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采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
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Ying Yu 《Tetrahedron letters》2006,47(23):3811-3814
Synthesis of 3-benzazepinones by palladium-catalyzed intramolecular addition of amides to alkynes is achieved. Phenyl acetylenes substituted in the ortho-position with tethered amide functionality were prepared in a few steps from readily available starting materials. It was found that 5% Pd(OAc)2(PPh3)2 and KOH most effectively promoted cyclization. When the tethered group is an acetamide and an alkyl substituent is on the acetylene unit, regioselective 3-benzazepinone synthesis could be achieved in good yields. 相似文献
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以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq3)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq2)研究还有待发展。介绍了两种以Znq2为基体的新型有机电致发光材料Znq2(H2O)2和(Znq2)4的合成方法。用IR、XRD、TG、DTA和荧光测试方法进行表征与分析表明:Znq2(H2O)2和(Znq2)4的玻璃化温度(Tg)分别为104.2℃和204.9℃;在161℃下Znq2(H2O)2脱去水分子成为Znq2,在361℃高温下四聚体(Znq2)4裂解为单体Znq2;Znq2(H2O)2和(Znq2)4具有很好的发光性能,在光致发光谱中λmax分别是505,550nm。 相似文献
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西咪替丁的应用进展 总被引:2,自引:0,他引:2
劳英 《宁波大学学报(理工版)》2002,15(2):89-92
综述了近年来国内外报道的H2受体抗拮剂-西咪替丁应用于除治疗消化性溃疡以外的其他疾病的进展情况,以其为临床用药提供参考。 相似文献
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在“星光Ⅱ”激光装置上,利用80只分立式探测器研究了约0.8ns,0.351μm激光辐照Au盘靶的吸收、散射.结果表明,强度约为5×1014W/cm2的激光以10°角入射,吸收可达90%以上;但是,以45°角入射,吸收仅为75%左右,散射高达25%.散射主要来自未被等离子体充分吸收的激光在弯曲临界面上的反射,同时伴随少量受激布里渊散射.吸收的理论计算与实验结果进行了比较,两者符合较好.
关键词: 相似文献
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