全文获取类型
收费全文 | 33382篇 |
免费 | 6070篇 |
国内免费 | 4639篇 |
专业分类
化学 | 24388篇 |
晶体学 | 464篇 |
力学 | 1992篇 |
综合类 | 373篇 |
数学 | 3885篇 |
物理学 | 12989篇 |
出版年
2024年 | 73篇 |
2023年 | 601篇 |
2022年 | 1116篇 |
2021年 | 1068篇 |
2020年 | 1364篇 |
2019年 | 1318篇 |
2018年 | 1148篇 |
2017年 | 1087篇 |
2016年 | 1560篇 |
2015年 | 1632篇 |
2014年 | 1959篇 |
2013年 | 2522篇 |
2012年 | 2892篇 |
2011年 | 3152篇 |
2010年 | 2220篇 |
2009年 | 2202篇 |
2008年 | 2346篇 |
2007年 | 2018篇 |
2006年 | 1939篇 |
2005年 | 1628篇 |
2004年 | 1402篇 |
2003年 | 1053篇 |
2002年 | 1124篇 |
2001年 | 922篇 |
2000年 | 733篇 |
1999年 | 696篇 |
1998年 | 516篇 |
1997年 | 523篇 |
1996年 | 482篇 |
1995年 | 383篇 |
1994年 | 383篇 |
1993年 | 298篇 |
1992年 | 239篇 |
1991年 | 247篇 |
1990年 | 202篇 |
1989年 | 174篇 |
1988年 | 159篇 |
1987年 | 124篇 |
1986年 | 98篇 |
1985年 | 87篇 |
1984年 | 58篇 |
1983年 | 58篇 |
1982年 | 51篇 |
1981年 | 36篇 |
1980年 | 27篇 |
1979年 | 18篇 |
1978年 | 11篇 |
1976年 | 17篇 |
1975年 | 17篇 |
1974年 | 11篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm. 相似文献
42.
43.
44.
新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
45.
46.
47.
48.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
49.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
50.