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Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献
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块菌的傅里叶变换红外光谱研究 总被引:1,自引:5,他引:1
块菌是珍稀野生食用菌,其蛋白质和糖类含量较高,块菌多糖具有潜在的药用价值。文章利用傅里叶变换红外光谱技术(FTIR)对五种云南野生块菌作了研究。结果表明,块菌属真菌有其独特的光谱特征,全谱最强峰为出现在1 042和1 077 cm-1附近的强双峰。在脂分子的羰基峰1 742 cm-1及糖类异构体的指纹区1 200~750 cm-1,不同种类、不同产地块菌的光谱有明显差异,另外,正常块菌和霉变块菌的光谱亦有明显差异,主要体现在谱峰吸收强度的变化上,部分谱峰吸收强度比的变化表明,块菌样品变质前后,其蛋白质和糖类物质的含量发生了变化。FTIR光谱提供了块菌成分的有关化学信息,为鉴别块菌和区分块菌的种类、质量提供了简便快捷的手段。 相似文献
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为了探讨稀土Eu^3+与纳米ZnO基质之间的能量传递,利用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了ZnO∶Eu^3+纳米晶,测量了样品的X射线衍射谱(XRD)、光致发光谱(PL)和激发谱(PLE)。X射线衍射结果表明,ZnO∶Eu^3+具有六角纤锌矿晶体结构。观察到稀土Eu^3+强而窄的特征发射和ZnO基质弱而宽的可见发射。分析了稀土Eu^3+激发态5^D0→7^F1,5^D0→7^F3和5^D0→7^F2特征发射机制。给出了Eu^3+离子特征发射的峰值强度随掺Eu^3+浓度增加而增强的变化关系,证实了纳米ZnO基质与稀土Eu^3+离子之间存在能量传递。比较了Eu^3+离子5^D0→7^F1磁偶极跃迁(MD)与5^D0→7^F2电偶极跃迁(ED)的相对强度,证实了在ZnO纳米晶基质中大多数Eu^3+占据了对称性较低的格位。 相似文献
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SU-8光胶因具有良好的光刻性能,并可获得稳定的高深宽比而在微加工领域得到了广泛的应用。众多研究采用不同的光源对其进行了多种光刻研究,本文应用355nm激光对SU-8胶进行曝光,分别采用XPS谱和FT-IR谱分析了SU-8胶与激光相互作用过程中,355nm激光对SU-8胶的作用以及反应前后主要成分含量、分子结构的变化,初步探讨了SU-8胶中激光曝光能量与透入深度的关系。 相似文献
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均一球形PDP用荧光粉(Y,Gd)BO3:Eu的合成 总被引:3,自引:0,他引:3
利用共沉淀法通过控制稀土离子浓度、沉淀温度等得到稀土氧化物前驱体沉淀,再将其和H3BO3按化学计量比混合煅烧制备出了平均粒径在0.5~1.0μm的球形、粒径分布较小和无团聚的(Y,Gd)BO3:Eu荧光粉,其性能在一些方面优于商用荧光粉。利用X射线衍射、SEN、粒度分析仪和PL光谱进行表征。研究了不同的煅烧温度对荧光粉性能的影响,结果发现用本实验方法在800℃煅烧即可得到纯相的(Y,Gd)BO3:Eu。而传统固相合成纯相的(Y,Gd)BO3:Eu反应温度高达1200℃。因本方法工艺较易控制,适于在工业生产上推广。 相似文献