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31.
郭学萍 《浙江大学学报(理学版)》2001,28(4):377-383
主要证明了Banach空间中避免导映照求逆的变形Newton迭代在统一判定条件下的收敛性,并给出它和Newton迭代的误差估计,最后给出了两个积分方程算例。 相似文献
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本文对皮秒和飞秒技术中瞬态现象测量系统所用的特殊光学系统校正时间畸变和压缩色时间滞后的问题进行了讨论。实验证明用该方法设计研制的光学系统校正效果显着。 相似文献
37.
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.
关键词:
射频等离子体增强化学气相沉积
硅薄膜
Staebler-Wronski(SW)效应
稳定性 相似文献
38.
Alternative process to hexavalent chromium, substitute materials and new designs are urgently needed owing to the requirement of “clean” manufacture. This comparative study was conducted to systematically investigate the corrosion resistance and lubricated sliding wear behavior of graded Ni-P alloy deposits produced from a single plating bath by electrodeposition and hard Cr deposits, using potentiodynamic polarization and reciprocating ball-on-disc tribometer. Results showed that Ni-P deposits heat-treated at 400 °C with maximum hardness exhibited more than two orders of magnitude higher corrosion resistance than hard Cr deposits in 10 wt.% HCl solution. The Stribeck curves for the heat-treated Ni-P gradient deposits and hard Cr under lubrication conditions were obtained with accurate control of normal load and sliding speed during the wear process, three main different regimes corresponding to different lubrication mechanism were identified. Heat-treated Ni-P gradient deposits showed relatively poor wear resistance than hard Cr deposits under the lubrication conditions, which may be attributed to superior oil-retaining surface structure and the unique “nodular” effect of hard Cr in wear process. 相似文献
39.
Improved crystal quality of GaN film with the in-plane lattice-matched Ino.17Alo.s3N interlayer grown on sapphire substrate using pulsed metal-organic chemical vapor deposition 下载免费PDF全文
We report on an improvement in the crystal quality of GaN film with an Ino.17Alo.83N interlayer grown by pulsed metal-organic chemical vapor deposition, which is in-plane lattice-matched to GaN films. The indium composition of about 17% and the reductions of both screw and edge threading dislocations (TDs) in GaN film with the InA1N interlayer are estimated by high resolution X-ray diffraction. Transmission electron microscopy (TEM) measurements are employed to understand the mechanism of reduction in TD density. Raman and photoluminescence measurements indicate that the InA1N interlayer can improve the crystal quality of GaN film, and verify that there is no additional residual stress induced into the GaN film with InA1N interlayer. Atomic force microscopy measurement shows that the InA1N interlayer brings in a smooth surface morphology of GaN film. All the results show that the insertion of the InA1N interlayer is a convenient method to achieve excellent crystal quality in GaN epitaxy. 相似文献
40.
基于Monte Carlo模拟算法, 建立了粒子输运模型, 通过对盒形窗内圆窗片表面次级电子倍增现象进行数值仿真, 获得了TE11模非均匀分布电场作用下次级电子倍增的规律. 结果表明: 在微波输入端, 指向窗片表面的磁场力起到了维持次级电子与窗片碰撞的作用, 在电场强度较高的区域倍增剧烈, 有质动力对倍增无贡献; 在微波输出端, 受背离窗片表面磁场力的影响, 在表面静电场较弱的情况下, 次级电子倍增不能发生; 当表面静电场足以维持单面倍增的发生, 随着传输功率的增大, 电子渡越时间增长, 有质动力使得倍增强烈的区域由强电场区逐渐转移到弱电场区域. 对利用外静电场抑制微波输入端次级电子倍增效应的方法进行了数值模拟验证.
关键词:
圆窗片
11模')" href="#">TE11模
次级电子倍增
MonteCarlo模拟 相似文献