PARAFAC法解析太湖水体DOM三维荧光光谱

采用平行因子法(PARAFAC法)对太湖水样溶解性有机质(DOM)三维荧光光谱进行解析。通过比较因子数分别为3,4和5时,PARAFAC模型的核一致函数、 激发和发射光谱误差平方和、 各水样模拟的三维荧光光谱和残差谱图等情况,选择因子数为3作为太湖水样DOM三维荧光光谱PARAFAC模型的最佳因子数。太湖水样DOM的3类主要荧光组分分别是类腐殖质荧光物质、 类色氨酸荧光物质、 类酪氨酸荧光物质。     

ICP微等离子体射流在快速成形制造中的应用

本文开展了大气压甚高频感应耦合(ICP)微等离子体射流的特性与应用研究.在150 MHz甚高频,功率为90 W条件下获得温度高达上千度的温热等离子体射流,射流长度近3 cm.随着气流量的增加射流将呈现层流到湍流的转变,长度先增后减;而功率对于射流长度的影响存在着一个上限,当等离子体吸收的能量与扩散损失的能量达到平衡时,射流长度将达到最大.利用这种ICP微等离子体射流进行了微尺寸金属铜的快速成形制造,得到了球冠状和柱状铜金属件.在扫描电子显微镜下观察到沉积物表面最小颗粒尺寸远小于铜粉颗粒;X射线衍射结果显示沉积物表面存在弱氧化物峰,这是沉积过程中空气被射流卷入所致.     

场发射平板显示高低压电平转换电路

提出适用于场发射高压驱动的高低压电平转换电路设计及性能分析。通过模拟,此电路可以在100V的驱动工作电压以及10mA的驱动电流条件下安全工作,最高工作频率可达20MH_z。在50pF输出负载下上升时间和下降时间分别为14,25ns。同时分析了高压CMOS器件与0.8μm标准CMOS工艺兼容过程中的厚栅氧化对于低压器件及高压N管的阈值特性影响。     

食品玻璃化转变温度测量方法的比较

利用差示扫描量热仪用经过退火处理的连续扫描法、不经过退火处理的连续扫描法和分步扫描法,对20％和50％蔗糖水溶液的玻璃化转变温度进行了测量。结果显示,退火处理的连续扫描法测量结果最好,测得蔗糖水溶液的玻璃化转变温度大致为-34．6℃,Tg'不受退火温度和溶液浓度的影响。三种方法测得20％蔗糖水溶液的Tg'的差别不大。退火方法和不退火方法测得50％蔗糖水溶液的Tg'差别很大。用两种不同的连续扫描方法做了几组测新鲜西瓜汁玻璃化转变温度的实验,结果在-42--44℃之间。     

Elastic Transfer Reactions of 25MeV/u 6He on 9Be Target

Angular distributions for elastic transfer in the ⁶He+⁹Be system were measured at the incident ⁶He laboratory energy of E=150MeV. From a distorted-wave Born approximation (DWBA) analysis,³He spectroscopic amplitude in ⁹Be were extracted and compared with values obtained by shell model calculations. The result shows that the spectroscopic amplitude is much greater than 0.70.     

Beam-based calibrations of the BPM offset at C-ADS Injector Ⅱ

Beam-based BPM offset calibration was carried out for Injector II at the C-ADS demonstration facility at the Institute of Modern Physics(IMP), Chinese Academy of Science(CAS). By using the steering coils integrated in the quadrupoles, the beam orbit can be effectively adjusted and BPM positions recorded at the Medium Energy Beam Transport of the Injector II Linac. The studies were done with a 2 m A, 2.1 Me V proton beam in pulsed mode.During the studies, the "null comparison method" was applied for the calibration. This method is less sensitive to errors compared with the traditional transmission matrix method. In addition, the quadrupole magnet's center can also be calibrated with this method.     

Mechanisms of the pancake vortex and vortex line movement in the high Tc superconductors Bi2Sr2CaCu2O8+δand La1.93Sr0.07CuO4+δ

In the strict sense, it is not very clear why with magnetic field increasing, the normal-superconductive (NS) transition becomes broad for Bi2Sr2CaCu2O8+δ(Bi2212) while the NS transitions are almost parallel for La1.93Sr0.07CuO4+δ(La214). In this paper, R-T relations are measured by the six-probe method. We propose a moving mechanism of the pancake vortex and vortex line for Bi2212. The theoretical curves fit the experiment data well.     

全球变暖背景下温室效应的光谱能量分布分析

利用一维辐射传递方程及LBLRTM逐线积分模式建立计算模型,对工业革命前与目前大气构成情况下温室效应的能量分布及其光谱吸收机理进行分析,在保持温室气体浓度为当前水平的基础上,研究温室效应能量分布与地表温度之间的相互耦合机理.结果表明:工业革命前地球的温暖环境主要来自于大气温室气体的(100~370)cm^-1、(640~710)cm^-1以及(1370~2000)cm^-1三个强吸收带对于地球长波辐射的吸收,而地球当前的变暖则源自于大气的(370~640)cm^-1和(710~1370)cm^-1两个弱吸收带的作用,其对工业革命以来所额外增加的温室效应贡献分别达到了25%和55%;地表温度升高,温室效应在全波段范围内也会随之增强,但不同谱带处的温室效应贡献以地球平均温度所对应的辐射峰值波数为界线,峰值波数右侧的温室效应贡献将会增加,在其左侧的贡献比例则会减小.     

用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件

在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。