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41.
研究了X射线荧光光谱检测多层薄膜样品的增强效应。根据多层膜中的X荧光强度理论计算公式编写了计算机程序,并计算了Zn/Fe和Fe/Zn双层膜样品中不同薄膜厚度时Fe Kα的一次荧光强度、二次荧光强度、二次荧光与一次荧光强度比以及二次荧光在总荧光强度中比例。研究发现,在多层膜样品的X射线荧光分析中,激发条件不变的情况下,元素谱线的一次荧光相对强度、二次荧光相对强度和二次荧光在总荧光强度中所占比例都随薄膜厚度及位置的变化而变化。当Fe和Zn层厚度相同时,随厚度的变化,对于Fe/Zn样品,Fe Kα二次荧光强度占总荧光强度最高为9%,而对于Zn/Fe样品这一比例最高可达35%。 相似文献
42.
磁性隧道结材料中自旋相关的量子阱态所导致的共振隧穿现象具有很重要的研究和应用价值,文章介绍了最近在Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe双势垒磁性隧道结中存在的量子阱共振隧穿效应的理论研究工作,通过量子阱态的第一性原理的计算以及结合对中间Fe薄膜孤岛结构所导致Coulomb阻塞效应的分析,证实了最近Nozaki等人(Nozaki T et al.Phys.Rev.Lett.,2006,96:027208)实验中得到的振荡效应确实来源于中间Fe层多数自旋电子在Г点处形成的△1对称性的量子阱态.Coulomb阻塞效应的存在正是导致实验中低温下量子阱共振隧穿效应不够明显的主要原因. 相似文献
43.
44.
QIAN Xian-Min Hon-Wah Tam 《理论物理通讯》2007,47(3):487-490
In this paper, we obtain a 1+1 dimensional integrable differential-difference model for the sine-Gordon equation by Hirota's discretization method. A bilinear Backlund transformation and the associated Lax pair are also proposed/or this model. 相似文献
45.
46.
一种可用于酚类化合物检测的酶传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用溶胶-凝胶法将辣根过氧化物酶(HRP)固定化于二氧化硅凝胶网络中构建了可用于酚类化合物检测的酶传感器。对二氧化硅载体材料进行了结构表怔。二氧化硅多孔材料的平均孔径为2.95 nm。孔径小于5 nm占总数的84.068%。由于辣根过氧化物酶的分子尺寸远远大于二氧化硅的凝胶网络的平均孔径,因此不会泄露到溶液中去,而尺寸较小的底物可以发生反应。包埋的辣根过氧化物酶在H2O2的存在下,能够催化氧化苯酚与4-氨基安替比林反应生成醌亚胺有色化合物。通过紫外-可见光谱测定醌亚胺有色化合物的吸光度,即可以确立苯酚的含量。对于象含氯酚类的重要污染物, 如邻氯酚、间氯酚、2,4-二氯酚,这种方法也同样适用。此外,对多次测定以后的酶的活性下降的问题进行了讨论,结果表明酶传感器可以重复使用10次以上。但响应时间会变长。 相似文献
47.
Quantum Tunnelling and Hawking Radiation of Schwarzchild-Anti-de Sitter Black Hole with Topological Defect 下载免费PDF全文
We extend Parikh's recent work to Schwarzchild-anti-de Sitter black hole with topological defect whose Arnowitt-Deser-Misner (ADM) mass is no longer identical to its mass parameter. We view the Hawking radiation as a tunnelling process across the event horizon and the cosmological horizon. From the tunnelling probability, we find a leading correction to the semi-classical emission rate. The result employs an underlying unitary theory. 相似文献
48.
用于FED和PDP平板显示高压驱动电路的CMOS器件 总被引:1,自引:0,他引:1
在Synopsys TCAD软件环境下,结合中国科学院微电子研究所0.8μm标准CMOS工艺条件对于高压CMOS器件进行了工艺和器件模拟。由于考虑到与标准CMOS工艺的兼容性,高压CMOS器件均采用LDMOS结构;根据RESURF技术,对于器件的漂移区进行了优化。器件模拟结果表明,高压NMOS器件源漏击穿电压为220 V;阈值电压和驱动能力分别为0.8 V和1×10-4A/μm。高压PMOS器件源漏击穿电压为-135 V;阈值电压和驱动能力分别为-9.7 V和1.8×10-4A/μm。高压CMOS器件的研制可为进一步研制FED和PDP平板显示高压驱动电路奠定基础。 相似文献
49.
50.
By using the linear approximation method, the intensity
correlation function is calculated for a single-mode laser modulated
by a bias signal and driven by colored pump and quantum noises
with colored cross-correlation. We found that, when the correlation
time between the two noises is very short, the behavior of the
intensity correlation function versus the time, in addition to
decreasing monotonously, also exhibits several cases, such as
one maximum, one minimum, and two extrema. When the correlation
time between the two noises is very long, the behavior of the
intensity correlation function exhibits oscillation and the envelope
is similar to the case of short cross-correlation time. 相似文献