首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1859篇
  免费   46篇
  国内免费   11篇
化学   1234篇
晶体学   6篇
力学   81篇
数学   324篇
物理学   271篇
  2022年   11篇
  2021年   31篇
  2020年   23篇
  2019年   36篇
  2018年   29篇
  2017年   15篇
  2016年   57篇
  2015年   27篇
  2014年   36篇
  2013年   76篇
  2012年   82篇
  2011年   98篇
  2010年   55篇
  2009年   65篇
  2008年   88篇
  2007年   102篇
  2006年   96篇
  2005年   103篇
  2004年   84篇
  2003年   71篇
  2002年   48篇
  2001年   23篇
  2000年   28篇
  1999年   34篇
  1998年   19篇
  1997年   26篇
  1996年   24篇
  1995年   22篇
  1994年   21篇
  1993年   18篇
  1992年   24篇
  1991年   12篇
  1990年   19篇
  1989年   14篇
  1988年   13篇
  1987年   8篇
  1986年   14篇
  1985年   26篇
  1984年   22篇
  1983年   15篇
  1982年   17篇
  1981年   13篇
  1980年   11篇
  1979年   10篇
  1978年   10篇
  1977年   10篇
  1976年   7篇
  1975年   13篇
  1974年   10篇
  1888年   8篇
排序方式: 共有1916条查询结果,搜索用时 796 毫秒
991.
The production of an intermediate-mass Higgs boson in processes of the kind fermions at the energies of future linear colliders is studied. The recently developed and fully automatic algorithm/code ALPHA is used to compute the tree-level scattering amplitudes for the reactions . The code has been interfaced with the Monte Carlo program HIGGSPV/WWGENPV, properly adapted to 6-fermion production, in order to provide realistic results, both in the form of cross sections and event samples at the partonic level. Phenomenological results, that incorporate the effects of initial-state radiation and beamstrahlung, are shown and commented, emphasizing the potentials of full six-fermion calculations for precise background evaluation as well as for detailed studies of the fundamental properties of the Higgs particle. Received: 22 May 1997 / Published online: 20 February 1998  相似文献   
992.
993.
The volume plasmon losses which appear in Si2p photoemission spectra have been studied in the photon energy range from threshold up to 1600 eV. The data are presented and discussed in the framework of a recent theoretical investigation by Inglesfield. In particular, a distinction is made between the structured component of the plasmon loss, which corresponds to the excitation of long wavelength plasmons, and the structureless background, originated by the excitation of short wavelength plasmons.  相似文献   
994.
The vanishing of the divergence of the matter stress-energy tensor for General Relativity is a particular case of a general identity, which follows from the covariance of the matter Lagrangian in much the same way as (generalized) Bianchi identities follow from the covariance of the purely gravitational Lagrangian. This identity, holding for any covariant theory of gravitating matter, relates the divergence of the stress tensor with a combination of the field equations and their derivatives. One could thus wonder if, according to a recent suggestion [1], the energy-momentum tensor for gravitating fields can be computed through a suitable rearrangement of the matter field equations, without relying on the variational definition. We show that this can be done only in particular cases, while in general it leads to ambiguities and possibly to wrong results. Moreover, in nontrivial cases the computations turn out to be more difficult than the standard variational technique.  相似文献   
995.
996.
997.
We give a new proof of a theorem by M.P. do Carmo and M. Dajczer on helicoidal surfaces of constant mean curvature.

  相似文献   

998.
999.
A new model is presented for the discharge mechanism of MNOS memory devices. For moderate and large charge contents the discharging effect can actually be ascribed to the compensation of the stored charge by the injection from the silicon into the nitride of carriers of the opposite type.  相似文献   
1000.
Zusammenfassung Die Herstellung feinstrukturierter Schaltungen in der Elektronik hat zu neuen Strukturierungsverfahren geführt, die heute im Produktionsmaßstab eingesetzt werden. Im folgenden Beitrag wird die Ionenstrahl- und Plasmaätztechnik in ihren Prinzipien und ihrer praktischen Anwendung dargelegt.
Application and analytical problems of ion beam etching and plasma etching in structuring of electronic devices
Summary The manufacturing of fine line geometries in electronic circuits requires new technologies. This paper describes principles and practical applications of ion milling and plasma etching.


Für anregende und hilfreiche Beiträge in einer Reihe von Erörterungen danken die Autoren Herrn Gerhard Lässing und Herrn Dr. Frank Stephany von der Firma AEG-Telefunken, Heilbronn.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号