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101.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
102.
采用多靶磁控溅射法制备了一系列具有不同Al2O3调制层厚度的TiN/Al2O3纳米多层膜.利用X射线能量色散谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和微力学探针表征了多层膜的成分、微结构和力学性能.研究结果表明,在TiN/Al2O3纳米多层膜中,单层膜时以非晶态存在的Al2O3层在厚度小于1.5 nm时因TiN晶体层的模板效应而晶化,并与TiN层形成共格外延生长,相应地,多层膜产生硬度明显升高的超硬效应,最高硬度可达37.9 GPa.进一步增加多层膜中Al2O3调制层的层厚度,Al2O3层逐渐形成非晶结构并破坏了多层膜的共格外延生长,使得多层膜的硬度逐步降低. 相似文献
103.
Tian Le LIN Bao Zhen YAN Gao Fei HU Mei WANG 《中国化学快报》2006,17(7):937-940
Complex formation between aluminium and quercetin(Q) in methanol was investigated by means of 27^Al solid-state, 13^C and 1^H NMR and MS(ESI), UV and IR spectra. Formation of the 1:2 complex was favored in methanol relative to all other solvent and the predominant species observed of Al(Ⅲ) has a 1:2 stoichiometry. The fine structure of 1:2 aluminum complex of quercetin was that the aluminum central atom chelated with two quereetin molecules and two methoxyl groups between two five membered rings, its coordination is six, the chelated site was 3-hydroxy-4-carbonyl. 相似文献
104.
Polycrystalline Sn1−xMnxO2 (0≤x≤0.05) diluted magnetic semiconductors were prepared by solid-state reaction method and their structural and magnetic properties had been investigated systematically. The three Mn-doped samples (x=0.01, 0.03, 0.05) undergo paramagnetic to ferromagnetic phase transitions upon cooling, but their Curie temperatures are far lower than room temperature. The magnetization cannot be attributed to any identified impurity phase. It is also found that the magnetization increases with increasing Mn doping, while the ratio of the Mn ions contributing to ferromagnetic ordering to the total Mn ions decreases. 相似文献
105.
106.
107.
用密度泛函B3LYP/6-311++G(d,p)方法和相对论有效实势(Lanl2dz基组)对VOn±(n=0,1,2)分子离子的势能函数及光谱常数进行了分析. 结果表明它们都能稳定存在, 其基态电子状态分别是:4Σ(VO2-), 3Σ(VO-), 4Σ(VO), 3Σ(VO+)和2Σ(VO2+). 其中VO2-和VO2+的势能函数曲线呈“火山口”型, 属于亚稳态分子离子. 用七参数Murell-Sorbie势拟合VO2-和VO2+分子亚稳态双原子分子离子势能函数, 发现其拟合曲线与势能函数曲线符合得很好. 同时,讨论了电荷对势能函数和能级的影响.
关键词:
分子离子
密度泛函理论
势能函数
能级 相似文献
108.
用密度泛函B3LYP方法研究了过渡金属钐类卡宾与乙烯的环丙烷化反应的机理。对三种不同的钐的SS试剂CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)分别和CH_2CH_2反应的各反应物、中间体、过渡态和产物构型的全部结构几何参数进行了优化,用内禀反应坐标(IRC)计算和频率分析方法,对过渡态进行了验证。结果表明:CH_3SmCH_2X(其中X=Cl、Br和Ⅰ)与CH_2CH_2环丙烷化反应按亚甲基转移通道(通道A)和卡宾金属化通道(通道B)都可以进行,与锂类卡宾的反应机理相同,只是按亚甲基转移通道(通道A)进行反应较容易一些,而且此反应在较低的温度下就可以发生。 相似文献
109.
110.
Wang Yongqian Liao Xianbo Diao Hongwei Cheng Wenchao Li Guohua Chen Changyong Zhang Shibin Xu Yanyue Chen Weide Kong Guanglin 《中国科学A辑(英文版)》2002,45(10):1320-1328
A set of a-SiOx:H (0.52 <x< 1.58) films are fabricated by plasma-enhanced-chemical-vapor-deposition (PECVD) method at the substrate temperature
of 250°C. The microstructure and local bonding configurations of the films are investigated in detail using micro-Raman scattering,
X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR). It is found that the films are
structural inhomogeneous, with five phases of Si, Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H and SiO2 that coexist. The phase of Si is composed of nonhydrogenated amorphous silicon (a-Si) clusters that are spatially isolated.
The average size of the clusters decreases with the increasing oxygen concentration x in the films. The results indicate that
the structure of the present films can be described by a multi-shell model, which suggests that a-Si cluster is surrounded
in turn by the subshells of Si2O:H, SiO:H, Si2O3:H, and SiO2. 相似文献