电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4单晶的赝能隙行为研究

测量了在O2中退火不同时间的Sm1.85Ce0.15CuO4单晶样品的热电势S与电阻率ρ的温度依赖关系.所有的样品电阻率高温下呈现线性温度依赖行为.未退火的样品在148K发生超导转变,而退火后的样品在低温下发生金属半导体相变,其超导电性消失,表明退火引起了载流子浓度下降,体系进入欠掺杂态.随着温度降低,所有的样品ST和ρT曲线在200K附近(T)都发生斜率的改变,可以用赝能隙现象解释.热电势S在低温下出现一个正的曳引峰,意味着载流子符号发生改变,由电子型转变为空穴型 关键词： 电子型超导体 热电势 赝能隙     

一类平面五次系统的定性分析

本文研究平面五次系统（１．１），应用［４，５］的最新结果，给出了奇点Ｏ（０，０）为中心的充要条件和焦点量公式，以及（１．１）至多有一个，二个极限环的充分条件．     

相转移催化下Mn（Ⅲ）／Mn（Ⅱ）体系对醇类的选择性电氧化

以Mn(Ⅲ)/Mn(Ⅱ)为间接氧化还原体系,用间接电氧化的方法,在相转移催化条件下对醇类的氧化进行了研究。结果表明,在所用实验条件下,Mn(Ⅲ)可以方便地在电极上生成及再生,对苄醇类及二级脂肪醇类能高产率地选择性氧化成相应的羰基化合物。     

三维可穿透目标远场声波反演的一种指示器样本方法

提出了用时谐声散射场的远场信息来可视化三维可穿透目标的一种指示器样本方法,它是通过析取一个指示器函数在包含可穿透目标的某个样本区域中的支集来实现这种可视化的,其中,这个指示器函数在可穿透目标的内部和外部有显著不同的取值.这个算法的一个特别吸引人的性质是不需要关于障碍物的任何几何和物理的先验信息,并且只需要散射场在某个有限孔径中若干个入射和测量方向上的远场信息,即可得到可穿透目标的一个很理想的可视化.数值算例保证了这个可视化算法是有效和实用的 关键词： 声散射 反问题 物形反演     

催化裂解CH4制备碳纳米管的影响因素

以柠檬酸法制备的Fe MgO、Co MgO和Ni MgO为催化剂 ,CH4 为碳源气 ,H2 为还原气 ,在 873、973和 10 73K制备出碳纳米管 ,通过TEM和拉曼光谱表征 ,讨论了催化剂、制备温度、反应时间等因素对碳纳米管形貌、产率和内部结构的影响 .结果表明 :不同的催化剂在相同的温度下制备的碳纳米管的形态和内部结构有很大的差异 .其中Fe MgO催化剂制备的碳纳米管管径粗 ,且大小不均匀 ,而Ni MgO催化剂制备的碳纳米管管径较细、较均匀 .碳纳米管的产率随着裂解温度的变化而改变 .Fe MgO催化剂制备碳纳米管的产率随制备温度的升高而提高 ,而Ni MgO催化剂制备碳纳米管的产率随制备温度的升高而降低 .Fe MgO催化剂制备碳纳米管 ,在10 73K甚至更高的制备温度才能达到其最高产率 .Co MgO催化剂制备碳纳米管的产率在 973K左右产率较高 ,而用Ni MgO催化剂制备碳纳米管 ,则在 873K甚至更低的制备温度就能达到最高产率 .反应时间与碳纳米管的产率不成正比 ,有一最佳反应时间 ,如Ni MgO催化剂的最佳反应时间为 2h .     

Double threshold behaviour of I－V characteristics of CoSi2/Si Schottky contacts

The forward current－voltage (I－V) characteristics of polycrystalline CoSi₂/n-Si(100) Schottky contacts have been measured in a wide temperature range. At low temperatures (≤200K), a plateau-like section is observed in the I－V characteristics around 10^-4A·cm^-2. The current in the small bias region significantly exceeds that expected by the model based on thermionic emission (TE) and a Gaussian distribution of Schottky barrier height (SBH). Such a double threshold behaviour can be explained by the barrier height inhomogeneity, i.e. at low temperatures the current through some patches with low SBH dominates at small bias region. With increasing bias voltage, the Ohmic effect becomes important and the current through the whole junction area exceeds the patch current, thus resulting in a plateau-like section in the I－V curves at moderate bias. For the polycrystalline CoSi₂/Si contacts studied in this paper, the apparent ideality factor of the patch current is much larger than that calculated from the TE model taking the pinch-off effect into account. This suggests that the current flowing through these patches is of the tunnelling type, rather than the thermionic emission type. The experimental I－V characteristics can be fitted reasonably well in the whole temperature region using the model based on tunnelling and pinch-off.     

单轴晶体光轴任意取向时非寻常光的折射规律

在单轴晶体光轴任意取向的情形下 ,应用惠更斯原理导出了非寻常光折射方向的普遍计算公式 ,并给出了确定非寻常光线折射面和折射角的具体解。结合几种熟知的特殊情形进行了简要讨论 ,揭示了文中所得到的折射规律较之斯涅尔定律更具有普遍性 ,从而为光学系统中各类单轴晶体光学元件的应用提供了一个理论依据     

量子随机Cable方程的白噪声分析方法

本文讨论了广义算子及其Wick积意义下的非线性量子随机Cable方程.在给出解的存在唯一性定理的基础上,证明了解对初值过程的连续依赖性及其他性质.     

加热模型及其最优控制

本文应用Pontryagin最大值原理研究加热过程,提出一个在加热过程中节能的最优控制方案。     

Beam quality improvement and focused peak intensity measurement of an intense femtosecond Ti:sapphire laser system

Micro-lens arrays were adopted to homogenize the beam profile of 532-nm pumping laser for the main amplifier of an intense femtosecond, chirped pulse amplification (CPA) Ti:sapphire laser. Experimental measurements showed a great improvement of the near-field pattern of the CPA beam after the main amplifier and the size of the focal spot was improved from 2.7 times diffraction limitation (DL) to 1.6 DL.The spot size focused by an f/4 off-axis parabola (OAP) in the target chamber was measured to be 5.8μm (full-width at half-maximum (FWHM)), and a peak intensity of 2.6 × 1020 W/cm2 was obtained at the output power of 120 TW. Peak intensity exceeding 1021 W/cm2 or even 1022 W/cm2 can be expected with smaller f-number focusing configuration and wavefront correction.