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氯柱硼镁石在氯化镁水溶液中相转化平衡液相的红外光谱分析 总被引:5,自引:0,他引:5
采用差示FTIR光谱技术,研究了氯柱硼镁石在30℃下浓度为0.5,12和18%MgCl_2水溶液中溶解及相转化平衡饱和水溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱。给出了溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱振动频率的归属,515cm~(-1)为单和二硼氧配阴离子特征峰,630cm~(-1)为三硼氧配阴离子特征峰,550cm~(-1)为四硼氧配阴离子特征峰。对饱和水溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其相互作用以及与相转化析出固相的关系进行了讨论。 相似文献
996.
用密度泛函B3LYP/ 6 3 1G(d)方法 ,对质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1~ 7)弱相互作用体系进行了全自由度能量梯度优化 ,得到了该系列团簇的稳定结构及其对应的体系能量 .通过对构型的分析得出了质子化丙酮分子团簇 (CH3COCH3) nH+ (n =1~ 7)的生长规律 .计算了中性丙酮分子团簇体系的质子亲合能并总结出其变化趋势 .分析讨论了质子化团簇的红外振动光谱 ,发现质子化团簇的振动光谱普遍较中性环型团簇的振动光谱复杂 ,最强的振动峰来源于质子在溶剂壳中两个氧原子之间的振动 ,而且随着团簇尺寸的增加羰基的伸缩振动峰的数目也随之增多 相似文献
997.
H. Yamaguchi K. Kanisawa S. Miyashita Y. Hirayama 《Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures》2004,23(3-4):285
We studied the structural, electrical, and mechanical properties of an InAs thin film grown on GaAs (1 1 1)A substrates by molecular beam epitaxy. In contrast to conventionally used (0 0 1) surfaces, where Stranski–Krastanov growth dominates the highly mismatched heteroepitaxy, layer-by-layer growth of InAs can be established. One of the largest advantages of this unique heteroepitaxial system is that it provides a two-dimensional electron gas system in the near-surface region without the problem of electron depletion. We review the fundamental properties and applications of this unique heteroepitaxial system. 相似文献
998.
A. M. Yakunin A. Yu. Silov P. M. Koenraad W. Van Roy J. De Boeck J. H. Wolter 《Superlattices and Microstructures》2003,34(3-6):539
An individual Mn acceptor in GaAs is mapped by cross-sectional scanning tunneling microscopy (X-STM) at room temperature and a strongly anisotropic shape of the acceptor state is observed. An acceptor state manifests itself as a cross-like feature which we attribute to a valence hole weakly bound to the Mn ion forming the (Mn2+3d5+hole) complex. We propose that the observed anisotropy of the Mn acceptor wavefunction is due to the d-wave present in the acceptor ground state. 相似文献
999.
通过解析推导和数值计算的方法,得到了平衡态指向矢满足的微分方程和边界条件.研究了表面弹性能K13项对磁场作用下的弱锚定向列液晶盒Fréedericksz转变性质的影响.结果表明,表面弹性能K13项的存在对液晶系统的自由能有很大的影响,从而改变转变的性质,诱导液晶盒在阈值点发生一级Fréedericksz转变.给出了发生一级转变的物理条件,它除了与液晶的结构和材料有关外,还依赖于液晶表面弹性能K13项,同时给出了由此判断K13项是否存在的检验方法.
关键词:
表面弹性能K13项
弱锚定
Fréedericksz转变 相似文献
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