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991.
椰胡是具有地方特色的拉弦乐器之一,多用于演奏广东音乐和广东戏曲、曲艺的伴奏。但对其发声强度一直未进行过科学的测试。本文介绍在华南理工大学半消声室内参照ISO(GB)标准对椰胡声功率级的测量工作。由两位资深乐师分别用两把椰胡在pp,mp,f和ff力度下演奏单音、音阶和乐曲,对每一把椰胡的每一测试内容,由十通道测试设备同步测试中心频率为100~10000 Hz的1/3倍频带声压级谱,通过计算获得每把椰胡在演奏每项内容时的声功率级和动态范围。通过对两把椰胡的测试结果进行平均,获得该乐器在演奏上述内容时的典型声功率级数值及频谱。文中并将半消声室内的测试结果与混响室内的测试结果相对比,探讨测试环境对测试结果的影响。民族乐器发声强度及其频谱特性的获得是开展民族音乐厅堂音质研究的基础。 相似文献
992.
我们利用单杂质Anderson模型及运动方程等理论,通过求解格林函数的方法研究了通过T型量子点结构(耦合于铁磁电极和介观环量子点结构)的自旋极化输运过程.研究结果表明,与量子点相耦合的铁磁电极中的极化强度是控制量子点电子输运的重要参数,由此可以达到自旋阀效应.另外我们还发现与量子点相耦合的介观环中的磁通会影响电子自旋向上和自旋向下近藤共振峰的分裂程度,但若加入适当的外磁场,那么这样的分裂将被抵消。 相似文献
993.
在地面实验中磁约束等离子体推进器磁体系统是靠四个NbTi低温超导磁体提供磁场,现在设计依靠G-M制冷机传导制冷的由Bi2223超导带材绕制成的四个高温超导磁体替代以前的四个低温超导磁体.本文利用ANSYS有限元分析软件进行电磁计算,得出高温超导磁体的参数。 相似文献
994.
995.
为了获得能输出中红外荧光的理想基质玻璃,用熔融急冷法制备了系列不同Er3+离子掺杂浓度的Ge-Ga-S-KBr硫卤玻璃,测试了样品折射率、吸收光谱、中红外荧光光谱.通过吸收光谱计算了Er3+离子吸收谱线的振子强度,应用Judd-Ofelt理论计算分析了Er3+离子在Ge-Ga-S-KBr硫卤玻璃中的强度参量Ωi(i=2,4,6)、自发辐射跃迁几率A、荧光分支比β等光谱参量.研究了808nm激光抽运下样品中红外荧光特性与掺杂浓度之间变化关系,并用Futchbauer-Ladenburg公式分别计算了2.8μm处的受激发射截面.结果表明,在808nm激光抽运下观察到了2.8μm中红外荧光,对应于Er3+:4I11/2→4I13/2跃迁,当Er3+离子掺杂浓度从0.4wt%增加到1.0wt%时,中红外荧光强度相应增加,计算的Er3+:4I11/2能级的多声子驰豫速率为37s-1. 相似文献
996.
997.
在理论上通过推导得出了Black-Litterman模型(B-L模型)最优权重与信心水平的关系式.实证部分开创性地将多元时间序列VEC模型运用到B-L模型的观点收益预测中.结果表明:且通过向量误差修正模型,实证取得了较好的效果.在任意一种做空限制下,随着信心水平在0%~70%水平上升,收益率有连续上升的趋势,并逐渐趋稳;风险有并不明显的下降的趋势.对同一信心水平而言,随做空限制的放宽,收益率有上升趋势. 相似文献
998.
为获得传感器的优化设计,对一种声表面波梁式加速度传感器敏感机理进行了研究。从声波波动方程出发,结合有限元分析以及微扰理论对加速度作用力作用下声表面波传播特性进行分析,以此构建梁式声表面波加速度传感器敏感机理的理论模型,特别分析了压电梁材料及几何结构、振子质量对传感响应的贡献以确定传感器优化的几何参数。为验证理论分析结果,实验研制了基于ST-X石英悬臂梁结构的差分振荡式声表面波加速度传感器,并利用精密振动台对所研制传感器性能进行评价。实验结果显示,在给定加速度测试范围内,采用ST-X石英梁并延长梁长度、降低梁厚度以及采用较大的阵子质量将有效的改善传感器检测灵敏度,在±2 g范围内加速度灵敏度可达27 k Hz/g,且实验结果很好的验证了理论模型。 相似文献
999.
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2 μm,栅宽(Wg)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(Lgs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(Lgd)之间的距离为10 μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20~+12 V。在栅压Vgs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (Wg=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当Vds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (Wg=0.9 mm,Vgs=+10 V)。在Vgs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。 相似文献
1000.
沉积岩中放射性元素铀、钍、钾的含量主要取决于岩石中泥质的含量,而泥质含量的高低是判别沉积岩类别的主要依据,因此,可以将铀、钍、钾的比活度或含量值作为判别沉积岩岩类的量化指标。利用低本底伽马能谱法测量岩石样品中铀、钍、钾的比活度或含量,可以快速、准确地进行岩类判别。由于放射性测量受样品几何形状、样品质量及其所含水分含量变化的影响,因此岩类判别的准确性会受到影响。通过理论探讨和实验验证,发现各待测核素特征峰计数率值与样品质量成线性关系, 且不同的能量区域、不同的岩性,线性关系系数与趋势拟合程度都是不同的;当样品的水分含量不超过10%(取样时,岩屑水分不超过10%)时,对测量结果的影响很小(变化值均在一倍均方差以内),因此,水分含量对低本底伽马能谱法判别沉积岩岩类的准确性不产生显著的影响,一般可以不予考虑。对陕西定边某油气勘查区钻孔岩屑样品进行判别试验,对实测数据进行质量校正后,利用铀、钍、钾道的“归一化”计数率值(即单位质量的计数率)只能粗略地划分不同沉积岩的大类,再以铀、钍、钾特征峰的合峰计数率建立综合判别模式,能够对岩类进行进一步细分,且判别准确度达到75%以上。 相似文献