 对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱 和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示, 在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500 ℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范 围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时 ,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不 同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对 紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因 素. 关键词: ZnO薄膜 表面形貌 微观结构 光学常数  相似文献   
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