圆弧形面阵自适应波束形成快速计算方法

针对圆弧形面阵估计水下目标二维波达方向的问题,提出一种降维处理的自适应波束形成方法。利用圆弧形面阵模型简化阵列内插矩阵的计算,通过垂直和水平两阶段波束加权,降低自适应波束形成维数,从而实现快速估计声源二维波达方向的目的。仿真结果表明,所提改进方法的计算量较传统二维最小方差无失真波束形成方法降低约一个数量级,且在低快拍条件下具有更明显的噪声抑制优势。湖上实验数据处理结果验证,在复杂水声环境下,所提方法具有较好的目标分辨性能。     

用Word中的eq域编辑化学符号

用近20个常用化学符号的编辑实例,介绍用Word中的eq域编辑化学符号的方法,通过对这些典型范例的学习,读者可以掌握Word的这种输入符号的高级方法,从而解决现阶段普遍存在的化学符号输入困难的问题,使化学排版更趋美观和规范。     

BEPCⅡ束团缺口信号的提取

 基于隧道二极管单稳态电路、高速可重触发电路、ECL技术等多种高速电路技术设计了BEPCⅡ束团缺口信号提取电路。介绍了BEPCⅡ储存环中带缺口的多束团运行模式。对Pickup电极感应信号经过长电缆传输衰减后的波形进行了研究。分析了缺口提取电路中处理快速信号的隧道二极管单稳态电路原理,该电路可以将0.3 ns的正脉冲展宽到4 ns的ECL电平脉冲。给出了标准束团注入和非标准注入情况下束团缺口判定逻辑。测试结果表明:此电路对各种束团注入情况均能正常工作,且提取出的同步信号均方根抖动值仅为80.49 ps,满足设计要求。     

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

在赝形渐变InGaAs/In_0.52Al_0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV. 关键词：     

浓度序列对基于双异步正交样品设计构建的二维异步谱峰信噪比的影响

双异步正交样品设计(DAOSD)是通过对样品体系施加浓度的微扰,诱导光谱信号产生动态变化,并通过数学处理研究样品中物质间相互作用的二维相关光谱方法。提高二维谱图的信噪比对于谱图中交叉峰的分辨乃至物质间相互作用的考察有着十分重要的意义。通过计算机模拟考察了DAOSD构建二维相关光谱的方法中样品浓度序列对光谱行为影响。结果表明,在溶液数量较少的情况下,通过改变样品的浓度和组合顺序,可以有效提高交叉峰的信噪比,从而得到更高质量的二维谱图。     

光泵三能级原子体系产生光子数压缩态

本文证明光泵三能级原子体系可以产生光子数压缩态。分别计算非相干泵浦、弱相干泵浦和强相于泵浦几种情形下的Fano因数。结果表明,弱相干泵浦时可获得最佳压缩效应,相应的Fano因数为0.16。这种产生光子数压缩态的方法在实验上是简便可行的。 关键词：     

二维分数布朗运动(FBM)随机粗糙面电磁散射的基尔霍夫近似

采用二维FBM分形函数来模拟二维实际粗糙面,利用基尔霍夫近似给出了FBM粗糙面的电磁散射场和散射截面的计算公式.数值计算并分析了散射截面与分维、特征长度及入射频率的关系,并与高斯相关分布和指数相关分布粗糙面的散射结果做了比较 关键词： FBM粗糙面 分形 电磁散射 基尔霍夫近似     

兰州放射性核束流线 *

描述了兰州重离子加速器国家实验室最近建成并已投入运行的新装置———兰州放射性核束流线 (RIBLL) .RIBLL是PF型双消色差反对称结构放射性核束分析设备 ,它的立体角接收度≥ 6 .5msr,动量接受度± 5 % ,最大磁刚度4.2Tm ,元素分辨>150 ,质量分辨>300 ,最短分辨时间 <1μs.初级束流的入射角在 0°～ 5°范围可调 .RIBLL已为第一批物理实验提供¹⁷N ,⁸He等多种放射性核束流 .     

电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究

对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验,通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系,并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明:暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数,电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势;暗场像素灰度值整体抬升,像元之间的差异显著增加;电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性,器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为,剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。     

退火处理对W:Bi4Ge3O12和Bi12GeO20晶体发光性能的影响

通过提拉法制备了W:Bi4 Ge3 O12和Bi12GeO20晶体,测试了晶体的吸收光谱、光致发光谱和发光衰减时间等.W:Bi4 Ge3 O12的可见光发光强度比纯Bi4 Ge3 O12有所增强,而且N2中退火处理对W:Bi4Ge3O12发光有进一步增强作用.Bi12GeO20在N2中退火处理后在745 nm附近有发光...