高In组分InGaNAs/GaAs量子阱的生长及发光特性

采用分子束外延技术(MBE)在Ga As衬底上外延生长高In组分(40%)In Ga NAs/Ga As量子阱材料,工作波长覆盖1.3~1.55μm光纤通信波段。利用室温光致发光(PL)光谱研究了N原子并入的生长机制和In Ga NAs/Ga As量子阱的生长特性。结果表明:N组分增加会引入大量非辐射复合中心;随着生长温度从480℃升高到580℃,N摩尔分数从2%迅速下降到0.2%;N并入组分几乎不受In组分和As压的影响,黏附系数接近1;生长温度在410℃、Ⅴ/Ⅲ束流比在25左右时,In_(0.4)Ga_(0.6)N_(0.01)As_(0.99)/Ga As量子阱PL发光强度最大,缺陷和位错最少;高生长速率可以获得较短的表面迁移长度和较好的晶体质量。     

ZnO单晶的微区光致发光特性研究

ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方式,对ZnO单晶进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱实验,分析研究了ZnO单晶在不同温度(低温)和不同激光能量强度照射下其光致发光特性。研究结果表明,ZnO单晶内存在少量杂质及表面氧缺陷,这些结构对其发光特性有一定的影响;在低温条件下,ZnO单晶具有良好的发光特性,且随着温度的提高,发光光谱峰的位置会向长波长方向移动,但强度会减小;当激光光源的强度增大,ZnO单晶的PL发射光谱的强度也会随之增大,且峰的位置和相对强度不变。结合拉曼(Raman)光谱实验,从分子及原子振动、转动类型验证了纤锌矿ZnO单晶的六方晶系结构;配合X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)技术,得出ZnO单晶良好的结晶特性以及晶轴取向。     

r-过程路径核β——衰变半衰期的估算

分析了20 < A < 190范围内丰中子核β衰变的实验数据,根据半衰期随质子数、中子数以及衰变能变化所呈现的壳效应和对效应等特点,提出了一种有效估算丰中子核β衰变寿命的公式。新的计算公式形式简单包含了较少的参数、计算量小。用该公式能较为准确地再现丰中子核的β衰变半衰期。用RIKEN最新测量丰中子核半衰期检验了该公式的外推能力,本工作可以为r-过程研究提供可靠的输入数据。Experimental data of the β--decay half-lives for the nuclei with atomic number between 20 and 190 are investigated. We have systematically studied the shell effects and pairing effects on β--decay half-lives versus the decay energy Q and nucleon numbers (Z, N). An empirical formula has been proposed to calculate the β--decay half-lives of neutron-rich nuclei. The empirical formula is simple and has relatively few parameters. Experimental β--decay half-lives of the neutron-rich nuclei are well reproduced by the new formula. In addition, the extrapolating capacity of this formula has been checked with the very recent experimental data from RIKEN. The predicted half-lives for r-process relevant nuclei with the current formula can be served as the reliable input of r-process model calculations.     

基于线性方程组数学分离模型建立光纤传感过程检测复方缬沙坦氢氯噻嗪片溶出度

基于线性方程组数学分离模型建立在线过程检测复方缬沙坦氢氯噻嗪片溶出度方法。分别扫描缬沙坦和氢氯噻嗪的紫外吸收光谱,两组分在最大吸收波长处完全重叠。根据朗伯比尔定律吸光度加和性原理,分别测定两组分在最大吸收波长处的吸光系数,建立线性方程组数学分离模型,采用光纤传感过程分析技术(FODT)检测缬沙坦氢氯噻嗪片的溶出度,并与HPLC法相比较。在规定的溶出介质中,两种成分同时实时测定,并且FODT累积溶出度与HPLC法相比较结果无显著性差异(p>0.05)。不同批次药物的溶出行为一致,说明制剂工艺稳定,均匀度好。溶出曲线显示缬沙坦溶出快于并高于氢氯噻嗪,且30 min时两组分的溶出度均大于80%符合美国药典规定。结果表明,应用线性方程组数学分离模型结合FODT法可实现复方缬沙坦氢氯噻嗪片中双组分溶出度的同时检测,并可提供双组分的溶出过程曲线和全部溶出数据,直观反映各组分在各溶出时段的快慢,为此药建立标准提供依据。与HPLC法单点数据相比优势明显,更有利于药品评价和抽验质量分析。     

碳纳米管制备蓝光石墨烯量子点及其在柔性有机存储器上的应用

通过化学裁剪法打开碳纳米管获得了粒径一致、性能稳定、具有蓝色荧光的石墨烯量子点。该方法属于化学溶液法,具有成本低廉、工艺简单、条件易控等优势。将该样品与半导体聚合物按一定比例混溶,通过旋涂技术形成基于石墨烯量子点掺杂的聚合物复合薄膜,进而制成柔性存储器。该柔性可弯曲存储器具有低驱动电压、接近10³的ON/OFF 比率、较好的循环次数,较好的重复性和稳定性。该研究结果为柔性有机存储器领域的研究展开了新的方向。     

Li3N-hBN体系中引入调节剂对合成cBN的影响

引入调节剂是一种改善立方氮化硼生长环境的重要手段. 本文中,我们研究了在Li3NhBN体系中引入调节剂对合成立方氮化硼的影响. 研究发现,调节剂的引入对立方氮化硼成核有明显的影响,并且通过光学显微镜可以明显发现调节剂曾有溶融的迹象,认为是调节剂在高温高压下发生溶解,改变了立方氮化硼生长溶液的性质,为立方氮化硼的生长提供了良好的生长环境,改变了立方氮化硼的生长速度,使晶体形貌得到了明显的改善. 通过电镜分析,发现调节剂含量的不同给晶体带来了不同的缺陷.     

小型化第三代移动通信系统用高温超导滤波子系统的研制

本文研究了双向螺旋型谐振器的耦合特性,并采用此谐振器设计、制作了适用于第三代移动通信系统的8节高温超导滤波器.该滤波器中心频率为1950 MHz,带宽为60 MHz.滤波器完成制备后,采用集成封装方式,将其与低温低噪声放大器封装在同一金属盒内,实现了滤波器系统的小型化.文章研究了集成封装方式的尺寸、结构对滤波器性能的影响.测试结果表明,采用集成封装方式的滤波器系统具有优良性能,与独立封装方式相比,器件的总尺寸减小了20%以上.     

Optically active helical polyurethane@attapulgite composites: Effect of optical purity of S-1,1′-binaphthyl-2,2′-diol on infrared emissivity

Helical polyurethane@attapulgite (HPU@ATT) composites were prepared after the surface modification of the rod-like attapulgite (ATT). HPU@ATT composites based on S-1,1′-binaphthyl-2,2′-diol (S-BINOL) with different optical purity (O.P.) were characterized by Fourier-transform infrared spectroscopy (FT-IR), X-ray diffraction (XRD) and thermogravimetric analysis (TGA). The results indicate that the helical polyurethane has been successfully grafted onto the surfaces of the modified ATT without destroying the original crystalline structure of ATT. The rod-like nanoparticles were confirmed by transmission electron microscopy (TEM). Infrared emissivity values of HPU@ATT composites have been investigated, and the results indicate that the optical purity of monomer plays a very important role in the infrared emissivity for HPU@ATT owing to the effect of helical conformation and interchain hydrogen bonds. Along with the increased optical purity of S-BINOL, the infrared emissivity of HPU@ATT is reduced evidently. Infrared emissivity value of HPU@ATT based on S-BINOL with 100% optical purity is the lowest one (0.431).