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81.
高星辉  张承云  唐冬  郑晖  陆大全  胡巍 《物理学报》2013,62(4):44214-044214
由于其在通信领域潜在的应用前景, 非局域空间孤子一直是研究热点. 但空间非局域暗孤子由于其边界的特殊性, 对其特别是稳定性方面研究甚少. 提出了非局域暗孤子稳定性分析理论, 并对热非线性体介质中1+1维基态和二阶暗孤子的稳定性进行了数值分析和研究, 得到了稳定性图. 从稳定性分析图可知: 在热非线性体介质中, 1+1维基态暗孤子在其存在区域总是稳定的, 而1+1维二阶暗孤子是震荡不稳定的, 其不稳定区域的宽度与传播常数以及介质的非局域程度有关. 为了验证非局域暗孤子稳定性分析理论的正确性, 对加噪声初始输入的传输进行数值模拟得到了传输图, 传输图表明稳定性分析理论的正确性. 关键词: 非局域 稳定性 暗孤子  相似文献   
82.
韩亚伟*  强洪夫  赵玖玲  高巍然 《物理学报》2013,62(4):44702-044702
与传统网格法相比, 光滑粒子流体动力学方法不能直接施加壁面边界条件, 这就限制了该方法在工程中的应用.为此, 本文基于Galerkin加权余量法并结合传统排斥力方法, 推导出一种新的排斥力公式来施加壁面边界条件.该方法不含未知参数, 能在不减小边界粒子尺寸的情形下有效地防止流体粒子穿透壁面, 同时可避免邻近边界的流体粒子的速度及压力振荡. 分别通过静止液柱算例、液柱坍塌算例、容器中液体静止算例及溃坝算 例来验证本文方法的有效性, 并与传统边界处理方法进行对比, 结果表明: 本文方法克服了传统方法存在的缺陷, 是一种有效的固壁边界处理方法. 关键词: 光滑粒子流体动力学法 固壁边界 排斥力 加权余量法  相似文献   
83.
晶体相场方法研究二维六角相向正方相结构转变   总被引:9,自引:0,他引:9       下载免费PDF全文
高英俊  罗志荣  黄创高  卢强华  林葵 《物理学报》2013,62(5):50507-050507
应用双模PFC模型,计算二维PFC相图,模拟二维六角晶格向正方晶格的结构转变过程, 观察新相(二维正方相)的形核、长大特点,以及相结构转变的动力学特征. 结果表明:六角结构相向正方结构相的转变,正方相最易在六角相晶界处, 尤其是在三晶粒的交汇处首先生成正方相的晶核,之后是正方相逐渐通过吞噬六角相的边缘, 向六角相内部推进,并不断长大.对于结构转变生成的正方相晶粒,其晶粒取向几乎是随机的, 与原先六角相晶粒取向角没有明显的关系.正方相转变的面积分数随时间变化的动力学曲线 呈现典型的"S"形.由Avrami曲线可将相变曲线看成由两阶段组成. 计算模拟得到的Avrami曲线的第二阶段直线斜率K的范围在2.0和3.0之间, 与JMAK理论的指数n相符合. 关键词: 结构转变 晶体相场 相图 晶粒取向  相似文献   
84.
坚增运  高阿红  常芳娥  唐博博  张龙  李娜 《物理学报》2013,62(5):56102-056102
本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于1011 K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在1011 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于1010 K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在1010 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为1014.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于1014.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于1014.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的. 关键词: 分子动力学模拟 晶体团簇 临界冷速 结构  相似文献   
85.
研究了110kV冷绝缘高温超导电缆失超时,故障电流的分流情况,并以此为依据,建立了电缆在故障电流下失超时,温升与时间关系的计算模型;通过MATLAB对计算模型进行了求解,并对求解结果进行了分析;计算出了电缆在不同故障电流下,温度上升到不同值所需要的时间,进一步明确了故障电流的大小对电缆温升的影响。  相似文献   
86.
本文从设计实验入手,形象诠释伯努利原理,并从物理学角度出发,根据人体体液流动的实际情况,运用伯努利原理及经典的伯努利方程,从人体血液循环、房水循环的压力形成和改变方面,把物理学的基本理论运用于分析人体体液压力的变化。  相似文献   
87.
二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究   总被引:12,自引:0,他引:12       下载免费PDF全文
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic 关键词: 二氧化钒 电阻温度系数 氧分压 射频反应溅射法  相似文献   
88.
高峰  王艳  游开明  姚凌江 《物理学报》2006,55(6):2966-2971
采用模匹配方法,研究了非均匀磁场下开放的四端量子波导中的电子输运性质. 结果表明,从一端入射的电子可以透射到两个与之垂直的输出端和一个与之平行的输出端. 在没有外加磁场的情况下,两个垂直输出端的输运概率是相同的,但垂直端与水平端的输运概率不同;在外加磁场下,由于磁边缘态效应,两个垂直输出端的输运概率也有着相当大的差别. 通过施加不同的磁场,我们能获得丰富的电子输运结构,如台阶,宽谷,尖峰等;通过调节磁场的大小和比例以及结构参数可控制该量子结构在各输出端的输运概率. 关键词: 电子输运 介观体系 磁效应  相似文献   
89.
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词: C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度  相似文献   
90.
Analysis of the field distributions in a single biological cell under electromagnetic wave is given. With Debye approximation, the dielectric relaxation of each part of the cell, including the extracellular and cellular media, the cell membrane and the nuclear membrane, was taken into account. Making use of some typical parameters for a cell, the voltage across nuclear and cytoplasma membranes under electromagnetic waves are calculated up to millimeter wave frequency range. The calculated result indicates that it is unlikely to generate electroporation by present available millimeter wave sources.  相似文献   
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