多级制造系统的最优化模型及其应用

多级制造系统是现代制造业的主要加工方式，系统的每一级的加工速度和加工周期是系统设计的主要决策变量，正确确定这两个变量是系统得到优化的主要目标。本文导出了系统优化的基本模型，它包括系统各级的生产时间、等待时间、生产速度、生产成本以及系统的循环时间、总成本、产品利润和利润率等，并给出了一个应用实例。     

Kähler-Einstein metrics with positive scalar curvature

In this paper, we prove that the existence of K?hler-Einstein metrics implies the stability of the underlying K?hler manifold in a suitable sense. In particular, this disproves a long-standing conjecture that a compact K?hler manifold admits K?hler-Einstein metrics if it has positive first Chern class and no nontrivial holomorphic vector fields. We will also establish an analytic criterion for the existence of K?hler-Einstein metrics. Our arguments also yield that the analytic criterion is satisfied on stable K?hler manifolds, provided that the partial C ⁰-estimate posed in [T6] is true. Oblatum 12-IV-1996 & 8-XI-1996     

用Josephson结电子模拟器测量磁通量子2e/h

介绍用Josephson结电子模拟器在政党温度下，模拟测量磁通量子2e/h，用模拟器来研究Josephosn结的特性。该实验可作为普通物理实验中课题设计实验的一个内容。     

Low-Temperature Magnetic Properties of Co Antidot Array

Cobalt antidot arrays with different thicknesses are fabricated by rf magnetron sputtering onto porous alumina substrates. Scanning electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction are employed to characterize the morphology and crystal structure of the antidot array, respectively. The temperature dependence of magnetic properties shows that in the temperature range 5K--300K, coercivity and squareness increase firstly, reach their maximum values, then decrease. The anomalous temperature dependences of coercivity and squareness are discussed by considering the pinning effect of the antidot and the magnetocrystalline anisotropy.     

四（对-羟基苯基）卟啉氧合配合物的室温固相合成，表征及氧合能力

采用固相反应合成了四羟基苯基卟啉与与Fe^2＋,Co^2＋金属离子的配合物,在室温下,将其与分子O2作用,提纯后得到两种固态氧合配合物．通过元素分析、红外光谱（IR）、核磁共振氢谱（^1HNMR）、电导、热分析（TG／DTA）、紫外光谱（UV）等测试手段确定了氧合配合物的组成为[Co·THPP·O2]（NO3）2·2H2O、[Fe·THPP·O2]Cl2·2H2O]，可知1mol配合物吸收了1molO2,采用失重法测定了氧合配合物中的配位氧,确定1mol金属配合物吸收1molO2形成超氧配合物．     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

凸体的曲率映象与仿射表面积

本文研究了一些特殊凸体与其极体的曲率仿射表面积乘积的下界.对任意两个凸体,建立了它们的投影体的混合体积与其仿射表面积的一个不等式（见文[1-15]）.     

用于ψ＇→γ＇xcJ→γ＇γJ/ψ过程中多极分析的产生子

为了实验研究粲偶素ψ＇级联衰变过程ψ＇→γ＇xcJ→γ＇γJ/ψ,一个用于正确描述全部末态角分布的产生子是必要的．可以通过分析角分布的关联来确定这一过程的多极展开参数（或者等效的螺旋度振幅），而从中可以知道高阶电磁多极矩和相对论修正的贡献，同时可以检验ψ＇是不是ψ＇（2S）和ψ＇（1D）的混合．介绍了一个能完全描述这一过程的角分布的产生子，同时讨论了测量多极参数的测量方法．这些都可以被用在BESⅢ或者CLEOc的分析当中．     

Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长

以硒化氢（H2Se）和二甲基锌为源材料，生长温度是300℃时，用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜的能量色散（EDS）以及光致发光（PL）实验验证ZnSe外延膜的质量，在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰，这说明外延膜是（111）取向的单晶薄膜，在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外，没有观测到其他原子，说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1，有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰，表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。     

宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展

本文系自1979年以来，宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面：第一，系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射；第二，创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想；第三，深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用，为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径；第四，研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射；第五，CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理；第六，ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。