3-methyl-4-metroxy-4'-nitrostilbene (MMONS) Crystal Growth and Studies of It

３－ｍｅｔｈｙｌ－４－ｍｅｔｒｏｘｙ－４＇－ｎｉｔｒｏｓｔｉｌｂｅｎｅ（ＭＭＯＮＳ）ＣｒｙｓｔａｌＧｒｏｗｔｈａｎｄＳｔｕｄｉｅｓｏｆＩｔｓＳｅｃｏｎｄＮｏｎｌｉｎｅａｒＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ￥ＣＡＯＹａｎｇ；ＺＨＵＺｈｉｄｏｎｇ；ＨＵＡ...     

EFFECT OF CRYSTALLIZATION TEMPERATURE ON MCM-41 SYNTHESIS

在Ｎａ２ＯＳｉＯ２ＣＴＡＢＨ２Ｏ四元水热体系中系统地考察了晶化温度对中孔ＭＣＭ４１分子筛合成及其骨架结构的影响。实验结果表明，提高晶化温度虽然能明显加快晶化速率，缩短晶化时间，但同时样品的结晶度和中孔骨架结构的有序度却被迅速破坏。这些特点与传统沸石的合成过程完全不同，其原因主要是合成ＭＣＭ４ｌ时所用的模板剂及其在合成中所起的模板作用与传统沸石完全不同。相对低的晶化温度（如１００℃）有利于高质量和高热稳定性的中孔ＭＣＭ４ｌ分子筛的合成。     

非晶半导体光致发光的温度依赖关系

研究了a-Si:H,a-Si:H,F,a-Si:H,Cl以及a-Si:H,Cl,O等非晶硅薄膜光致发光的温度依赖关系。测量了各种样品的无辐射跃迁激活能ε,并试图寻求激活能ε与样品的制备条件和结构之间的关系;同时从发光强度的温度相关性确定了带尾态密度分布参数T0,以及T0与发光光谱形状之间的关系。并将实验结果与瞬态光电导的数据进行了比较。     

Ab initio方法研究~(40)Ca~(35)Cl分子的自旋轨道耦合效应和跃迁性质

本文研究了~(40)Ca~(35)Cl分子低态的自旋轨道耦合分裂以及获得更精确的光谱常数和更高的激发态.以从头算理论为基础,使用多参考组态相互作用方法获得了该分子的势能曲线和自旋轨道分裂,之后求解径向一维薛定谔方程获得光谱常数.得到了~(40)Ca~(35)Cl分子7个Λ-S低电子态的势能曲线和永久偶极矩,以及A~2Π→~2Σ~+,1~2Δ和C~2Π→~2Σ~+,1~2Δ跃迁的跃迁偶极矩,得到的光谱常数(不管是考虑了自旋轨道耦合(SOC)还是没有考虑SOC)与实验值非常符合,且要好于之前的理论计算结果 .值得注意的是,目前的计算还首次得到了C~2Π→~2Σ+,1~2Δ跃迁的跃迁性质,为之后实验观察~(40)Ca~(35)Cl分子的高激发态光谱和跃迁性质提供有益的理论参考.     

Normal families and uniqueness theorems for entire functions

There exists a set S with 3 elements such that if f is a non-constant entire function satisfying E(S,f)=E(S,f′), then f≡f′. The number 3 is best possible. The proof uses the theory of normal families in an essential way.     

The skew elliptical distributions and their quadratic forms

In this paper, a family of the skew elliptical distributions is defined and investigated. Some basic properties, such as stochastic representation, marginal and conditional distributions, distribution under linear transformations, moments and moment generating function are derived. The joint distribution of several quadratic forms is obtained. An example is given to show that the distributions of some statistics as the functions of the quadratic forms can be derived for various applications.     

Yb原子高激发态的斯塔克光谱

采用ππ偏振激光，通过两步激发和光电离方法，在０－１５４Ｖ／ｃｍ电场范围内，测定了Ｙｂ原子ｎ－１８附近ｍ＝０的斯塔克光谱，首次把包含斯塔克效应的能量矩阵对角化方法推广到Ｙｂ原子，所获得的理论斯塔克图与实验结果基本符合，观察到低场中斯塔克簇随电场增加呈现线性结构以及＾１Ｐ１态与斯塔克簇在抗交叉过程中振子强度发生转移的现象，讨论了结构与量子亏损的关系。     

400GeV/c pp碰撞赝快度空间带电粒子数密度的研究

利用CERNNA27合作组提供的LEBC泡室照片,测量了400GeV/cpp碰撞产生的带电粒子多重数为4—24的赝快度分布.观察到在选择的赝快度窗口(Δη=0.5和0.1)内平均最大带电粒子数密度随带电粒子多重数线性增加的规律.最大带电粒子数密度的几率分布在n大时有加宽和变平坦的趋势.没有观察到最大粒子数密度反常高的事例.