全文获取类型
收费全文 | 16107篇 |
免费 | 2772篇 |
国内免费 | 1844篇 |
专业分类
化学 | 11405篇 |
晶体学 | 163篇 |
力学 | 1152篇 |
综合类 | 64篇 |
数学 | 1658篇 |
物理学 | 6281篇 |
出版年
2024年 | 56篇 |
2023年 | 353篇 |
2022年 | 605篇 |
2021年 | 612篇 |
2020年 | 639篇 |
2019年 | 602篇 |
2018年 | 558篇 |
2017年 | 501篇 |
2016年 | 859篇 |
2015年 | 755篇 |
2014年 | 954篇 |
2013年 | 1158篇 |
2012年 | 1483篇 |
2011年 | 1445篇 |
2010年 | 982篇 |
2009年 | 920篇 |
2008年 | 1070篇 |
2007年 | 944篇 |
2006年 | 855篇 |
2005年 | 761篇 |
2004年 | 530篇 |
2003年 | 434篇 |
2002年 | 423篇 |
2001年 | 348篇 |
2000年 | 305篇 |
1999年 | 324篇 |
1998年 | 268篇 |
1997年 | 239篇 |
1996年 | 270篇 |
1995年 | 266篇 |
1994年 | 188篇 |
1993年 | 147篇 |
1992年 | 152篇 |
1991年 | 145篇 |
1990年 | 125篇 |
1989年 | 101篇 |
1988年 | 85篇 |
1987年 | 67篇 |
1986年 | 50篇 |
1985年 | 41篇 |
1984年 | 30篇 |
1983年 | 25篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 16篇 |
1980年 | 9篇 |
1978年 | 2篇 |
1972年 | 1篇 |
1957年 | 6篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
71.
本文采用双包层掺镱光纤作为增益介质,用单壁碳纳米管作为饱和吸收体,获得最高输出功率为336 mW的锁模脉冲激光.用飞秒激光诱导水击穿法直接在单模光纤上制备出D形区,通过在D形光纤上滴涂单壁碳纳米管溶液,成功制备出碳纳米管饱和吸收体,并对其饱和吸收特性进行测试,发现其调制深度为27%.利用该饱和吸收体作为锁模器件,制备出具有环形腔结构的锁模光纤激光器.当抽运功率为4W时,获得了脉宽为93.8 fs,中心波长为1083.8 nm,3 dB谱宽为8.6 nm,重复频率为5.59 MHz,平均功率为336 mW的飞秒脉冲激光输出. 相似文献
72.
Wei-Wei Zhang Fei Gao Bin Liu Heng-Yue Jia Qiao-Yan Wen Hui Chen 《International Journal of Theoretical Physics》2013,52(2):504-513
Quantum watermarking is the technique which embeds the invisible quantum signal such as the owner’s identification into quantum multimedia data (such as audio, video and image) for copyright protection. In this paper, a watermark strategy for quantum images is proposed based on flexible representation for quantum images (FRQI). Compared with the former strategy, which can only be used to verify the identity of the true owner of a carrier image, the proposed method can be used to find out who is the real owner, and our strategy’s capacity reaches the largest. It is impossible for anyone except the copyrighter to clear off or extract the watermark images. 相似文献
73.
Two kinds of LiMnO2 microcubes were successfully synthesized by hydrothermal method using solid or hollow Mn2O3 microcubes as precursors. One was made up of nanoparticles varying in size and the other was made up of interlaced polygonal nanoplates with the thickness of 70 nm. Both kinds of LiMnO2 microcubes were characterized by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. Charge–discharge curves were carried out to investigate their electrochemical properties. LiMnO2 microcubes with interlaced nanoplates showed much better capacities than the ones with nanoparticles indicating it is more suitable for application in the lithium ion batteries. The former material could deliver the capacities of 197 and 134 mAh/g at 0.1 and 1 C, respectively. And its capacity fading after 50 cycles did not exceed 7 %. The excellent electrochemical performance of the former material could be ascribed to the smaller size which could shorten the path length for lithium ion transport and increase the electrode and electrolyte contact. 相似文献
74.
75.
应用双模PFC模型,计算二维PFC相图,模拟二维六角晶格向正方晶格的结构转变过程, 观察新相(二维正方相)的形核、长大特点,以及相结构转变的动力学特征. 结果表明:六角结构相向正方结构相的转变,正方相最易在六角相晶界处, 尤其是在三晶粒的交汇处首先生成正方相的晶核,之后是正方相逐渐通过吞噬六角相的边缘, 向六角相内部推进,并不断长大.对于结构转变生成的正方相晶粒,其晶粒取向几乎是随机的, 与原先六角相晶粒取向角没有明显的关系.正方相转变的面积分数随时间变化的动力学曲线 呈现典型的"S"形.由Avrami曲线可将相变曲线看成由两阶段组成. 计算模拟得到的Avrami曲线的第二阶段直线斜率K的范围在2.0和3.0之间, 与JMAK理论的指数n相符合.
关键词:
结构转变
晶体相场
相图
晶粒取向 相似文献
76.
本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于1011 K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在1011 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于1010 K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在1010 K/s到1014.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为1014.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于1014.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于1014.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的.
关键词:
分子动力学模拟
晶体团簇
临界冷速
结构 相似文献
77.
78.
79.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
80.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献