半导体带电粒子探测器的研制及其在空间物理中的应用

阐述了空间辐射环境监测的意义,描述了半导体带电粒子探测器的研制及由其组成的望远镜系统在空间物理中的应用,并给出了用此探测器在卫星上进行地球辐射环境监测、太阳质子事件和地磁暴探测的部分结果.     

温度变化对谐衍射透镜性能的影响

分析了温度变化对谐衍射透镜的焦距、谐振波长、衍射效率等性能的影响,建立了相应的数学表达式,并对其进行了数值模拟.提出了漂移函数的概念,以表征焦距和谐振波长随温度的变化程度.另外,还给出了各谐振级次的衍射效率随温度变化的相关规律.最后比较了在相位匹配数不同、但设计波长相同时,温度变化对衍射效率的影响,发现相位匹配数越大,衍射效率对温度变化越敏感.     

ITO材料在减反射膜设计中的应用

改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2～24.6Ω/□的试验结果.     

数字全息干涉术用于微波等离子体推进器羽流场的研究

利用数字全息干涉术研究了微波等离子体推进器羽流场的分布特征,由所记录的羽流场的数字全息图,经数值再现,得到了羽流场的相位分布,进而计算出等离子体羽流场的电子数密度.通过相位倍增法增加了羽流场的干涉条纹密度,从而能够更直观地反映出羽流场的折射率分布.结果表明,数字全息干涉术是研究微波等离子体推进器羽流场的一种有效方法.     

ITER试验包层模块的中子学分析与设计

ITER试验包层模块(TBM)的中子学的设计和计算结果为TBM的其它大多数系统设计提供重要的数据依据。本文首先应用TRANSX程序完成基于FENDL2.0新库制作,以及中子输运程序和数据库的基准检验;然后应用二维中子输运程序TWODANT,计算和分析了中国氦冷Li₄SiO₄固体氚增殖剂的试验包层模块的功率密度分布、增殖区产氚特性、结构材料的中子辐照特性、结构材料和增殖材料的产氢和产氦等特性,并给出一个经合理优化的 TBM中子学初步设计结果。     

等电位辉光放电电子温度的光谱测量与计算

用SII- IV 型全息凹面光栅单色仪对各种工艺参数条件下双层辉光等电位放电的发射光谱的相对强度进行了测量, 获得一系列光谱谱线。通过对玻尔兹曼方程式的计算, 得到了不同工艺条件下等离子放电时的电子温度。分析了工件电压、工作气压对电子温度的影响。结果表明: 在本工艺条件下, 电子温度随着工件电压的升高, 先减小后增大, 然后又减小, 并随着工作气压的增大而单调增大。工作气压的变化较工件电压的变化对电子温度的影响大。     

Ce~(3+)∶LiCaAlF_6紫外激光器的研究

报道了利用Nd∶YAG四倍频266nm脉冲激光端面泵浦Ce∶LiCAF晶体,采用平凹谐振腔,输出296nm波长紫外激光.当输出镜透过率为20%,入射泵浦能量为13.5mJ时,获得最大输出激光脉冲能量为270μJ,脉冲宽度为3.4ns,输出激光峰值功率为79.4kW,光-光转换效率为2%,斜效率为1.6%.     

CoFe2O4自形成磁性液体场致结构化对磁化的影响

因为磁性液体的磁性微粒有着很强的相互作用,Langevin顺磁理论不能很好描述磁性液体的磁化强度随外磁场的变化.研究认为影响磁化的主要因素是磁性液体内微粒整体的结构化,其结构的形成储存了部分磁化功,直接或间接地影响了磁化.在此基础上提出“压缩”模型,修正了描述磁性液体常用的Langevin函数,得出了与实验较好符合的曲线.所提出的一个压缩后等效体积分数与外磁场强度的关系式,近似地描述了磁性液体在磁场中磁化的过程.由修正式得出了近似初始磁化率随体积分数变化关系.     

Structural, magnetic and transport properties of double perovskite compounds (Sr2−3xLa2xBax)FeMoO6

The crystal structure and magnetic properties of a series of ordered double perovskite oxides (Sr_2−3xLa_2xBa_x)FeMoO₆ (0x0.3) have been investigated. X-ray powder diffraction reveals that the crystal structure of the compounds changes from a tetragonal I4/m lattice to a cubic lattice around x=0.2. Though the nominal average size of the A site cation of (Sr_2−3xLa_2xBa_x)FeMoO₆ is designed to be almost independent of x, the refinements of the crystal structure show that the lattice constants increase with x in both the tetragonal and the cubic phase regions due to electron doping. As the x increases, the degree of cationic ordering on the B site is decreased pronouncedly, while the Curie temperature of the compounds is nearly unchanged. The saturation magnetization of the compounds decreases with x and shows a linear dependence on the degree of cation ordering. The resistivity of the parent compound shows a semiconducting behavior below room temperature, but those of the doped samples exhibit a metal–semiconductor transition. A correlation between the resistivity and metal-semiconducting transition temperature (T_M−S) is observed. The resistivity and T_M−S of the compounds decrease with x for x0.2 and increase for x0.2. Magnetoresistance of the compounds is reduced by the La/Ba doping. All these observations can be understood based on the interplay of the electron doping, change in bandwidth and the anti-site defect concentration.     

n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

在Ar+O2₂气氛中，采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2₂O4₄ 薄膜.制得的薄膜经x射线衍射（XRD）检测为CdIn2₂O4₄和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热 处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时，对样品 进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系，特别强调