中能Abrasion-Ablation模型的核内核子密度分布修正

将具体的核内核子(包括中子、质子)密度分布引入到中能Abrasion-Ablation模型中,用修正后的模型计算了30MeV/u ⁴⁰Ar+^natAg反应中的弹核碎裂过程.结果表明,在非常周边的碰撞中,修正后的模型计算的碎片截面与修正前的计算相比有明显的差别,反映了核密度边缘弥散的影响.与实验结果的比较验证了中能弹核碎裂碎片能量相对于束流能量的降低是由摩擦作用引起的.     

可见光谱法研究核酸酶P1与氯化铜(Ⅱ)的相互作用

首次采用ＶＩＳ与酶活性测定的方法,研究了溶液中核酸酶Ｐ１与无机氯化铜（Ⅱ）（ＣｕＣｌ２）的直接相互作用。结果发现：在水溶液中核酸酶Ｐ１活性中心的Ｚｎ（Ⅱ）离子可被外加氯化铜（ＣｕＣｌ２）中的Ｃｕ（Ⅱ）部分诱导、交换出来,而Ｃｕ（Ⅱ）进入酶的活性中心,形成相应“Ｃｕ（Ⅱ）－Ｐ１”酶衍生物,并随着溶液ｐＨ值的变化,形成酶的衍生物结构亦随之变化,相应地也影响了酶的催化活性。     

天光一号预放大器电子束产生和传输

 论述了天光一号电子束泵浦KrF准分子激光预放大器电子束产生和传输系统的研制。针对低电压(400kV)和高电流密度(143Acm^-2),重点考虑了二极管真空绝缘界面、电极结构、漂移区长度和主膜支撑等问题并介绍了实验结果：二极管电压在450 kV以上仍能稳定工作,电流上升前沿约20ns,电子束总束能4.2kJ以上。只要开关导通时间选在PFL电压峰值附近,Marx 建立时间抖动小于20 ns,对总束能的影响将小于5%。     

长焦距大口径连续变焦光学系统的设计

根据某探测设备可见光通道光学系统的特点和技术指标要求，详细介绍长焦距大口径连续变焦光学系统结构形式选择、初始结构参数计算及像差平衡的方法，给出运用该方法设计的采用正组机械补偿形式的长焦距大口径连续变焦光学系统的设计结果。对连续变焦光学系统进行了像质检测、实景成像及环境试验考核，其结果表明：该光学系统能满足某探测设备的性能要求。     

多量子位Heisenberg模型中纠缠的时间演化特性

研究了多量子位Heisenberg模型中纠缠的时间演化特性, 并给出了平均纠缠度〈C〉和多体纠缠度Q的解析表达式. 结果发现无论是对〈C〉还是对Q随着时间t的不断增长, 它们均先线性的增大, 而后达到一近似稳定状态, 并绕一平衡值做无规则的上下震荡. 若进一步考察N〈C〉则还可以发现, 纠缠上下震荡的平衡值与Heisenberg链的长度几乎无关, 而仅由它们的次近邻耦合常数J决定.     

北京谱仪Ⅲ飞行时间计数器系统刻度中的关联分析

利用电子对事例对北京谱仪Ⅲ飞行时间的测量误差, 以及不同测量之间的关联因子随击中位置的变化进行了仔细的研究. 加权的飞行时间由不同的测量值及其相关的误差矩阵计算而得. 蒙特卡罗研究表明. 为北京谱仪Ⅲ开发的关联分析算法 可以正确地处理包含公有误差项的多个实验测量结果的合并, 并且能够为粒子鉴别提供可靠的飞行时间信息.     

用于短波长RT不稳定性的莫尔条纹成像技术

瑞利-泰勒(RT)不稳定性对内爆有十分不利的影响,在很多情况下,10μm左右的波长的小尺度扰动增长是最快的,这要求诊断设备的空间分辨好于几μm,但是现有的设备难以做到这一点。为了测量短波长的RT不稳定性,利用莫尔条纹技术的差拍放大作用,发展了莫尔条纹技术,并在“星光Ⅱ”装置上进行了莫尔干涉法的实验。采用两个周期相近10μm和12μm的光栅成像,获得了周期为60μm的清晰的莫尔条纹图像,图像放大了5倍。实验结果表明,莫尔条纹技术是可行的。     

Mn22+离子1s22s-1s2np的偶极跃迁能和振子强度

用全实加关联方法计算了类锂Mn22 离子1s22s-1s2np(2≤n≤9)的偶极跃迁能和振子强度.1s2np(2≤n≤9)态的精细结构通过计算自旋-轨道与自旋-其他轨道相互作用算符的期待值确定.依据单通道量子亏损理论,确定了Rydberg系列1s2np的量子数亏损.从而可以用这些作为能量的缓变函数的量子亏损,实现对任意高激发态(n≥10)的能量的可靠预言.将这些分立态振子强度与单通道量子亏损理论相结合,得到在电离阈附近束缚态-束缚态跃迁振子强度以及束缚态-连续态跃迁的振子强度密度,从而将Mn22 离子的这一重要光谱特性的理论预言外推到整个能域.     

聚二甲基硅氧烷/白炭黑体系的分子模拟

用COMPASS分子力场的方法对聚二甲基硅氧烷(PDMS)分子链以及它们同白炭黑(SiO2)、改性SiO2粒子表面相互作用的分子体系进行了计算机模拟,得到了体系能量变化与PDMS分子链中Si原子移动距离的关系曲线,分析了产生和影响体系力学性能的化学过程本质,预测了宏观PDMS/SiO2体系的拉伸行为.     

短脉冲激光辐照下SiO2损伤微观机理简化模型

 从电子密度速率方程出发，建立短脉冲激光辐照下SiO₂材料中导带电子增长简化模型，计算了SiO₂中光致电离速率和电子雪崩速率，得到SiO₂激光损伤阈值与脉冲宽度的关系，计算分析了光致电离和碰撞电离两种电离机制在导带电子累积过程中的不同作用。结果表明：脉冲较长，碰撞电离几乎能提供全部的导带电子，激光损伤阈值与脉宽的0.5次方成正比；脉冲较短时，导带电子主要由碰撞电离产生，光致电离提供碰撞电离的初始电子，激光损伤阈值随着脉宽的减小，先增加后减小。