全文获取类型
收费全文 | 35553篇 |
免费 | 6593篇 |
国内免费 | 4904篇 |
专业分类
化学 | 25800篇 |
晶体学 | 457篇 |
力学 | 2387篇 |
综合类 | 362篇 |
数学 | 4199篇 |
物理学 | 13845篇 |
出版年
2024年 | 70篇 |
2023年 | 671篇 |
2022年 | 910篇 |
2021年 | 1174篇 |
2020年 | 1457篇 |
2019年 | 1398篇 |
2018年 | 1235篇 |
2017年 | 1165篇 |
2016年 | 1757篇 |
2015年 | 1723篇 |
2014年 | 2124篇 |
2013年 | 2647篇 |
2012年 | 3283篇 |
2011年 | 3402篇 |
2010年 | 2404篇 |
2009年 | 2344篇 |
2008年 | 2569篇 |
2007年 | 2276篇 |
2006年 | 2109篇 |
2005年 | 1793篇 |
2004年 | 1402篇 |
2003年 | 1098篇 |
2002年 | 1106篇 |
2001年 | 926篇 |
2000年 | 758篇 |
1999年 | 734篇 |
1998年 | 580篇 |
1997年 | 555篇 |
1996年 | 541篇 |
1995年 | 499篇 |
1994年 | 407篇 |
1993年 | 300篇 |
1992年 | 259篇 |
1991年 | 264篇 |
1990年 | 228篇 |
1989年 | 175篇 |
1988年 | 156篇 |
1987年 | 126篇 |
1986年 | 93篇 |
1985年 | 74篇 |
1984年 | 57篇 |
1983年 | 53篇 |
1982年 | 41篇 |
1981年 | 31篇 |
1980年 | 25篇 |
1979年 | 6篇 |
1976年 | 6篇 |
1975年 | 8篇 |
1959年 | 5篇 |
1957年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 781 毫秒
51.
52.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
53.
High index of refraction via quantum interference in a three-level system of Er^3+-doped yttrium aluminium garnet crystal
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A simple three-level system is proposed to produce high index of refraction with zero absorption in an Er^3+-doped yttrium aluminium garnet (YAG) crystal, which is achieved for a probe field between the excited state 4I13/2 and ground state 4I15/2 by adjusting a strong coherent driving field between the upper excited state 4I11/2 and 4I15/2. It is found that the changes of the frequency of the coherent driving field and the concentration of Er^3+ ions in the YAG crystal can maximize the index of refraction accompanied by vanishing absorption. This result could be useful for the dispersion compensation in fibre communication, laser particle acceleration, high precision magnetometry and so on. 相似文献
54.
55.
Junxiang Zhang Yabin Dong Haihong Wang Jiangrui Gao 《量子光学学报》2006,12(B08):74-74
The quantum coherence effects of the transition Fe = 2←→Fg = 3 depending on the polarization of the coupling and probe beam are observed in a Cs vapor cell. The splitting of electromagnetically induced transparency (EIT) window is observed when the degeneracy of two-level system is broken using a magnetic field. It is also shown that the splitted transparency points of two of three windows are shifted with the intensity of magnetic field ( i. e. Zeeman splitting in the upper and lower levels ) increasing. On the contrary, when we fix the intensity of magnetic field, and increase the Rabi frequency of the coupling beam, the splitted transparency peaks become wider. A qualitative agreement between experiment and theory is found. 相似文献
56.
57.
新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
58.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
59.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
60.