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81.
利用人体血清240 nm激发波长荧光光谱在220~900 nm波段针对血糖浓度进行建模分析。在模拟退火算法和偏最小二乘算法的基础上进行建模波长变量筛选方法的改进。基于变量入选模型统计频率和无关变量消除法,分别进行了波长的初选和精选过程。同时,加入了主成分数自适应特性等加快收敛速度、减小计算量的措施。该模型对比了线性、三次样条函数、高斯函数作为偏最小二乘法插入基函数的情况下,分别对原始光谱、Daubechies小波分解第三层和第四层细节信号光谱建模。结果显示,该模型避免了主成分参数尝试导致的时间成本,在参数自适应的过程中很快趋于稳定并得到对应条件下的最佳建模主成分数。其波长变量筛选能力使得对独立样本的分析预测效果有了显著的提升,最佳建模预测效果达到0.25 mmol·L-1,达到了血糖检测的医用要求。加入了非线性建模条件使得模型有明显的改善,基于样条函数的效果总体最好,其次为基于高斯函数的情况。对原始光谱进行小波分解,得到的细节信号光谱建模效果更为可观。总体而言第四层细节信号光谱建模效果略优于第三层细节信号光谱。模型筛选波长变量的频率意味着在所给实验条件下的血糖浓度信息在不同波段的分布情况,这为血糖在血清成分中的物理化学特性提供了一定程度上的统计解释。 相似文献
82.
Highly Efficient Simplified Organic Light-Emitting Diodes Utilizing F4-TCNQ as an Anode Buffer Layer 下载免费PDF全文
We demonstrate that the electroluminescent performances of organic light-emitting diodes (OLEDs) are significantly improved by evaporating a thin F4-TCNQ film as an anode buffer layer on the ITO anode. The optimum Alq3-based OLEDs with F4-TCNQ buffer layer exhibit a lower turn-on voltage of 2.6 V, a higher brightness of 39820cd/m^2 at 13 V, and a higher current efficiency of 5.96cd/A at 6 V, which are obviously superior to those of the conventional device (turn-on voltage of 4.1 V, brightness of 18230cd/m^2 at 13 V, and maximum current efficiency of 2.74calla at 10 V). Furthermore, the buffered devices with F4-TCNQ as the buffer layer could not only increase the efficiency but also simplify the fabrication process compared with the p-doped devices in which F4-TCNQ is doped into β-NPB as p-HTL (3.11 cd/A at 7 V). The reason why the current efficiency of the p-doped devices is lower than that of the buffered devices is analyzed based on the concept of doping, the measurement of absorption and photoluminescence spectra of the organic materials, and the current density-voltage characteristics of the corresponding hole-only devices. 相似文献
83.
利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n-(PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6V升至14V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8cd/A(4.35mA/cm2),最高亮度为16800cd/m2(14V). 相似文献
84.
利用通信波段双通道单光子探测器,采用Hanbury Brown-Twiss关联测量方案,理论分析并实验测量了光反馈半导体激光器产生的混沌光场的光子统计分布及不同混沌状态光场的二阶相干度.通过对混沌光场二阶相干度g~((2))(τ)的理论分析,得出随着延迟时间和相干时间的变化,其与相干光、热光及单光子态的二阶相干度可明显区分并呈现出不同分布.同时实验上产生了频谱宽度6.7 GHz的混沌光场,测量了不同光子数分布的结果,并用高斯随机分布、泊松分布、玻色-爱因斯坦分布对光子数分布进行理论拟合,发现随着入射平均光子数的增加,光子数分布从玻色-爱因斯坦分布过渡到泊松分布,但整个过程都与高斯随机分布符合较好,且光场的二阶相干度g~((2))(0)由2降至1.通过改变偏置电流(I=1.0Ith-2.0Ith)和反馈强度(0—10%),实验上研究了混沌光场由低频起伏到相干塌陷的过程中不同状态宏观动力学特性与二阶相干度的对应关系.结果表明:混沌光场在此过程中始终呈现出明显的聚束效应,并在频谱宽度最大时达到最强;同时给出了光子计数测量中聚束效应减弱的物理原因.实验表明该系统及方法能很好地揭示不同状态混沌光场的光子统计特性. 相似文献
85.
Measurement and Analysis of Composition and Depth Profile of H in Amorphous Si1-xCx:H Films 下载免费PDF全文
Composition in amorphous Si1-xCx:H heteroepitaxial thin films on Si (100) by plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) is analysed. The unknown x (0.45-3.57) and the depth profile of hydrogen in the thin films are characterized by Rutherford backscattering spectrum (RBS), resonance-nuclear reaction analysis (R-NRA) and elastic recoil detection (ERD), respectively. In addition, the depth profile of hydrogen in the unannealed thin films is compared to that of the annealed thin films with rapid thermal annealing (RTA) or laser spike annealing (LSA) in nitrogen atmosphere. The results indicate that the stoichiometric amorphous SiC can be produced by PECVD when the ratio of CH4/SiH4 is approximately equal to 25. The content of hydrogen decreases suddenly from 35% to 1% after 1150℃ annealing. RTA can reduce hydrogen in SiC films effectively than LSA. 相似文献
86.
87.
88.
Within the heavy quark limit and the hierarchy approximation Λqcd << Md << Mb,we analyze the B→DOD-O and Bs→ DOD-O decays,which occur purely via annihilation type diagrams.As a rough estimate,we calculate their branching ratios and CP asymmetries in the perturbative QCD (PQCD) approach.The branching ratio of B→ DOD-O is about 3.8×10-5 that is just below the latest experimental upper limit.The branching ratio of Bs→ DOD-O is about 6.8 × 10-4,which could be measured in LHC-b.From the calculation,it is found that this branching ratio is not sensitive to the weak phase angle γ.In these two decay modes,there exist CP asymmetries because of the interference between weak and strong interaction.However,these asymmetries are too small to be measured easily. 相似文献
89.
α-SrMnO3电子结构的第一性原理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用平面波赝势方法对钙钛矿型锰酸盐氧化合物α-SrMnO3的电子结构进行了第一性原理研究. 六方钙钛矿型结构α-SrMnO3化合物为磁性绝缘体, 磁基态对应于共面八面体及共顶点八面体间的磁性交换作用均为反铁磁性(AFM), 其禁带宽度为1.6 eV; 费米能级附近的Mn3d态与O2p态存在很强的杂化作用, 属于共价绝缘体, 这种强共价性使得Mn4+的自旋磁矩偏离理想值. 采用Noodleman的对称性破缺方法, 根据α-SrMnO3不同磁有序态的总能量拟合出α-SrMnO3中的自旋交换耦合常数. α-SrMnO3的局部微结构(Mn—O—Mn)决定了整个体系的特殊磁性交换作用. 共面及共顶点的八面体间均存在AFM交换作用, 并且共顶点八面体间的AFM作用比较强. 相似文献
90.
介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源,研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性,并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论:对于斜坡式辐射源,增加电极间距可导致放电回路面积增大,因此等效电阻和等效电感也将增加;在相同电压及电容值条件下,斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值,但放电沉积效率略大;电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势,对于同一种辐射源,使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配,放电沉积效率得到提高。 相似文献