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11.
制备了纯的、掺0.005、0.01、0.2和0.5wt%Cr2O3的钛酸锶单晶.测量了不同退火条件下的室温透射光谱及6.5K以上的荧光光谱.对晶体的氧化和还原热处理诱导吸收及退火和掺杂浓度对晶体发光的影响进行了较为详细的研究. 相似文献
12.
K9和石英玻璃基片上Au膜真空紫外反射特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用离子束溅射法,分别在经过不同前期清洗方法处理过的K9及石英玻璃光学基片上,选择不同的镀膜参量,镀制了多种厚度的Au膜。对镀制的Au膜在真空紫外波段较宽波长范围内的反射率进行了连续测量。测试结果表明:辅助离子源的使用方式、Au膜厚度对反射镜的反射率有重大影响。基片材料、镀前基片表面清洗工艺等对反射率也有一定影响。采用镀前离子轰击,可显著提高Au膜反射率及膜与基底的粘合力;获得最高反射率时的最佳膜厚与基片材料、镀膜工艺密切相关。对经过离子清洗的石英基片,膜厚在30 nm左右反射率最高;比较而言,石英基片可获得更高的反射率;辅助离子源的使用还显著影响获得最高反射率时对应的最佳膜厚值,且对K9基片的影响更显著。 相似文献
13.
We report on the experimental investigation carried out in the polarisation characteristics of femtosecond pulsed and continuous wave beams propagating through a 1×2 fibre coupler. It is demonstrated that the polarisation states of pulsed and continuous wave illumination over the broad wavelength range can be preserved in a conventional fused fibre coupler. Furthermore, the fibre coupler acts as a low-pass spectral filter in the visible wavelength range with a splitting ratio between 99.6/0.4 and 99.7/0.3. The result is of importance for fibre-optic second harmonic generation microscopy which requires the polarisation preservation to extract molecular organization of a sample. 相似文献
14.
Schumm BA Koetke DS Adolphsen CE Alexander JP Averill D Barish BC Barklow T Barnett BA Blockus D Boyarski A Brabson B Breakstone A Bulos F Burchat PR Burke DL Cence RJ Chapman J Chmeissani M Cords D Coupal DP Dauncey P DeStaebler HC Dorfan JM Drell PS Drewer DC Durrett D Elia R Feldman GJ Field RC Ford WT Fordham C Frey R Fujino D Gan KK Gero E Gidal G Glanzman T Goldhaber G Gomez Cadenas JJ Gratta G Hanson G Harr R Harral B Harris FA Hayes K Hearty C Heusch CA Hildreth MD Himel T Hinshaw DA 《Physical review D: Particles and fields》1992,46(1):453-456
15.
Alam MS Kim IJ Nemati B O'Neill JJ Romero V Severini H Sun CR Wang P Zoeller MM Crawford G Fulton R Gan KK Kagan H Kass R Lee J Malchow R Morrow F Sung M White C Whitmore J Wilson P Butler F Fu X Kalbfleisch G Lambrecht M Skubic P Snow J Bortoletto D Brown DN Dominick J McIlwain RL Miao T Miller DH Modesitt M Schaffner SF Shibata EI Shipsey IP Battle M Ernst J Kroha H Roberts S Sparks K Thorndike EH Wang C Artuso M Goldberg M Haupt T Horwitz N Kennett R Moneti GC Playfer S Rozen Y Rubin P 《Physical review D: Particles and fields》1992,46(11):4822-4827
16.
17.
拓扑近藤绝缘体是一种本征的强关联拓扑电子体系,其体能隙来源于近藤关联效应。自2010年拓扑近藤绝缘体的理论概念被提出后,六硼化钐(SmB6) 作为第一种被预测为拓扑近藤绝缘体的材料在这十多年中被多种实验手段反复研究验证,被广泛接受认为是第一种拓扑近藤绝缘体。在这篇综述中,我们回顾了关于SmB6 的一些重要实验结果,比如电输运测量,角分辨光电子能谱(ARPES), 表面形貌分析(STM) 等,并论述了如何通过这些关键的实验证据证实SmB6 的拓扑近藤绝缘物相。同时,我们也展示了SmB6 这一关联电子体系的其他奇异物性,包括中间价态在表面和体内的分离现象,以及量子振荡发现的体振荡信号等等。这些性质表明我们对SmB6 这一材料的理解仍然不充分,其中还有更为丰富的物理值得挖掘。 相似文献
18.
In this study,218Ac and 221Th nuclides were produced via the heavy-ion induced fusion evaporation reaction 40Ar+186W.Their decay properties were studied with the help of the gas-filled recoil spectrometer SHANS and a digital data acquisition system.The cross section ratio between 222Pa and 218Ac was extracted experimentally,withmeasured value 0.69(9).Two new possible α decay branches to 221Th are suggested.The valence neutron configurations for the daughter 217Ra are discussed in terms of the hindrance factors. 相似文献
19.
采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1-xN (x ≤ 0.2) 外延薄膜. 生长温度为580 ℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2) 面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒, 背景电子浓度为3.96× 1018/cm3. 在富金属生长区域, Ga束流超过N的等效束流时, In组分不为零, 即Ga并没有全部并入外延层; 另外, 稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
关键词:
InGaN 外延薄膜
射频等离子体辅助分子束外延
In 并入
晶体质量 相似文献
20.