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31.
Lu Chuanrong 《数学年刊B辑(英文版)》1997,18(1):71-78
Let $\{\xi_{\bold t}, {\bold t}
\in {\bold Z}^d\}$ be a nonuniform $\varphi$-mixing strictly stationary
real random field with
$E\xi_{\bold 0}=0, E|\xi_{\bold 0}|^{2+\delta}<\infty$ for some
$0<\delta<1$. A sufficient
condition is given for the sequence of partial sum set-indexed process
$\{Z_n(A),\ A\in \Cal A\}$ to converge to Brownian motion. By a direct
calculation, the author shows
that the result holds for a more general class of set index ${\Cal A}$, where
${\Cal A}$ is assumed only to have the metric entropy exponent $r, 0相似文献
32.
33.
34.
固体力学有限元体系的结构拓扑变化理论 总被引:2,自引:1,他引:1
本文是文[1]的继续.文[1]提出了杆件系统的结构拓扑变化理论和拓扑变化法本文将这一理论和方法推进到连续体有限元体系;且在此基础上揭示出有限元体系的一个新性质,称为基本位移之梯度的正交性定理,从而给出一套设计敏度的显式表达式,可直接用于计算. 相似文献
35.
Ma Jiangle Yang Hong-shen Zhang Zhongxi Lu Zhong-zuo 《International Journal of Infrared and Millimeter Waves》1993,14(5):1069-1076
A simple method is introduced to improve the analysing accuracy of circular groove guide. With this method, the characteristic equation of circular groove guide is derived and its solution is given and discussed.The Project Supported by National Natural Science Foundation of P.R.China 相似文献
36.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。 相似文献
37.
Clifford 分析中一个带位移的非线性边值问题 总被引:23,自引:0,他引:23
■Gilbert,黄沙、李生训等人对 Clifford 分析中函数性质作了一系列研究.1987年徐振远讨论了实 Clifford 分析中一个基本的边值问题,1989年黄沙、李生训利用陆启铿关于多复变函数于典型域上的调和分析的结果,研究了复 Clifford 分析中的拟变态Dirichlet 边值问题.1990年黄沙研究实 Clifford 分析中一种边值问题. 相似文献
38.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
39.
Jian Shen Huizhong Zeng Zhihong Wang Shengbo Lu Huidong Huang Jingsong Liu 《Applied Surface Science》2006,252(22):8018-8021
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon. 相似文献
40.
The quantum states are presented in these processions of fabricating poly-Si films. Amorphous silicon films prepared by PECVD has been crystallized by conventional furnace annealing (FA) and rapid thermal annealing (RTA), respectively. It is found that the thin films grain size present quantum states with the increasing of the gas flow ratios of SiH4, H2 mixture, substrate temperatures, frequency power, annealing temperature and time. 相似文献