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41.
利用不完全自锁模激光研究C60的反饱和吸收效应 总被引:2,自引:1,他引:2
本文报道首次采用色心晶体的不完全自锁模激光(1064nm)对C60分子反饱和吸收效应的研究,实验结果与采用平均过程的研究方法是一致的,文中还讨论了C60分子反饱和吸收效应产生的原因。 相似文献
42.
43.
44.
本文基于密度泛函理论计算分析了手性参数为(17,0)、(20,0)、(26,0) (10,10)、(12,12)、(15,15)的碳化硅纳米管的能带图,态密度及主要光学性质。结果表明:锯齿型与扶手椅型碳化硅纳米管均具有明显的半导体性质;在相近直径下,扶手椅型碳化硅纳米管带隙宽度要大于锯齿型碳化硅纳米管的带隙宽度;碳化硅纳米管的光吸收峰在100nm~200nm之间,可用于制作紫外线探测器件。 相似文献
45.
采用基于密度泛函理论方法系统地研究了单个NO和CO小分子在非金属(B和N)与金属Ni原子共掺杂石墨烯(Bx-Ny-gra-Ni,x+y=0,1,2,3)表面的吸附特性,分析了吸附气体小分子的几何结构,吸附能,电荷转移量以及引起体系磁性变化等情况.研究结果表明:NO和CO倾向于吸附在Ni原子的顶位,B和N掺杂原子的数量和比例能够有效地调制小分子的吸附强度;与吸附的CO分子相比,Bx-Ny-gra-Ni表面吸附的NO分子能获得较多的电荷,进而表现出高的稳定性.此外,利用吸附的气体小分子与衬底间相互作用强度和灵敏性的差异、以及引起反应衬底的磁性变化将为设计石墨烯基气敏、催化和电子器件提供重要参考. 相似文献
46.
Guangming Xie Shigeru Kobayashi Hidetoshi Marubayashi Nicolea Popescu Constantin Vraciu 《Results in Mathematics》2003,43(3-4):373-379
We consider extensions of a total valuation ring V of a skew field K to the Ore extension K(X;σ, δ) for an endomorphism σ of K and a σ-derivation δ. It is shown that there exists an extension R of V with X ∈ R, such that ${\overline X}$ is transcendental over V/J(V) if and only if (σ,δ) is compatible with V, where ${\overline X} = X + J(R^(1))$ . In the case V is invariant, it is established that there is an invariant extension R of V in K(X;σ,δ) such that ${\overline X}$ is transcendental if and only if σ(a)V = aV and δ(a) ∈ aV for all a ∈ K. 相似文献
47.
The problem of generating a matrix A with specified eigen‐pair, where A is a symmetric and anti‐persymmetric matrix, is presented. An existence theorem is given and proved. A general expression of such a matrix is provided. We denote the set of such matrices by ??????En. The optimal approximation problem associated with ??????En is discussed, that is: to find the nearest matrix to a given matrix A* by A∈??????En. The existence and uniqueness of the optimal approximation problem is proved and the expression is provided for this nearest matrix. Copyright © 2002 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
48.
49.
给出了用LMTO-ASA方法计算的共价晶体β-SiC的电子结构和物态方程。其压缩比σ=1.0~2.5。我们在维格纳-赛兹原胞中放入两个空球来模拟原子球的密堆积效果。结果表明,对于开结构体系晶体物性的计算,本方法也是适用的。 相似文献
50.