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11.
测定纤维中分子键取向度的声速仪见前文。作者等鉴于仪器将会得到更广泛的应用,特将声速仪中的直流电源、脉冲讯号发生器及多谐振蕩器与放大器等三件仪器簡化;針对它們的基本原理設計一台声波触发器取而代之。  相似文献   
12.
The pattern of high mobility group proteins 1 and 2 (HMG1,2) interaction with the 5'-flanking sequence of the human β-globin gene has been analyzed by scanning tunnelling microscopy (STM). A 200 bp negative regulatory region in the 5'-flanking sequence of the human β-globin gene can be folded by HMG proteins 1 and 2 into a circular structure (diameter 70±6) with a linear tail which seems to be a left-handed double helix structure.  相似文献   
13.
An electrostatic bond energy model is formulated to fit the enthalpies of formation and dipole moments of the alkanes and chloroalkanes. In this model, the charge distributions are calculated by an electrostatic approach similar to the "MSE" method, and the enthalpy of formation of a molecule is the sum of the bond energy terms plus the electrostatic energy of the interactions between the charges on all atoms. All parameters of this model are obtained by parameterization. The calculated dipole moments for 13 chloroalkanes and enthalpies of formation for 19 alkanes and non-geminal chloroalkanes agree with the determined values very well. To calculate the enthalpies of formation of geminal chloroalkanes, a correction mainly attributed to the van der Waals interactions in the geminal substituted group, about 24 kJ/mol per pair of geminal chlorine atoms, is introduced.  相似文献   
14.
The inhibitors of 4-hydroxyphenylpyruvate dioxygenase (HPPD, EC 1.13.11.27) are an new kind of herbicides.[1]Generally, in structure, potent herbicides of this kind must possess: (1) a tricarbonyl methane structure and one of the three carbonyl groups must be a subustituted benzoyl group; (2) the compound must be able to enolise so that the enolate is capable of inhibiting HPPD enzyme by competitive combination with Fe2+, the reaction center of HPPD enzyme.[2]Recently, we noticed that the 3-acyltetramic acids form an expanding group of antibiotics and pigments from micro-organisms,[3] they display a range of biological activities[4] and all of this kind compounds possess all of the characters mentioned above. Tests of their antimicrobial activities indicated that the structure of the acyl substituent at the 3-position was important to many typical antibiotics.[4~6] These characters stimulated us to study this kind of compounds so as to discover new herbicides. In this report, we synthesized a series of compounds 3 and tested their herbicidal activities to investigate their structure-activity relationships.  相似文献   
15.
A one-pot procedure for the efficient synthesis of a small library of t-RNA inhibitor analogues was developed. Thus,Rh2(OAc)4 catalyzed three-component 1,3-dipolar cycloaddition reactions of carbonyl ylides derived from diazoindan-1,3-dione and aldehydes with other dipolarophiles in 1,1,2,2-tetrachloroethane at 80 ℃ gave ring fused tetrahydrofurans having three stereocenters in good yield.  相似文献   
16.
热处理过程中聚酯长丝的形态变化   总被引:1,自引:0,他引:1  
在自制的红外三因素处理机上~[1],用红外加热在定张力下对聚对苯二甲酸乙二酯(PET)成品长丝进行热处理(二次定型)。用X-光衍射(WAXS)、X-光小角散射(DAXS)、红外光谱(IR)和双折射方法,测定样品的热收缩、结晶度、晶粒尺寸和取向、非晶取向、长周期和链折叠带强度。所得形态参数的变化表明,处理温度在200℃以上时,张力不再阻碍链折叠。不同定张力样品的形态研究表明,存在阻碍链折叠的某个张力转折值。本文条件下,这个张力值为f_(critical)=0.066g/dtex 。张力大于此值,链折叠过程受阻。  相似文献   
17.
左手材料设计及透明现象研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
左手材料具有负的介电常数, 磁导率和折射率,它与电磁波相互作用的规律与传统材料有本质的区别.首先讨论了金属线点阵结构实现负介电常数和开口谐振环点阵结构实现负磁导率的内在机理,综述了目前实现左手材料的设计与制备方法,讨论了左手材料研究中能量如何定义以满足守恒律, 左手材料的宏观等效参数的确定,以及影响左手材料负折射相对频带带宽的因素。最后对左手材料在光子隧道效应和电磁波透明方面的应用进行了介绍,重点讨论了利用力学中的``中性夹杂'概念对电磁波透明的设计.论文还探讨了声波左手材料的概念和物理意义,介绍了用声波左手材料实现声波透明的方法.   相似文献   
18.
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布.与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出...  相似文献   
19.
SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…  相似文献   
20.
6H-SiC衬底片的表面处理   总被引:1,自引:0,他引:1  
相比于蓝宝石,6H-SiC是制作GaN高功率器件更有前途的衬底.本文研究了表面处理如研磨、化学机械抛光对6H-SiC衬底表面特性的影响.用显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、卢瑟福背散射谱表征了衬底表面.结果表明经过两步化学机械抛光后提高了表面质量.经第二步化学机械抛光后的衬底具有优异的表面形貌、高透射率和极小的损伤层,其表面粗糙度RMS是0.12nm.在该衬底上用MOCVD方法长出了高质量的GaN外延膜.  相似文献   
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