空间非相干多分量光束构成的非相干耦合屏蔽孤子对

两束本身具有空间非相干性的非相干多分量光束可以在光折变介质中形成非相干耦合 屏蔽孤子对，利用相干密度法得到了亮 亮、暗 暗型耦合孤子对的解，并研究了构成 非相干孤子对分量光束的相干组分的传播特性. 关键词： 空间非相干多分量光束 耦合孤子对 相干密度 相干组分     

2MeV注入器脉冲电子束时间分辨能谱诊断研究

 介绍了利用磁分析器和电子束产生的契伦科夫辐射光诊断直线感应加速器脉冲电子束时间分辨能谱的原理、方法及诊断系统，对中物院2MeV感应叠加型注入器的2kA强流脉冲电子束时间分辨能谱进行实验诊断，并与二极管电压进行对比分析。测得能量约2.2MeV，60ns内最大能量变化为4%。     

氯柱硼镁石在氯化镁水溶液中相转化平衡液相的红外光谱分析

采用差示FTIR光谱技术,研究了氯柱硼镁石在30℃下浓度为0.5,12和18％MgCl_2水溶液中溶解及相转化平衡饱和水溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱。给出了溶液中硼氧配阴离子的FTIR光谱振动频率的归属,515cm~(-1)为单和二硼氧配阴离子特征峰,630cm~(-1)为三硼氧配阴离子特征峰,550cm~(-1)为四硼氧配阴离子特征峰。对饱和水溶液中硼氧配阴离子的存在形式及其相互作用以及与相转化析出固相的关系进行了讨论。     

毛细管放电X光激光装置中的预脉冲电源

 针对目前毛细管放电X 光激光装置产生的预脉冲电流幅值过大、持续时间较短的问题，提出了增加预脉冲开关抑制原有预脉冲，再外加由脉冲成形网络组成的预脉冲发生器，产生所需预脉冲的改造方案。可在主脉冲来临之前产生幅度10~50A，持续时间约17μs的方波预脉冲电流，来满足毛细管放电泵浦类氖氩X光激光实验的需要。     

Effects of Evanescent Space-Harmonics on the Transmission Characteristics of a Gaussian Beam by Cylindrical Wire Grids

When electromagnetic waves propagate through a wire grid, there will be some evanescent space harmonics generated around the wire grid. In this paper, we mainly investigate their effects on the transmission characteristics of a Gaussian beam by cylindrical wire grids. The results are compared with those without taking account of evanescent space-harmonics.     

一种新的超分辨记录点的读出技术

提出一种新的超分辨记录点的读出技术—超分辨反射膜技术，详细分析了其原理。用该技术，以Sb为超分辨反射膜，SiN为介电层，在激光波长为632．8nm和光学头的数值也径为0．40的读出光学系统中实现了直径为380nm的超分辨记录点的读出。同时研究了Sb薄膜厚度对读出信噪比的影响规律，发现最佳的Sb薄膜厚度为28～30nm，所得的信噪比为38～40dB。     

高电荷态Ar^q＋与Ne碰撞中入射离子电荷交换截面的研究

报道Ar^q Ne(q=8，9，11，12)碰撞体系中多电子转移过程，得到了多组实验测量电荷交换截面数据，讨论入射离子电荷交换截面、反冲离子产生截面与入射离子电荷态、能量以及散射离子电荷态的关系，并且将实验结果与Ar^q Ar碰撞体系进行对比研究。在修正分子库仑过垒模型的基础上，对实验现象做了合理的解释。     

Study of the pulsed laser vapor doping of Si(1 0 0) with KrF excimer laser and BCl3 gas

The properties of pulsed laser vapor doping on p-Si(1 0 0) with a KrF (248 nm) excimer pulsed laser (248 nm) and BCl₃ gas are reported in this paper. The doped samples are characterized by the resistance measured using a four-probe method, since the sheet resistance changes with the carrier concentration of the sample. The doping effects with the variation of laser energy density, pulse number, and the pressure of BCl₃ were investigated in terms of the sheet resistance. In this way, the optimized parameters were obtained and used for the positive heavy doping on p-Si(1 0 0) and p-Si(1 1 1). Then, using a square mesh under the above conditions, an image doping was completed. Finally, the metal–semiconductor Ohmic contacts were realized by plating Ag and Cu films on the doped surface.     

相对论二极管电子枪设计的分析解与实验的比较

本文对轴对称场二极管区电子运动所遵循的近似轨迹方程进行数值求解,以此做为设计相对论二极管电子枪的依据,与实验结果相比较,符合较好。