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Mid-infrared generation based on a periodically poled LiNbO3 optical parametric oscillator 下载免费PDF全文
We report a nanosecond Nd:YVO_4-pumped optical parametric oscillator (OPO) based on periodically poled LiNbO_3 (PPLN). Tuning is achieved in this experiment by varying the temperature and period of the PPLN. The design of double-pass singly resonant oscillator (DSRO) and confocal cavity enables the OPO threshold to be lowered considerably, resulting in a simple, compact, all-solid-state configuration with the mid-infrared idler powers of up to 466mW at 3.41μm. 相似文献
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Shao Su Xinpan Wei Yuanyuan Guo Yiling Zhong Yuanyuan Su Qing Huang Chunhai Fan Yao He 《Particle & Particle Systems Characterization》2013,30(4):326-331
A new kind of silicon nanowire (SiNWs)‐based nanoelectrode assembly, a gold‐nanoparticle‐decorated silicon nanowire array (AuNPs@SiNWsAr), is employed for the construction of high‐performance electrochemical sensors. Significantly, the electrochemical nanosensors are capable of sensitive detection of various electroactive molecules (e.g., dopamine (DA), ascorbic acid (AA), hydrogen peroxide (H2O2), and glucose). Further, DA molecules loaded on the surface of AuNPs@SiNWsAr preserve stable high electroactivity overnight without special protection, while free DA molecules may lose their biological activity due to severe oxidization in ambient environment. These findings may offer new opportunities for the design of high‐performance electrochemical nanosensors with high sensitivity and robust stability. 相似文献
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Joseph W. Rumer Sheng‐Yao Dai Matthew Levick Laure Biniek David J. Procter Iain McCulloch 《Journal of polymer science. Part A, Polymer chemistry》2013,51(6):1285-1291
Two novel dihydropyrroloindoledione (DPID)‐based copolymers have been synthesized in a two directional approach and characterized (gel permeation chromatography (GPC), ultraviolet‐visible (UV–vis), cyclic voltammetry, and computational models). These planar, broad absorption copolymers show promise for use in organic electronics, with deep energy levels and low bandgaps. The two‐directional Knoevenagel condensation used demonstrates the versatility of DPID as a useful yet underexploited conjugated unit. © 2012 Wiley Periodicals, Inc. J Polym Sci Part A: Polym Chem, 2013 相似文献
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We describe a Q-switched Er:GdVO4 laser resonantly pumped by a MgO-doped periodically poled LiNbO3 optical parametric oscillator (MgO: PPLN OPO) at 1536 nm. In continuous-wave lasing, the maximum output power is 1.14 W with an incident pump power of 4.7 W and a slope efficiency of 27%. In Q-switched operation, 1.1 mJ of output pulse energy is achieved at 200 Hz. The upper-state lifetime at different pulse repetition frequencies is also calculated. 相似文献
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石英音叉作为力传感器广泛地应用于各种扫描探针显微镜,主要涉及石英音叉的同相振动和反相振动两种振动模式.通过实验方法和有限元仿真方法对石英音叉的两种振动模式进行研究,发现石英音叉的双臂之间以及双臂与音叉的基部之间都存在耦合作用,双臂之间的耦合使音叉的反相共振频率升高,双臂与基部之间的耦合使音叉的同相共振频率降低.针对两种振动模式的动态特性建立了石英音叉的机械模型并进行合理简化.简化模型是一个四弹簧三质点系统,计算了简化模型的参数.通过一个音叉臂等效质量变化与音叉反相共振频率变化之间的定量关系证明了简化机械模
关键词:
扫描探针显微镜
石英音叉
振动模式
机械模型 相似文献
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A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage. 相似文献
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采用反应离子束溅射和后退火处理技术在石英玻璃基底上制备了具有纳米粒子的二氧化钒(VO2)薄膜. 该薄膜具有半导体-金属相变特性,在3 μm处的开关率达到76.6%。 热致相变实验结果给出了准确的最佳退火温度为465 ℃. 仿真、热致相变和光致相变实验都显示VO2薄膜在红外波段具有很高的光学开关特性. 光电池防护实验结果显示VO2薄膜将硅光电池的抗干扰能力提升了2.6倍, 证明了VO2在激光防护中的适用性. 采用连续可调节系统研究得到VO2在室温条件下的相变阈值功率密度为4.35 W/cm2, 损伤阈值功率密度为404 W/cm2。 低相变阈值和高损伤阈值都进一步证明VO2薄膜适用于激光防护系统。本实验制备的VO2薄膜在光开关、光电存储器、智能窗等方面也具有广泛的应用价值. 相似文献
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