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961.
鉴于弱小目标检测所固有的难点及常用的单一分辨率下的检测方法还不能准确稳定地检测出目标,提出了一种弱小目标检测新方法。考虑到实际应用中的复杂背景和大量干扰噪声,运用数据融合技术,先对图像进行小波多分辨率分解,然后将不同分辨率下的子图进行最优加权平均融合来检测弱小目标。用实地拍摄的空中弱小目标红外和可见光图像分别进行实验验证,实验图像取256×256像素点阵大小,其中目标占10×10像素左右。结果表明该方法能够准确稳定地检测弱小目标,为后续的跟踪作了很好的铺垫。 相似文献
962.
稀土元素在我国有丰富的贮量.近年来,稀土元素在各种新科技领域中得到不断的开发和利用.各类稀土功能材料在发光和光通信领域中正展现巨大的应用潜力[1].稀土磁光薄膜材料是优良的记录介质;稀土Er由于其特殊的电子结构,已用来制造掺铒光纤激光器和光纤放大器[2];掺铒硅还可制造发光谱线单一的发光器件[3],这为实现人们所期待的硅基光电集成提供了有益途径.此外,基于对掺铒硅荧光发射衰减时间的分析,可用于制造温度传感器[4].因此,稀土在共价半导体材料如Si、GaAs中的行为研究日益受到重视.但这些工作主要… 相似文献
963.
用自行组装的直流辉光放电原子发射光谱(dc G D A E S)仪器对分析铜合金的某些基本特性进行了研究 探讨了光源放电室结构、放电气体压力、放电电压等操作参数以及试样尺寸大小对放电性能及元素谱线强度的影响,并进行了优化 考察了在不同放电气压条件下样品的溅射率和优化条件下辉光放电的稳定性最后,分析了铜合金标准样品中的 Al和 Mn,结果较满意 相似文献
964.
利用构建的黑胸大蠊浓核病毒(PfDNV)全基因组重组质粒(PfDNV-pUC119)以及一系列完整缺失克隆,通过全自动测序方法完成了PfDNV两末端各728 bp 和730 bp 核苷酸序列的测定. 通过计算机软件分析发现,PfDNV 末端201nt为倒置重复序列,其中最末端122nt为回文序列,能形成典型的发夹结构. 并与同科其它病毒末端序列进行了核苷酸序列同源性比较. 相似文献
965.
We report the observation of bichromatic coherent population trapping under the transition ^87 RbFg = 1 → Fc = 0 with two linearly polarized laser beams by means of a Hanle effect configuration. The mechanism behind this effect is identified, and numerical solutions for the pump rates equations are presented. 相似文献
966.
泡沫塑料吸附—石墨炉原子吸收光谱法测定地质物料中痕量铊 总被引:10,自引:0,他引:10
本文研制定了一种泡沫塑料吸附-石墨炉原子吸收光谱法测定地质物料中痕量铊的分析,在所先定的实验条件下,方法检出限为0.05μg/g、样准曲线范围为10-300ng/mL,Tl含量水平为0.71μg/g时的测定精度为6.0%,方法回收率99.0%-100.0%。经标样及大量样品分析验证,分析方法准确可靠。 相似文献
967.
Inaprelindnary.ommunication',wehavereportedonanewguaianolideartseleninisolatedfromArtemisiaselengensisTurcz(Compositae).Inthepresentpaperwedescribethestructureelucidationofartselenoide1obtainedasanewdimericguaianolidefromthesamepart.1wasobtainedascolorlesspowders,mpl85-l86D,[a]." l25(cO.l,MeOH).TheIRspectrumexhibitedabsorptionbandsduetohydroxyl(3435cm-'),Ylactone(l764cm-')anddoublebond(l648,l635,l456cm-')groups.Themolecularformu1aCstheooof1wasdeducedfromthedataofESIMS(Inlz5l9[M Na] ,53… 相似文献
968.
本文考虑以下2阶边值问题:其中.在关于A,B;P,Q,f的一定条件下,证明了以上问题存在分歧点.所用的主要工具是Krasnoselskii的局部分歧定理与KreinRutman定理. 相似文献
969.
970.
采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
关键词: 相似文献