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181.
Diffuse x-ray scattering (DXS) is used to study the formation of microdefects (MDs) in heat-treated dislocation-free large-diameter silicon wafers with vacancies. The DXS method is shown to be efficient for investigating MDs in silicon single crystals. Specific defects, such as impurity clouds, are found to form in the silicon wafers during low-temperature annealing at 450°C. These defects are oxygen-rich regions in the solid solution with diffuse coherent interfaces. In the following stages of decomposition of the supersaturated solid solution, oxide precipitates form inside these regions and the impurity clouds disappear. As a result of the decomposition of the supersaturated solid solution of oxygen, interstitial MDs form in the silicon wafers during multistep heat treatment. These MDs lie in the {110} planes and have nonspherical displacement fields. The volume density and size of MDs forming in the silicon wafers at various stages of the decomposition are determined.  相似文献   
182.
183.
184.
We consider a problem which implies the choice of a solution subject to asymptotic constraints. We represent the results as ultrafilters of the space of ordinary estimates (the space is not necessarily endowed with a topology). This representation corresponds to an abstract attainability problem in its nonsequential asymptotic version.  相似文献   
185.
186.
187.
We investigate the dependence of the relaxation time of the current flowing in a nematic cell submitted to an external dc voltage on the physical properties of the substrate. We show that previously presented analyses of the same problem are not very useful for practical applications. We compare our theoretical predictions with experimental data, and show that the agreement is rather good. The influence of the adsorption-desorption phenomenon on the relaxation time is also discussed.  相似文献   
188.
189.
190.
Summary A non-destructive method is described for the determination of major and minor constituents in archeological specimens by energy-dispersive X-ray fluorescence. Homogeneity tests are made by measuring at various sites of the specimen. In the same way, mean values are obtained for inhomogeneous specimen without taking samples. For calibration, powder standards are used. In case of the determination of elements with numbers up to 14 (Si) a vacuum chamber is used and the dimensions of the specimens are limited by the dimensions of that vacuum chamber, whereas for the determination of elements from K up to U specimens of any size, form or weight are suitable.
Zerstörungsfreie Analyse von archäologischen Proben mit Hilfe der Energie-dispersiven Röntgenfluorescenzanalyse
Zusammenfassung Eine zerstörungsfreie Methode für die Bestimmung von Haupt- und Nebenbestandteilen in archäologischen Proben mit Hilfe der Energie-dispersiven Röntgenfluorescenzanalyse wird beschrieben. Für Homogenitätstests wird an mehreren Stellen der Probe gemessen. In der gleichen Weise werden für inhomogene Proben Mittelwerte erhalten ohne Probenahme. Für die Eichung werden Pulverstandards verwendet. Im Falle der Bestimmung von Elementen mit Ordnungszahlen bis 14 (Si) wird eine Vakuumkammer eingesetzt, und die Dimensionen der Proben sind durch die Dimensionen dieser Vakuumkammer begrenzt, während für die Bestimmung der Elemente K bis U Proben jeder Größe, jeder Form oder jeden Gewichts verwendbar sind.
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