高纯金属镨中痕量稀土杂质的电感耦合等离子体原子发射光谱分析及光谱干扰的校正

本文提出了PGS-2型平面光栅光谱仪(色散率0.18纳米,二级光谱)与PlasmaTherm ICP-5000D射频发生器联用,乙醇预去溶方式进样,同时直接测定高纯金属镨中5个痕量稀土杂质元素的方法。并讨论了基体浓度对检出限的影响以及光谱干扰及其校正方法。当样品溶液中镨的浓度为5毫克/毫升时,测定下限分别为镧、钕和钐0.002%,铈0.003%和钇0.0005%。获得了良好的实验结果,其相对标准偏差为1.2-6.2%。     

Pt-Pd /y-A120.催化剂氧化性能的研究‘

本文采用浸演法制备了一系列Pt-Pd/Y-AlzO,催化剂，并考察其对正己烷，正丁醉和苯的催化氧化性能.结果表明，Pt-Pd双组分催化剂对极性有机物正丁醉有很高的氧化活性，而对于非极性有机物苯和正己烷的氧化活性相对较差.对Y-AlzOa载体进行高温预处理后，催化剂对苯和正己烷的氧化活性有明显提高.     

液态铅的电阻率

采用精确的结构因数实验数据和Ｂｅｈａｖｉ模型赝势，用Ｚｉｍａｎ理论计算了液态铅的电阻率．计算结果和实验数据符合很好．讨论了Ｚｉｍａｎ理论对液态铅的适用性以及适合于液态铅的赝势的特征．     

基于4，8-二氢二呋咱[3，}4-b，e]吡嗪高能材料的设计与筛选

为了寻找高能量密度的材料,本文设计了一系列基于4,8-二氢二呋咱[3,4-b,e]吡嗪的含能材料. 利用密度泛函理论研究了它们结构与性质之间的关系. 结果表明,这些设计化合物的性质受到含能基团和杂环取代基的影响. -N₃含能基团是提高设计化合物生成热的最有效取代官能团,而四唑环/-C(NO₂)₃基团对炸药的爆轰性能有较大贡献. 键解离能分析表明,引入-NHNH₂,-NHNO₂,-CH(NO₂)₃和-C(NO₂)₃基团会显著降低键解离能. 由于化合物A8,B8,C8,D8,E8和F8具有良好的爆轰性能和热稳定性,最终被筛选为潜在的高能密度材料. 此外,还计算了这些筛选化合物的电子结构.     

脉冲功率晶闸管反向恢复特性

为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,以最大通流150 kA、耐压5.2 kV的脉冲晶闸管为研究对象,将其前置于脉冲形成单元回路中作为大功率开关使用,记录放电过程中晶闸管两端电压及电流。实验数据表明：恢复过程中的电流下降率、反向恢复电荷、反向恢复电流峰值随通态电流峰值的增大而增大,晶闸管关断时间随通态电流峰值的增大而减小。此外,在关断过程中,当电流下降率在-50~1000 A/s时,电流下降率与电流峰值为线性关系。因此,在大脉冲电流条件下,推导反向恢复过程参数与通态电流参数的关系时电流下降率可用与电流峰值的线性关系代替。基于Matlab仿真平台,建立了具有反向恢复过程的脉冲晶闸管模型。该模型仿真得到的晶闸管反向恢复电流峰值与实测结果较为吻合,反向恢复电压尚待进一步修正。     

基于VISA的PXI设备访问新方法

由于PXI设备的灵活性,在访问过程中需要用户参与到配置过程中。为了方便用户,并增强PXI设备访问的安全性和准确性,避免系统因用户配置问题导致的功能异常,提出了一种基于VISA的以PXI设备串号为基础的设备访问方法。通过将PXI设备的串号信息固化在PXI设备的配置寄存器中,根据设备串号信息自动获得设备资源描述符,进而对设备进行访问。实际应用表明,该方法能够完成对PXI设备的访问,避免了用户的配置过程,实现了PXI设备资源的自动配置,增强了设备访问的安全性和准确性,具有良好的实际应用价值。     

Excitation dependent quenching of luminescence in LED phosphors

Droop, the decrease of efficiency with increased power density, became a major topic with InGaN LEDs, after its introduction in 2007. This paper provides insight into droop in localized center luminescence phosphors, exemplified here by Eu²⁺ doped materials. This topic is of increasing importance, as high brightness blue LEDs have reached outputs >1 W/mm². The nonlinearities in phosphor quantum efficiency result in drive‐dependent color point shift and reduction of overall efficiency of phosphor converted white LEDs which utilize Eu²⁺ activated phosphors. The efficiency quenching can be traced back to two processes, well‐known in laser physics, excited state absorption or/and cross relaxation by Foerster/Dexter transfer. Both processes lead to reduction in phosphor efficiency, but they can be differentiated. Understanding the root cause of efficiency quenching opens ways to minimize the practical consequences. (© 2016 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)