低温生长Cu(InGa)Se2薄膜吸收层的掺钠工艺研究

在柔性聚酰亚胺衬底上低温制备Cu(In,Ga)Se₂薄膜太阳能电池, Na的掺入会改善电池特性, 但不同的掺Na工艺对Cu(In,Ga)Se₂薄膜和器件特性的改善机理不同. 本实验通过对比前掺NaF和后掺NaF工艺发现, 在前掺Na工艺下, 由于Na始终存在于Cu(In,Ga)Se₂薄膜生长过程中, Na存在于多晶 Cu(In,Ga)Se₂ 薄膜晶界处, 起到了扩散势垒的作用, 导致晶粒细碎、加剧两相分离, 同时减小了施主缺陷的形成概率; 而在后掺Na工艺下, 掺入的Na对薄膜的结构及生长不产生影响, 仅仅起到了钝化施主缺陷、改善薄膜缺陷态的作用. 同时, 研究表明, 后掺Na工艺中, NaF必须依靠外界能量辅助才能扩散进Cu(In,Ga)Se₂内部, 实验结果证实, 只有衬底温度达到350 ℃以上时, 掺入的NaF才能较好地改善薄膜特性. 最终经掺Na工艺的优化, 得到低温工艺制备的柔性聚酰亚胺衬底器件效率达10.4%.     

非晶态NdxT1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜的低温磁性

本文讨论了非晶态Nd_xT_1-x(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。 关键词：     

α-AlPO4晶体弹性温度特性的研究

研究了用缓慢升温法生长的α-AlPO₄晶体的弹性温度特性。测量采用传输法,测温范围为-30—150℃;用最小二乘法拟合弹性-温度曲线;用电子计算机处理数据。给出了弹性常数c_ij和s_ij(i,j=1,2,…,6)的温度特性方程以及T₀=25℃时的一级、二级和三级温度系数。 关键词：     

外延YIG膜中激发磁模的精细结构

用激发磁波的方式在面内磁化的外延YIG膜上得到了一组等间距、慢衰减的磁模。考虑到磁化强度在模内不均匀性及进动为椭圆进动,导出了模式间距和磁性参数间的关系。和实验比较可以推算出表征不均匀的参数。对于我们的样品,该不均匀性约为2.6—5.8％。 关键词：     

辐射量热计在HT-6BTokamak上的测量

一、引言 在现行的托卡马克实验中,辐射损失和中性粒子损失是高温等离子体能量损失的主要通道之一。为了更好地了解托卡马克等离子体中能量平衡、辐射损失以及这些损失随等离子体参数的变化;了解等离子体中杂质含量和杂质输运以及等离子体与器壁的相互作用,辐射能量损失的时间特性、空间分布的测量显得很有必要。为     

一类新的求全局优化问题的填充函数

填充函数方法是一种寻找全局极小解的有效方法.本文首先对现有的填充函数进行研究分析,然后构造出一类新的填充函数,设计算法,并通过数值试验验证了该函数和算法的有效性.     

ICP—AES法测定人体胎盘血清中15种微量元素

用ICP-AES法测定了人体胎盘血清中15种微量元素。本法具有灵敏度较高,校正曲线的线性范围宽,基体效应小,尤其是进样量少等优点。本法可同时测定多种元素。     

利用X射线衍射研究冲击波合成纤锌矿型氮化硼

 用X射线衍射法，对不同结晶度的石墨型氮化硼（gBN）在冲击波作用下转变成的纤锌矿型氮化硼（wBN）产物进行了研究，对wBN中的杂质含量等进行了分析。结果表明：gBN的石墨化指数G.I值对wBN的产率有明显的影响。