分子整流器的相关技术

分子整流器的相关技术是研究器件基础理论和未来付诸应用的关键问题之一。由于分子材料的特殊物理化学性质,原本成熟的普通半导体工艺不再适用。本文综述了目前在分子整流器研究领域广泛使用的相关技术,介绍了分子有序排列的各种组装技术,ＳＴＭ技术,电极制备技术等。分子器件的深入研究将会引起信息处理系统和材料科学的发展,对未来科学技术和社会发展产生深远的影响。     

中空等离子体通道中强激光脉冲对电子的加速

分析了中空等离子体通道内传播的强激光脉冲电磁场中注入电子的运动,发现当激光脉冲强度超过某个阈值时,电子能获得有效的纵向加速并自动与脉冲分离.所得结果为实验提供了参考和依据.     

MPEG音频编码的高效算法研究及单片DSP实现

ＩＳＯ标准推荐ＭＰＥＧ－１音频编码算法要实现起来运算复杂,为便于单片ＤＳＰ实现,算法可以优化。本文简要分析了该算法的各个模块并估计了它们的运算复杂性,然后对子带滤波和心理声学模型作了进一步的探讨,提出了基于逆余弦变换（ＩＤＣＴ）的子带滤波的高效实现算法和不用ＦＦＴ或只用部分ＦＦＴ的快速心理声学掩蔽计算模型。最后用单片ＴＭＳ３２０Ｃ３１＠４０ＭＨｚ实现了ＭＰＥＧ－１层２编码算法。     

电荷耦合器件在质子辐照下的粒子输运仿真与效应分析

应用蒙特卡洛方法计算了质子在科学级电荷耦合器件(charge-coupled device, CCD) 结构中的能量沉积, 并结合该CCD的质子辐照试验及退火试验数据, 分析了器件的辐射损伤机理. 仿真计算体硅内沉积的位移损伤剂量和栅氧化层的电离损伤剂量, 辐照与退火试验过程中主要考察暗信号、电荷转移效率两个参数的变化规律. 研究结果显示, 暗信号和电荷转移效率的变化规律与位移、电离损伤剂量一致; 退火后暗信号大幅度降低, 辐照导致的表面暗信号增加占总暗信号增加的比例至少为80%; 退火后电荷转移效率恢复较小, 电荷转移效率降低的原因主要为体缺陷. 通过总结试验规律, 推导出了电荷转移效率退化程度的预估公式及其损伤因子k_damage.     

0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究

利用脉冲激光入射技术研究100级0.18 μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应, 分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响. 实验结果表明, 单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关, 当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps; 当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件, 得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps. 激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄; 靠近输入则得到的瞬态波形较宽, 单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽. 入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响. 通过理论分析得到, 部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因. 而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲, 是输出节点电容充放电的结果.     

多层介质膜偏振无关光栅的研制

介绍了一种应用于光纤激光光谱合束的高衍射效率多层介质膜偏振无关光栅的设计及制作,给出了设计参数、制作流程和最终制作的偏振无关光栅的测量结果,在1.044~1.084 m波长范围内,实验测得的TE偏振光、TM偏振光的平均衍射效率分别为89.7%,93.8%。     

采用时序多谱段信号分析的空间目标运动状态辨识

为表征在轨卫星的自旋稳定、三轴稳定和"翻滚"三种运动状态,提出了一种基于可见光时序多谱段信号分析的目标运动状态辨识方法,分析了目标运动状态与观测星探测视场内时变的目标表面材料间的对应关系,以及材料属性/种类与时序双色比聚类信息之间的关联性。提出了基于时序双色比特征高斯混合聚类的目标表面材料种类判别算法以及目标运动状态辨识算法。综合考虑卫星的背景特性、材料特性、结构特性、轨道特性,对三种运动状态卫星的多谱段信号进行了数学仿真,对目标运动状态辨识算法进行了验证,证明了所提出算法的有效性。     

Back contact–absorber interface modification by inserting carbon intermediate layer and conversion efficiency improvement in Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cell

Carbon layers have been employed as intermediate layers between Mo back contact and Cu₂ZnSn(S_1–xSe_x)₄(CZTSSe) absorber film prepared by sol–gel and post‐selenization method. Carbon layers with appropriate thickness can significantly inhibit the formation of MoSe₂ and voids at bottom region of the absorber, and therefore reduce the series resistance remarkably. The conversion efficiency can be boosted by the introducing of the carbon layer from 6.20% to 7.24% by enhancement in short current density, fill factor and open voltage in comparison to the reference sample without carbon layer. However, excess thickness of carbon layer will worse device performance due to the deteriorated absorber crystallinity. In addition, the time‐resolved photoluminescence analysis shows that inserting the carbon layer with suitable thickness does not introduce recombination and lower minority lifetime. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)     

一种测量凹透镜焦距的方法

介绍了一种新的测量凹透镜焦距的方法：复合成象法。该方法通过凹透镜的两次成象过程中透镜位移的测量，再利用贝塞尔公式将凹透镜的焦距值间接测量出来，此方法的测量精度高，相对误差约为１％左右。