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991.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比
关键词:
半绝缘GaN薄膜
载气
金属有机气相外延
位错 相似文献
992.
用射频控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响.结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向.当基片温度在500-600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成.XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态.同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整.薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550 nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2 的发光中心. 相似文献
993.
根据Ag 离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序Agx Tis2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与Lix Tis2系列进行了对比研究.有序Agx Tis2系统的晶格参量增量△a0 和△c0随离子浓度单调增加,与实验结果符合得较好.有序Agx TiS2和Lix Tis2系统的总能量均随插层离子浓度增加线性下降,且前者下降较快.有序Agx TiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系统的形成能均小于零,表明其基态性质.具有3a0x3a0超结构的Ag1/3 Tis2系统的形成能最低.能量性质的对比显示,有序Agx TiS2系统的形成能较低,有序一无序相变温度较高,离子扩散活化能较高.根据计算结果对有关实验给出了合理解释. 相似文献
994.
995.
Two vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs) are mutually coupled through a partially transparent mirror (PTM) placed in the pathway. The PTM plays the role of external mirror,which controls the feedback strength and coupling strength.We numerically simulate this system by establishing a visible SIMULINK model.The results demonstrate that the anticipation synchronization is achieved and it can tolerate some extent frequency detuning.Moreover,the system shows similar chaos-pass filtering effect on unidirectionally coupled system even both VCSELs are modulated.This system allows simultaneously bidirectional secure message transmission on public channels. 相似文献
996.
Pu Zhou Zilun Chen Xiaolin Wang Xiao Li Zejin Liu Xiaojun Xu Jing Hou Zongfu Jiang 《中国光学快报(英文版)》2008,6(7)
We demonstrate a scalable architecture for coherent combining of pulsed fiber lasers.A new method for generating synchronous pulsed fiber lasers by direct phase modulation is proposed and investigated.It is shown that phase modulated mutually coupled laser array can be a steady synchronous pulsed fiber laser source.The synchronous pulsed fiber lasers are coherently combined with an invariable phase difference of π in adjacent lasers.Neither active phase control nor polarization control is taken in our experiment. 相似文献
997.
998.
Parikh最近将黑洞辐射视为半经典的隧穿过程,在考虑了自引力相互作用后,得出静态球对称Schwarzschild和Reissner-Nordstrm黑洞的辐射谱不是纯热谱.采用Doran给出的Kerr黑洞解的新形式,将Parikh的工作推广到Kerr黑洞,研究转动黑洞的隧穿辐射,得到了修正的辐射谱,它与黑洞的Bekenstein-Hawking熵变有关,不是纯热谱,但满足量子力学中的幺正性原理.
关键词:
Kerr黑洞
隧穿辐射
自引力修正
Bekenstein-Hawking熵 相似文献
999.
通过考虑脉冲频谱的增益色散,提出了一个分析亚皮秒光脉冲在半导体光放大器(SOA)中传输的新思路.分别对超快光脉冲在时域和频域内进行离散化,建立了一个更为合理的传输数值模型.基于该模型,观察到了脉冲频谱的明显漂移,并探讨了漂移量与脉冲载波波长、脉冲能量、脉冲宽度、SOA长度和注入电流等外部条件之间的关系,从理论上解释了文献没有证实的实验结果.同时,基于交叉增益调制原理,利用双光束结构,描述了载流子加热、光谱烧孔效应和双光子吸收等非线性效应引起的增益压缩.理论分析的结果为改善SOA的动态特性提供了指导.
关键词:
半导体光放大器
超快非线性效应
增益色散性 相似文献
1000.
为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+W)+1/2(1/1+W)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R<R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R>R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
关键词:
纳米导线
场发射
增强因子
阵列数目 相似文献