晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布

利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...     

盐酸去氯羟嗪和盐酸氯丙那林的毛细管电泳-电致化学发光法同时测定

基于盐酸去氯羟嗪和盐酸氯丙那林都能增强联吡啶钌的电致化学发光信号,建立了一种分离检测海珠喘息定片中盐酸去氯羟嗪和盐酸氯丙那林的毛细管电泳-电致化学发光新方法.考察了联吡啶钌浓度、检测电位、磷酸盐缓冲液(PBS)浓度及其pH值、进样电压和进样时间等实验条件对分离、检测体系的影响.在优化的实验条件下,海珠喘息定片中的盐酸去氯羟嗪和盐酸氯丙那林在4 min内可实现分离检测.其线性范围均为5×107～1 × 10-5mol/L(相关系数分别为0.998 4和0.999 0),检出限分别为1.05×10-7mol/L和6.98×10-8mol/L(S/N=3).     

层层自组装聚电解质用于聚二甲基硅氧烷/玻璃微流控芯片修饰的研究

首次将聚丙烯氯化铵和聚丙烯酸通过静电吸附作用层层组装于聚二甲基硅氧烷／玻璃芯片内部,修饰后的芯片电渗流（EOF）随pH值的变化较小,具有较好的重复性和稳定性,EOF在2周内的变化率为1．58％。该芯片已经用于牛血清白蛋白（BSA）和胰岛素（insulin）的分离,BSA和胰岛素在20S内得到了有效的分离,修饰后的芯片对BSA和胰岛素的理论塔板数分别为4．99×10^4／m,1．69×10^5／m,分离度为2．17;而未修饰的芯片对BSA和胰岛素的理论塔板数分别为4．65×10^3／m,4．13×10^4／m,分离度为1．32。该修饰方法可以有效抑制蛋白的吸附和样品峰拖尾的现象。     

油品对DMCC甲醛排放的比较研究

为了研究甲醇燃料发动机尾气中甲醛的排放特征,在一台经过改装的组合燃烧发动机上,采用标准测试柴油(TF)和普通市场柴油(MF)进行了实验,比较了燃用不同油料时的甲醛排放特征.实验结果表明;在相同甲醇掺烧比时,两种油料均是在低负荷时甲醛排放最高,在中负荷时最低,在高负荷时甲醛排放居中,三种负荷下MF甲醛排放均比TF高;此外,实验还对比了相同负荷、不同甲醇掺烧比时的甲醛排放,均表现出MF的甲醛排放比TF高,在高负荷下甚至达到2.5倍;实验还表明单纯的依靠氧化催化转化器不能有效降低甲醛排放.     

缩酚酸醚类化合物的电喷雾多级串联质谱研究

采用电喷雾多级质谱方法, 研究了三个从地衣中提取到的缩酚酸醚类化合物在电喷雾电离质谱中的裂解行为, 结果表明它们在电喷雾多级质谱中能得到较多碎片离子, 其裂解途径能体现它们的基本结构特征.     

酰基硫脲衍生物的合成、结构表征及生物活性研究

在超声波辐射下, 以PEG-400为固-液相转移催化剂, 用芳胺与双酰基异硫氰酸酯反应, 合成出了15种新的结构不对称的双酰基硫脲类化合物(6和6')和9种新的分子中含酰胺基团的单酰基硫脲类化合物(7和7'). 利用元素分析, IR, ¹H NMR, ¹³C NMR, APT, 1D NOE及2D NMR技术确定了所合成化合物6和6'及7和7'的结构, 并对它们NMR谱中低场C, H进行了归属. 杀菌、杀虫和除草活性筛选测定实验结果表明, 所测试化合物对瓜炭疽病菌均具有抑制作用, 其中6e抑制率最高, 达到62.4%; 目标化合物7a对黄瓜白粉病菌有一定的抑制作用. 单胺氧化酶活性测定实验表明：大部分目标化合物对单胺氧化酶具有一定的抑制活性, 其中浓度在1×10^－3 mol•L^－1时目标化合物6'c和6'd的抑制活性较强, 明显高于其它化合物. 目标化合物没有抗惊厥活性.     

水中硝基苯胺类化合物酶免疫化学分析技术研究

采用戊二醛法, 将4-硝基苯乙胺与牛血清蛋白(BSA)和卵清蛋白(OVA)共价偶联, 分别合成了免疫原4-硝基苯乙胺-BSA和包被原4-硝基苯乙胺-OVA, 经紫外分光光度计及飞行时间质谱扫描鉴定. 用合成的免疫抗原免疫新西兰大白兔, 并用合成的包被原进行间接竞争酶联免疫(ELISA)试验, 获得的抗血清效价达1∶32000. 方阵实验确定了包被抗原最佳浓度(0.5 mg/L)及抗血清最佳稀释度(1∶6000), 并建立了间接竞争ELISA方法. 工作曲线表明在1～1000 μg/L浓度范围内呈良好的线性关系, 该法IC₅₀值为(52.73±2.67) μg/L, 检测限为5.12 μg/L. 其它类似结构不干扰硝基苯胺的测定. 成功地建立了硝基苯胺类化合物的间接竞争酶免疫化学分析方法．     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…     

聚乙烯亚胺修饰磁性纳米材料固相萃取-火焰原子吸收光谱法测定水样中痕量Mo(Ⅵ)

以聚乙烯亚胺(PEI)和二氧化硅包覆四氧化三铁(SiO2-Fe3O4)为原料,通过加热搅拌,制备了聚乙烯亚胺修饰磁性纳米材料(PEI-SiO2-Fe3O4).利用红外光谱、扫描电镜和振动样品磁强计对PEI-SiO2-Fe3O4进行了表征.将PEI-SiO2-Fe3O4作为吸附剂应用于Mo(Ⅵ)的磁固相萃取,结合火焰原子...     

带光纤环的分布式光纤拉曼温度系统

 为了抑制分布式光纤拉曼温度系统的温漂和瑞利散射光窜扰反斯托克斯散射光,在传感光纤前端盲区后放置光纤取样环,用瑞利散射光解调反斯托克斯散射光及用光纤取样环的温度计算光纤线上其它点的温度,提高了系统的测温精度和稳定性。采用功率100 mW,波长1.55 μm,脉宽10 ns脉冲激光器和15 dB前置光纤放大器,100M14bitA/D转换卡及DSP作数字平均构建光纤拉曼温度系统的实验,实现了测温误差在±0.03 ℃内。