首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13842篇
  免费   2328篇
  国内免费   2374篇
化学   10152篇
晶体学   248篇
力学   870篇
综合类   198篇
数学   1895篇
物理学   5181篇
  2024年   32篇
  2023年   185篇
  2022年   389篇
  2021年   428篇
  2020年   478篇
  2019年   485篇
  2018年   434篇
  2017年   446篇
  2016年   585篇
  2015年   649篇
  2014年   794篇
  2013年   1018篇
  2012年   1156篇
  2011年   1317篇
  2010年   987篇
  2009年   1031篇
  2008年   1151篇
  2007年   1019篇
  2006年   940篇
  2005年   721篇
  2004年   539篇
  2003年   427篇
  2002年   470篇
  2001年   408篇
  2000年   379篇
  1999年   314篇
  1998年   236篇
  1997年   203篇
  1996年   222篇
  1995年   188篇
  1994年   116篇
  1993年   123篇
  1992年   105篇
  1991年   100篇
  1990年   76篇
  1989年   75篇
  1988年   49篇
  1987年   58篇
  1986年   41篇
  1985年   31篇
  1984年   27篇
  1983年   29篇
  1982年   18篇
  1981年   16篇
  1980年   10篇
  1979年   8篇
  1974年   4篇
  1972年   4篇
  1971年   4篇
  1957年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法,其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线,并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系,且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素,当薄膜厚度小于穿透深度时,表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面,碲镉汞材料厚度大于7μm后,本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。  相似文献   
102.
The optimal corona-poling temperature of polymer films was accurately determined by measuring the temperature dependence of the in situ second-harmonic (SH) intensity profile under the applied poling electric field. The in situ SH intensity profile was first measured by probing both the surface voltages and the poling currents induced by surface/space charges for the corona-poled polymer films. Moreover, charge effects on the stability of the chromophore orientation were first studied by using the thermally stimulated discharge-current technique. PACS 72.20.Jv; 42.65.Ky; 73.61.Ph; 81.40.Tv  相似文献   
103.
Shiyue Fang 《Tetrahedron letters》2004,45(43):7987-7990
A reversible biotinylation phosphoramidite was synthesized and incorporated onto the 5′-end of an oligoribonucleotide on a solid phase synthesizer. After cleavage and deprotection, the crude synthetic oligomer mixture was incubated with NeutrAvidin® coated microspheres, and the failure sequences removed by washing with a buffer followed by treating the microspheres with tetrabutylammonium fluoride to give a high quality unmodified full-length oligoribonucleotide.  相似文献   
104.
本文对一种毫米波单腔并行双器件功率合成器进行了理论和实验研究。分析并计算了矩形波导腔内两只并行振荡器件的外电路阻抗,给出了一些对设计、开发该功率合成器非常有用的数值结果。在36.0GHz频率附近,单腔并行双Gunn器件功率合成器的实验结果为:合成输出功率约400mW,合成效率高于95.5%,大于100mW输出的机械调谐带宽近1.5GHz。  相似文献   
105.
It is experimentally demonstrated that the image resolution from an in-line Fraunhofer hologram degrades appreciably when the centre of the diffraction pattern from a 5-bar resolution target is located asymmetrically in the hologram aperture. This effect is confirmed and analysed using calculated and experimentally measured images from holograms of a one-dimensional wire. Increasing asymmetry results in an increasing error in the measured linewidth, and a reduction of image resolution. A simple model based on average fringe contrast is used to predict this decrease in resolution with transverse object position.  相似文献   
106.
显微镜产品质量光电检测的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
显微镜产品质量光电检测的实施是光、机、光电、计算机技术的综合运用。本文是笔者多年来研究成果总结,包括了已研制出的XJ-1型生物显微镜多功能光电质检仪及其改进;对显微镜离焦性能检测的探索,共可实现显微镜产品质量七个考核项目的检测与等级分拣。这些成果给显微镜行业提供了先进的检测工具;同时为发展我国显微镜产品检测技术、提高检测水平起积极的促进作用。  相似文献   
107.
牛顿环实验中的误差分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文对牛顿环测透镜曲率半径实验中引起误差的各种原因进行分析讨论,指出了误差的主要来源及比较完善可行的处理方法。  相似文献   
108.
藉助核反应92Mo(32S ,3n)产生了未知的缓发质子先驱核121Ce ,并利用氦喷嘴快速带传输系统和“p-γ”符合方法对它进行了鉴别 .测定了121Ce的半衰期 ( 1.1±0 .1 )s,观测了它的β缓发质子能谱 ,粗略地估计了它的β缓发质子衰变道的分支比约为1% .首次观测了先驱核119Ba,121Ba和122La经过β缓发衰变在“子核”中产生的低位能级到基态的γ 跃迁.  相似文献   
109.
本文研究了一类中立型时滞差分方程的振动性和正解存在性,获得了该方程所有解振动的“Sharp”条件及存在正解的一个充分条件.  相似文献   
110.
以MCl2和配体L(L=1,10-菲罗啉-5,6-二酮)为原料,合成了标题配合物MLCl2,M=NiⅡ,CuⅡ,ZnⅡ,并经元素分析、热谱、IR和摩尔电导表征.三者均为四配位的电中性配合物,热稳定性高于500K,易溶于DMF、DMSO和吡啶,可溶于乙腈和水.它们在DMF中于350nm和315nm附近显示出强的M-L荷移跃迁  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号