四分之一超导谐振腔的仿真对比

超导量子电路已成为实现量子计算机的主流技术路线之一,其中四分之一波长超导谐振腔主要用于读取量子比特的状态信息,是实现超导量子电路的关键器件.本文设计了四分之一波长超导谐振腔,利用两种电磁仿真算法(有限元法以及矩量法),对超导谐振腔的传输特性进行建模仿真验证.制备出了设计的超导谐振腔样品,在20±5 mK的低温环境下对其传输特性进行测量.通过仿真结果与设计值和实测值进行对比研究,发现基于矩量法的sonnet软件在仿真准确性、仿真速率以及资源消耗等方面都优于基于有限元法的HFSS软件.同时研究了谐振腔之间的串扰对仿真精度的影响,当谐振腔数目不多时,其相互之间串扰的影响几乎可以忽略.     

衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

研究了衬底温度对MOCVD技术制备的ZnO薄膜的微观结构和光电特性影响. XRD和SEM的研究结果表明，衬底温度对ZnO薄膜的微观结构有显著影响，明显的形貌转变温度大约发生在175℃，低于175℃，薄膜呈镜面结构，晶粒为球状，高于177℃的较高温度范围，薄膜从“类金字塔”状的绒面结构演化为“岩石”状显微组织；随着温度增加，薄膜的晶粒尺寸明显增大.绒面结构的未掺杂ZnO薄膜具有17.96 cm²/V·s的高迁移率和3.28×10^-2 Ω·cm的低电阻率，对ZnO薄膜的进一步掺杂和结构优化有望应用于Si薄膜太阳电池的前电极. 关键词： MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池     

质子交换MgO:LiNbO3波导的双层结构

本文报导MgO:LiN_bO₃质子交换波导X射线双晶衍射和红外吸收的实验结果。这些结果表明质子交换波导由浅表面层和深表面层构成。浅表面层是一个连续应变层,有着大量随机排列的O—H—O形式的缔合OH^-基团。深表面层是一个均匀应变层,其内H⁺以自由OH^-基团形式出现。质子交换波导折射串不稳定性与双层结构中的结构驰豫密切相关。通过对质子交换过程的分析,提出两条避免双层结构的途径,其一为降低交换剂中的H⁺浓度,另一条是采用有限源工艺。     

Large-scale magnetic fields from inflation due to a <Emphasis Type="Italic">CPT</Emphasis>-even Chern–Simons-like term with Kalb–Ramond and scalar fields

We investigate the generation of large-scale magnetic fields due to the breaking of the conformal invariance in the electromagnetic field through the CPT-even dimension-six Chern–Simons-like effective interaction with a fermion current by taking account of the dynamical Kalb–Ramond and scalar fields in inflationary cosmology. It is explicitly demonstrated that magnetic fields on 1 Mpc scale with the field strength of ∼10⁻⁹ G at the present time can be induced.     

叠层荧光集光太阳能光伏器件的性能模拟和优化

荧光集光太阳能光伏器件可以减少太阳能电池的用量,有效降低光伏发电的成本.相对于单层荧光 集光太阳能光伏器件,叠层荧光集光太阳能光伏器件能分波段充分利用太阳光谱,提高荧光集光太阳能光伏 器件的效率,进一步降低光伏发电的成本.但是,叠层荧光集光太阳能光伏器件涉及较多的参量,难以通过实验 优化.本文分析了从单层到叠层荧光集光太阳能光伏器件的全部物理过程,建立了数学模型,并相应编制了 计算机模拟软件.运用上述软件,系统研究了器件尺寸、太阳能电池的带隙对光电转换效率的影响.     

具有部分超结的新型SiC SBD特性分析

提出了一种具有部分超结（super junction, SJ）结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(V_B)和比导通电阻(R_on-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2< 关键词： SiC肖特基二极管 super junction 导通电阻 击穿电压     

New finite-gap solutions for the coupled Burgers equations engendered by the Neumann systems

On the tangent bundle TS^N-1 of the unit sphere S^N-1, this paper reduces the coupled Burgers equations to two Neumann systems by using the nonlinearization of the Lax pair, whose Liouville integrability is displayed in the scheme of the r-matrix technique. Based on the Lax matrix of the Neumann systems, the Abel--Jacobi coordinates are appropriately chosen to straighten out the restricted Neumann flows on the complex torus, from which the new finite-gap solutions expressed by Riemann theta functions for the coupled Burgers equations are given in view of the Jacobi inversion.     

Research on the boron contamination at the p/i interface of microcrystalline silicon solar cells deposited in a single PECVD chamber

This paper studies boron contamination at the interface between the p and i layers of μ c-Si:H solar cells deposited in a single-chamber PECVD system. The boron depth profile in the i layer was measured by Secondary Ion Mass Spectroscopy. It is found that the mixed-phase μ c-Si:H materials with 40% crystalline volume fraction is easy to be affected by the residual boron in the reactor. The experimental results showed that a 500-nm thick μ c-Si:H covering layer or a 30-seconds of hydrogen plasma treatment can effectively reduce the boron contamination at the p/i interface. However, from viewpoint of cost reduction, the hydrogen plasma treatment is desirable for solar cell manufacture because the substrate is not moved during the hydrogen plasma treatment.     

基于神经网络的多联变频空调电子膨胀阀控制系统研究

空调制冷系统具有滞后大、非线性等特点,采用普通控制方式时效果不尽人意。采用BP-PID控制器对系统电子膨胀阀开度进行控制,并设计了BP-PID控制器。实践结果表明,该控制方法简单有效,很好地满足了用户的实际需要。     

甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染