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151.
This paper presents an experimental study of minority carrier lifetime and recombination mechanisms in HgCdTe photodiode. The excitation light source is a wavelength-tunable pulsed infrared laser. A constant background illumination has been introduced to minimize the effect of the junction equivalent capacitor and resistance. The decay of the photo-generated voltage is recorded by a storage oscilloscope. By fitting the exponentially decay curve, the time constant has been obtained which is regarded as the photo-generated minority carrier lifetime of the HgCdTe photodiode. The experimental results show that the carrier lifetime is in the range of 18–407 ns at 77 K for the measured detectors of four Cd compositions. It was found that the Auger recombination process is more effective for low Cd composition while the radiative recombination process became more important for high composition materials. The Shockley–Read–Hall recombination processes could not be ignored for all Cd composition. 相似文献
152.
理论研究了有ITO(indium tin oxide)透明导电膜的多层平面分层介质系统的电磁性能,给出的理论曲线和实测曲线符合很好.多层平面分层介质系统的电磁性能与ITO膜(方块电阻为8Ω)所在界面位置和平面分层介质系统层数及各层厚度等有关.优化设计了一种含有ITO透明导电膜的厚度仅7.35mm的四层平面分层介质系统,其在8—18GHz频段内电磁波反射性能很好.作为多层平面分层系统中的ITO导电膜,其方块电阻应低于30Ω,并且越小,其反射性能越好.
关键词:
多层平面介质系统
电磁性能
ITO透明导电膜 相似文献
153.
Bai JZ Ban Y Bian JG Chen AD Chen HF Chen HS Chen JC Chen XD Chen YB Cheng BS Chi SP Chu YP Choi JB Cui XZ Dai YS Dong LY Du ZZ Dunwoodie W Fu HY Fu LP Gao CS Gu SD Guo YN Guo ZJ Han SW Han Y Harris FA He J He JT He KL He M He X Hong T Heng YK Hu GY Hu HM Hu QH Hu T Huang GS Huang XP Huang YZ Izen JM Ji XB Jiang CH Jin Y Jones BD Kang JS Ke ZJ Kim HJ Kim SK Kim TY Kong D Lai YF Li D Li HB Li HH Li J Li JC Li PQ Li QJ Li RY Li W Li WG Li XN Li XQ Liu B Liu F Liu F Liu HM Liu J Liu JP Liu TR 《Physical review letters》2002,88(10):101802
We report values of R = sigma(e(+)e(-)-->hadrons)/sigma(e(+)e(-)-->mu(+)mu(-)) for 85 center-of-mass energies between 2 and 5 GeV measured with the upgraded Beijing Spectrometer at the Beijing Electron-Positron Collider. 相似文献
154.
研究腔靶辐射温度与靶型及激光辐照条件的关系.实验利用神光Ⅱ基频光,激光能量为3—5kJ8束,脉宽为0.6—0.9ns打Au腔靶.采用滤片x射线二极管(XRD)阵列谱仪及平响应x射线二极管(PXRD)分别测量腔靶诊断口辐射软x射线强度谱及其角分布,给出了等效辐射温度为140—180eV.同时,利用多针孔时、空分辨成像技术,观测诊断口发射软x射线时空特性,实验现象表明两种诊断口(衬Be环与无Be环)在160—170eV辐射温度条件下,辐射烧蚀产生的等离子体云均对腔内发射x射线流形成一定程度的阻挡作用,数据处理 相似文献
155.
Naito O Cui Z Ide S Suzuki T Oikawa T Seki M Hatae T Fujita T Kondoh T Shirai H Ikeda Y Ushigusa K 《Physical review letters》2002,89(6):065001
Evolution of the lower-hybrid(LH)-driven current profile was measured during the formation of an internal transport barrier (ITB) in a reversed magnetic shear discharge. As the ITB developed, the initially centrally peaked LH-driven current profile gradually turned hollow and was sometimes accompanied by an off-axis peak in the electron temperature profile. These observations indicate the concentration of LH power deposition to the ITB for this case as a result of nonlinear coupling between the LH waves and the target plasma. 相似文献
156.
157.
158.
159.
Bistatic scattering by arbitrarily shaped objects with rough surface at optical and infrared frequencies 总被引:2,自引:0,他引:2
The scattering cross sections for arbitrarily shaped dielectric objects with rough surface are determined for optical and infrared frequencies using the Kirchhoff approximation. The formula of the coherent scattering cross section is derived, and numerical method of incoherent scattering cross section is given. As a specific example, the infrared laser scattering cross sections of rough spheres are calculated at 1.06 m. 相似文献
160.
腔靶转换区辐射温度测量及定标关系 总被引:4,自引:1,他引:4
对近年来的激光腔靶实验的辐射温度作了综合分析和研究。对多种不同类型的柱型腔靶,在波长1.06μm的各种激光条件(不同的能量和脉宽)下,测量了腔靶转换区的辐射温度,并研究了辐射温度作为入腔激光能量、脉宽及腔靶转换区内表面积函数的定标关系。 相似文献